刻蚀

摘要： 基于钆掺杂的二氧化铈(CGO)固体电解质和NiO敏感电极(NiO-SE)制备了阻抗谱型NO_(2)传感器,并研究了其的气敏特性。采用浓盐酸刻蚀CGO多孔层骨架,以获得较大的三相界面(TPB)面积,提高传感器的传感性能。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析传感器的相组成和表面形貌。采用CHI660型电化学工作站测试传感器的传感性能。结果表明,浓盐酸刻蚀后,CGO多孔层的表面粗糙度增加。对刻蚀时间(30~180 min)进行了优化,刻蚀120 min时传感器的敏感性能最佳。当温度为500°C时,传感器在0~700 ppm的NO_(2)浓度中灵敏度高达12.95。该传感器对CO_(2)、CH_(4)、H_(2)、NO_(2)、NO具有良好的抗干扰能力,O_(2)对传感器性能具有一定的影响。

摘要： 探讨羊毛织物防毡缩整理工艺。应用常压等离子体结合双氧水对羊毛织物进行处理,测试了不同处理方式下羊毛织物的表面形态、固色率、强力、上染百分率。测试结果表明:与单一方法相比,等离子体与双氧水共同处理提高了羊毛对染料的吸收率,纤维表面鳞片减少,羊毛织物强力提高。认为:等离子体处理对羊毛表面进行刻蚀,并接枝基团,不仅提高了羊毛织物的吸水性与染料吸收率,而且有助于降低羊毛前处理中双氧水的用量。

摘要： 为了探索对基于不同衬底的透明导电薄膜的图形化制作,研究了采用激光刻蚀基于玻璃和柔性PET衬底的ITO和FTO等TCO薄膜材料的优化工艺,考察了激光设备在不同工作功率和扫描速率下工作对刻蚀效果的影响。结果表明,玻璃基薄膜可采用2.3 W的刻蚀功率和500 mm·s^(-1)的扫描速率进行刻蚀,柔性PET基薄膜可采用1.2 W的刻蚀功率和500 mm·s^(-1)的扫描速率进行刻蚀;扫描速率越慢、激光功率越高,对薄膜的刻蚀速率就会越快;激光功率过高会导致柔性PET衬底发生高温热熔化而凸起形变,因此刻蚀时应适当降低刻蚀功率。综合而言,采用激光刻蚀法可高效率、高品质地实现对不同衬底上薄膜的图形化制作。

摘要： 首先通过溶胶凝胶法制备了SDC SSF(75%Ce_(0.85)Sm_(0.15)O_(2-δ)25%Sm_(0.6)Sr_(0.4)FeO_(3-δ),质量分数)萤石钙钛矿双相透氧膜,进而基于化学刻蚀技术在SDC SSF双相透氧膜表面构筑了超微多孔结构,基于该多孔结构实现了高强度表面活化催化剂的负载.实验结果表明,通过化学刻蚀法可以有效去除双相膜表面的SSF钙钛矿相,则剩余SDC萤石相自发形成超微多孔结构.在多孔层表面涂覆低熔点含钴钙钛矿BSCCF(Ba_(0.4)Sr_(0.4)Ca_(0.2)Co_(0.8)Fe_(0.2)O_(3-δ))催化剂粉体,二次高温烧结后可以实现BSCCF催化剂的熔化和孔道渗入,从而在双相膜表面构筑了高强度BSCCF催化剂涂层.系统对比了原始基膜、多孔膜和负载催化剂膜的透氧膜量、活化能和速率控制步骤,研究发现经过化学刻蚀和催化剂负载后,双相透氧膜的透氧量会逐步增加,优化后的SDC SSF双相膜片(厚度1.0mm)最高透氧量在950°C时可达到0.37mL/(cm^(2)·min).由Wagner方程理论分析可以发现通过化学刻蚀和催化剂涂层,SDC SSF双相透氧膜的透氧速率控制步骤,由表面交换控制转向体相控制.提供了一种为双相透氧膜表面构筑高强度表面活化催化剂的有效方法.

摘要： 以SiC片为基体,分别在直流(DC)电源和脉冲(PC)电源下电镀Ni。研究了电流密度对Ni镀层表面形貌、粗糙度、显微硬度以及SiC和Ni镀层刻蚀选择性的影响。结果表明,随直流电流密度增大,Ni镀层的表面形貌先变好后变差,表面粗糙度先减小后增大,显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比逐渐减小。随脉冲电流密度增大,Ni镀层的表面形貌和粗糙度的变化趋势与直流电镀时相近,但显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比均逐渐增大。当电流密度较大时,在相同电流密度下脉冲电镀Ni层的各项性能均优于直流电镀Ni层。在1.4 A/dm^(2)的平均电流密度下脉冲电镀可获得综合性能较优的Ni镀层。

摘要： 文章简单介绍了以王秦生、王明智、王艳辉为首席科学家的研究团队对于金刚石磨料等超硬材料表面处理技术的研究现状及机理和金刚石表面刻蚀技术,提出CSD金刚石磨料合成技术、金刚石磨料表面金属化技术将是我国金刚石磨料行业实现高质量、差异化发展的路径,金刚石表面刻蚀技术有助于其在信息器件、传感器、电极等领域的应用,对金刚石或CBN材料表面以刚玉或玻璃材料修饰将成为研究团队今后一段时间的探索方向。

摘要： 以Ti_(3)AlC_(2)和Ti_(3)SiC_(2)为原料,采用传统的HF刻蚀方法成功制备出多层风琴状MXene材料,利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等方法表征MXene的物相和形貌,并采用循环伏安法、恒电流充放电和交流阻抗法等电化学测试手段研究了MXene材料电极的电化学性能.研究了刻蚀剂浓度及不同前驱体对所制MXene材料的形貌、结构及电化学性能的影响.结果表明,刻蚀剂浓度和前驱体对MXene材料的片层结构和电化学性能都有很大影响.刻蚀剂浓度的提高,可显著提升MAX相向MXene材料的转化,相同反应条件下,Ti_(3)AlC_(2)相比Ti_(3)SiC_(2)相更容易被刻蚀转换成MXene材料,且由Ti_(3)AlC_(2)制备的MXene材料的电化学性能优于由Ti_(3)SiC_(2)制备的MXene材料.

摘要： 为探究经磷酸刻蚀后钢渣粉比表面积增大及水化活性提高的根源,采用放电等离子体烧结法制备了致密钢渣片并进行了抛光,研究了其被磷酸刻蚀不同时间后的形貌及矿物特性.结果表明:经磷酸刻蚀后,钢渣表面出现片状产物团聚而成的磷酸钙刻蚀产物;随着刻蚀时间的延长,磷酸钙覆盖面积逐渐增大,刻蚀至30 s后覆盖面积增加减缓;磷酸钙优先覆盖区域为硅酸钙和Ca-Al-Mg-Si-O相,而RO相则至30 s后才被磷酸钙大量覆盖;钢渣中的硅酸钙表面出现裂纹;磷酸钙的生成和硅酸钙相中裂纹的出现可以显著提高钢渣表面粗糙度.

摘要： 阐述在14nm FinFET及以下工艺,由于器件需要,较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的关键尺寸过程中,刻蚀工艺起到至关重要的作用。通过刻蚀工艺的细致研究,不仅可以根据需求得到不同的刻蚀偏差,同时能够对关键尺寸均匀性(CD Uniformity)进行优化,从而达到芯片制造的需求。

摘要： 阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足。通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类共聚物,由于其独特的交联网状结构,该树脂与非交联型的树脂相比,其可以显著增强光刻胶树脂在刻蚀工艺中抗刻蚀性能。将该交联型共聚物配制成Krf光刻胶,经测试该光刻胶满足集成电路芯片制造中耐蚀刻要求,并且满足Dense和ISO光刻图形分辨率达到140nm的工艺要求。

摘要： 本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841nm/min,与SiO2的选择比达到15∶1.

摘要： 深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀.本文介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

摘要： 高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制方法.

摘要： SEM)形貌分析,并在动态真空系统中测试阴极的电子发射特性。试验结果表明浸渍阴极经过表面离子刻蚀和镀覆锇膜后,阴极发射性能得到显著提高,这将有利于延长阴极寿命并能够在空间行波管等微波器件中得到很好地应用。

摘要： 应用计算全息图(CGH)作为补偿器件,干涉检验非球面形状误差具有重要的发展前景。在石英基片上刻蚀相位型CGH时,相位深度量值会影响相位型计算全息器件出射波面的相位精度。本文针对刻蚀速率沿刻蚀腔中心向四周递减的特性,从标量衍射理论出发,据二元光学器件特征参数与相位调制精度关系研究得出：同样的刻蚀深度不均匀度(用百分数表示),CG门的出射波面畸变随相位深度的减小而减小,在保证透射波面衍射效率的情况下,通过优化刻蚀深度,控制出射波面的相位精度。为便于用标准器具验证,制作台阶深度为550nm相位型CGH,将球面波转化成平面波。通过干涉测试该CGH出射波前,很好地验证了上述结论。

摘要： 采用Ar+离子束对U薄膜表面进行反应溅射，通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Ra的影响，并与Ar+离子束刻蚀实验的比对：结果表明，以30°角入射，随溅射时间的增加,能量为0.5kev的Ar+离子束较1．0keV．U薄膜表面租糙度趋于减小，表面愈光滑，溅射深度仅限于纳米级,而对金属Mo的刻蚀效果相比与之相反．Ar+离子束溅射对材料表面具有纳米级超精细抛光的效果。辅之于离子束微米级刻蚀减薄，将有助于U薄膜表面精细加工．

摘要： 合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺(HDA)和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯(BPhMA)的共聚物p(HDA-BPhMA)s.当HDA含量较高时,共聚物可在气/液界面上形成稳定,排列紧密的单分子薄膜,并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上,形成多层均匀的Langmuir-Blodgett(LB)膜。这种LB膜被成功地应用于光刻,获得了分辨率为0.5 μm的LB膜图形.以该图形为抗蚀层,可将图形进一步转移至金属薄膜上,得到分辨率较高的金属图形,在图形转移的过程中,这种LB膜显示出较高的抗蚀性,有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。

摘要： 为了改善牦牛毛纤维的表面性能,研究了低温等离子体表面改性处理牦牛毛对其表面性能的影响.通过SEM,XPS分析了处理前后纤维表面形貌和纤维表面元素成分的变化,探讨了经氧等离子体和空气等离子体分别处理后,牦牛毛的拉伸强度.研究结果表明,低温等离子体表面改性处理能够刻蚀牦牛毛纤维表面的鳞片,而且空气等离子体的刻蚀效果优于氧等离子体的刻蚀效果;等离子体处理能够保持牦牛毛的拉伸强度不变.

摘要： 磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的一门技术.本文以实际应用为目的,针对磁控溅射系统中常见的靶材利用率低、沉积率低以及溅射率低等具体问题,对靶的结构进行了改造,包括改变极靴形状、磁体位置,加装导磁片等方法;并且选择了合适的材料进行研究.并在此基础上采用电磁场有限元的方法,模拟并分析了各种情况下靶面磁场的分布.通过分析比较最终设计出一种最适合磁控溅射的靶阴极结构.

摘要： 磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的一门技术.本文以实际应用为目的,针对磁控溅射系统中常见的靶材利用率低、沉积率低以及溅射率低等具体问题,对靶的结构进行了改造,包括改变极靴形状、磁体位置,加装导磁片等方法;并且选择了合适的材料进行研究.并在此基础上采用电磁场有限元的方法,模拟并分析了各种情况下靶面磁场的分布.通过分析比较最终设计出一种最适合磁控溅射的靶阴极结构.

摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中，方法包括以下步骤：预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；在部分工作模式下，使得对目标刻蚀区的目标晶片，与，对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中，刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形，产生工作环境差异的问题。

摘要： 本发明公开了一种用于铜催化刻蚀硅片刻蚀液的添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法，其中，添加剂为包括：金属络合剂、酸度调节剂和水。该酸度调节剂选自柠檬酸、乙酸或磷酸中的一种或几种；该金属络合剂选自乙二胺四乙酸、水杨酸或六次甲基四胺中的一种或几种。刻蚀体系由添加剂与铜催化刻蚀液进行混合制得到。本添加剂所得刻蚀液，与不含添加剂刻蚀液相比，本发明的刻蚀体系对硅片进行刻蚀制绒，刻蚀反应条件更温和，硅片减重率更低，制备得到的硅片表面倒金字塔尖刺减少，结构更加均匀和圆滑，硅片表面反射率能够进一步降低，特别适合未来薄片化硅片的制绒工艺，具有工业实用价值。

摘要： 本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元。湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。

摘要： 本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第三刻蚀液，含有用于去除其他的第一刻蚀液刻蚀产物的组分，以实现第一刻蚀液的使用寿命的延长。以刻蚀氮化硅用组合型刻蚀液为例，第一刻蚀液含有磷酸，第二刻蚀液含有含氟化合物；结合刻蚀设备，调整混合反应腔内刻蚀液温度与含水量，含氟化合物通过与磷酸刻蚀产物硅化合物的反应可生成特定的可去除的氟硅化合物，从而可延长第一刻蚀液的使用寿命，减少换酸操作和提高生产效率。

摘要： 本发明公开了一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，包括：步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶；步骤2、采用lift‑off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积Ti/Au薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark；步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余光刻胶，得到被刻蚀材料侧壁斜面角度。本发明主要用于半导体技术领域。

摘要： 本发明公开了一种预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法，采用不同掩膜工艺得到不同掩膜厚度；保证刻蚀开口面积相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀不同掩膜厚度并量测刻蚀深度；建立刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度的模型；采用同一掩膜工艺得到同一掩膜厚度；保证刻蚀掩膜厚度相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀掩膜掩蔽之外的不同刻蚀开口面积并量测刻蚀深度；建立刻蚀开口面积比和刻蚀深度的模型；根据刻蚀深度和刻蚀掩膜厚度的关系、刻蚀深度和刻蚀开口面积的关系，建立刻蚀掩膜厚度及刻蚀开口面积和刻蚀深度的模型。本发明用以预测不同刻蚀开口面积和不同刻蚀掩膜厚度所需刻蚀参数，进一步的指导刻蚀工艺。

摘要： 本发明公开了一种实时调节通孔刻蚀形貌的刻蚀方法及半导体刻蚀设备，方法，包括：步骤1：基于预设的工艺配方对工艺腔室内的晶片进行通孔刻蚀工艺；步骤2：采集工艺腔室内反应气体等离子体辉光放电产生的OES光谱，实时获取OES光谱中特定元素发光波长对应的光谱信号强度，并计算光谱信号强度的斜率；步骤3：若当前时刻斜率位于对应的基准斜率范围之内，则继续刻蚀工艺，若当前时刻斜率位于对应的基准斜率范围之外，则调整特定工艺参数，使下一时刻所述特定元素发光波长对应的光谱信号强度的斜率位于下一时刻对应的基准斜率范围之内；步骤4：重复步骤2‑3直至完成通孔刻蚀工艺。实现提高连续刻蚀通孔形貌的一致性。

摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中，方法包括以下步骤：预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；在部分工作模式下，使得对目标刻蚀区的目标晶片，与，对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中，刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形，产生工作环境差异的问题。

摘要： 该发明涉及一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法，其中所述刻蚀辅助装置用于辅助晶圆刻蚀，包括：隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。本发明的刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法能够隔开聚焦环和晶圆，使聚焦环和晶圆之间大于预设值，不会影响所述晶圆的边缘部分的温度分布，能够有效提高晶圆边缘部分的均匀性，提高晶圆生产的良率。

摘要： 本发明提供了一种刻蚀液再生装置、刻蚀系统装置和刻蚀方法，所述的刻蚀系统装置包括循环连接的所述刻蚀液再生装置和刻蚀装置，所述的再生装置包括注入有刻蚀液的壳体，所述壳体外接有循环管路，所述循环管路分为独立的回收支路和循环支路接入所述壳体内，所述回收支路上设置有回收器，所述回收器用于回收刻蚀液中金属离子。本发明中，当刻蚀液中金属离子浓度较高时，启用回收支路上的回收器，对刻蚀液中的金属离子进行回收，使得刻蚀液中的酸液浓度始终保持在工艺控制范围内，不仅提高了刻蚀液的使用寿命，而且提高了关联产品的稳定性，具有结构简单、便于操作、再生效果好和成本低等特点。