刻蚀
刻蚀的相关文献在1981年到2023年内共计8857篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学工业、一般工业技术
等领域,其中期刊论文524篇、会议论文42篇、专利文献8291篇;相关期刊268种,包括材料导报、功能材料、微细加工技术等;
相关会议35种,包括2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议、2008年全国博士生学术会议(光学测试新理论、新技术)、第六届中国功能材料及其应用学术会议等;刻蚀的相关文献由12976位作者贡献,包括张海洋、吕煜坤、许开东等。
刻蚀
-研究学者
- 张海洋
- 吕煜坤
- 许开东
- 倪图强
- 任昱
- 胡冬冬
- 张旭升
- 李娜
- 杨渝书
- 朱骏
- 王新鹏
- 李程
- 王兆祥
- 刘鹏
- 唐在峰
- 程实然
- 蒋中伟
- 张振兴
- 吴智勇
- 刘海洋
- 周娜
- 聂钰节
- 赵裕兴
- 陈宏璘
- 龙吟
- 张伟
- 李俊杰
- 黄智林
- 严利均
- 刘兵
- 奚裴
- 孙武
- 王铖熠
- 不公告发明人
- 梁洁
- 刘家桦
- 彭洪修
- 王猛
- 郭颂
- 陈刚
- 曾林华
- 王晖
- 符雅丽
- 陈玉文
- 廖海涛
- 范荣伟
- 车东晨
- 黄海辉
- 冯大贵
- 熊磊
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戴磊;
田梦;
孟维薇;
李跃华;
刘永光;
王岭
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摘要:
基于钆掺杂的二氧化铈(CGO)固体电解质和NiO敏感电极(NiO-SE)制备了阻抗谱型NO_(2)传感器,并研究了其的气敏特性。采用浓盐酸刻蚀CGO多孔层骨架,以获得较大的三相界面(TPB)面积,提高传感器的传感性能。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析传感器的相组成和表面形貌。采用CHI660型电化学工作站测试传感器的传感性能。结果表明,浓盐酸刻蚀后,CGO多孔层的表面粗糙度增加。对刻蚀时间(30~180 min)进行了优化,刻蚀120 min时传感器的敏感性能最佳。当温度为500°C时,传感器在0~700 ppm的NO_(2)浓度中灵敏度高达12.95。该传感器对CO_(2)、CH_(4)、H_(2)、NO_(2)、NO具有良好的抗干扰能力,O_(2)对传感器性能具有一定的影响。
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孙学瑜;
陈韶娟;
杜吉浩;
苗大刚
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摘要:
探讨羊毛织物防毡缩整理工艺。应用常压等离子体结合双氧水对羊毛织物进行处理,测试了不同处理方式下羊毛织物的表面形态、固色率、强力、上染百分率。测试结果表明:与单一方法相比,等离子体与双氧水共同处理提高了羊毛对染料的吸收率,纤维表面鳞片减少,羊毛织物强力提高。认为:等离子体处理对羊毛表面进行刻蚀,并接枝基团,不仅提高了羊毛织物的吸水性与染料吸收率,而且有助于降低羊毛前处理中双氧水的用量。
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张耿;
陈镕佳;
黄晓园;
张绍强;
郑华;
叶海;
王红成
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摘要:
为了探索对基于不同衬底的透明导电薄膜的图形化制作,研究了采用激光刻蚀基于玻璃和柔性PET衬底的ITO和FTO等TCO薄膜材料的优化工艺,考察了激光设备在不同工作功率和扫描速率下工作对刻蚀效果的影响。结果表明,玻璃基薄膜可采用2.3 W的刻蚀功率和500 mm·s^(-1)的扫描速率进行刻蚀,柔性PET基薄膜可采用1.2 W的刻蚀功率和500 mm·s^(-1)的扫描速率进行刻蚀;扫描速率越慢、激光功率越高,对薄膜的刻蚀速率就会越快;激光功率过高会导致柔性PET衬底发生高温热熔化而凸起形变,因此刻蚀时应适当降低刻蚀功率。综合而言,采用激光刻蚀法可高效率、高品质地实现对不同衬底上薄膜的图形化制作。
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解品红;
李芳;
裴瑜洁;
夏媛玉;
王雨生;
李其明
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摘要:
首先通过溶胶凝胶法制备了SDC SSF(75%Ce_(0.85)Sm_(0.15)O_(2-δ)25%Sm_(0.6)Sr_(0.4)FeO_(3-δ),质量分数)萤石钙钛矿双相透氧膜,进而基于化学刻蚀技术在SDC SSF双相透氧膜表面构筑了超微多孔结构,基于该多孔结构实现了高强度表面活化催化剂的负载.实验结果表明,通过化学刻蚀法可以有效去除双相膜表面的SSF钙钛矿相,则剩余SDC萤石相自发形成超微多孔结构.在多孔层表面涂覆低熔点含钴钙钛矿BSCCF(Ba_(0.4)Sr_(0.4)Ca_(0.2)Co_(0.8)Fe_(0.2)O_(3-δ))催化剂粉体,二次高温烧结后可以实现BSCCF催化剂的熔化和孔道渗入,从而在双相膜表面构筑了高强度BSCCF催化剂涂层.系统对比了原始基膜、多孔膜和负载催化剂膜的透氧膜量、活化能和速率控制步骤,研究发现经过化学刻蚀和催化剂负载后,双相透氧膜的透氧量会逐步增加,优化后的SDC SSF双相膜片(厚度1.0mm)最高透氧量在950°C时可达到0.37mL/(cm^(2)·min).由Wagner方程理论分析可以发现通过化学刻蚀和催化剂涂层,SDC SSF双相透氧膜的透氧速率控制步骤,由表面交换控制转向体相控制.提供了一种为双相透氧膜表面构筑高强度表面活化催化剂的有效方法.
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李彭瑞;
任春江;
章军云;
陈堂胜
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摘要:
以SiC片为基体,分别在直流(DC)电源和脉冲(PC)电源下电镀Ni。研究了电流密度对Ni镀层表面形貌、粗糙度、显微硬度以及SiC和Ni镀层刻蚀选择性的影响。结果表明,随直流电流密度增大,Ni镀层的表面形貌先变好后变差,表面粗糙度先减小后增大,显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比逐渐减小。随脉冲电流密度增大,Ni镀层的表面形貌和粗糙度的变化趋势与直流电镀时相近,但显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比均逐渐增大。当电流密度较大时,在相同电流密度下脉冲电镀Ni层的各项性能均优于直流电镀Ni层。在1.4 A/dm^(2)的平均电流密度下脉冲电镀可获得综合性能较优的Ni镀层。
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边华英;
王学涛;
韩铭;
赵安冬;
乔一龙
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摘要:
文章简单介绍了以王秦生、王明智、王艳辉为首席科学家的研究团队对于金刚石磨料等超硬材料表面处理技术的研究现状及机理和金刚石表面刻蚀技术,提出CSD金刚石磨料合成技术、金刚石磨料表面金属化技术将是我国金刚石磨料行业实现高质量、差异化发展的路径,金刚石表面刻蚀技术有助于其在信息器件、传感器、电极等领域的应用,对金刚石或CBN材料表面以刚玉或玻璃材料修饰将成为研究团队今后一段时间的探索方向。
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叶飞;
党雪艳;
张志峰;
王亚丽
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摘要:
以Ti_(3)AlC_(2)和Ti_(3)SiC_(2)为原料,采用传统的HF刻蚀方法成功制备出多层风琴状MXene材料,利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等方法表征MXene的物相和形貌,并采用循环伏安法、恒电流充放电和交流阻抗法等电化学测试手段研究了MXene材料电极的电化学性能.研究了刻蚀剂浓度及不同前驱体对所制MXene材料的形貌、结构及电化学性能的影响.结果表明,刻蚀剂浓度和前驱体对MXene材料的片层结构和电化学性能都有很大影响.刻蚀剂浓度的提高,可显著提升MAX相向MXene材料的转化,相同反应条件下,Ti_(3)AlC_(2)相比Ti_(3)SiC_(2)相更容易被刻蚀转换成MXene材料,且由Ti_(3)AlC_(2)制备的MXene材料的电化学性能优于由Ti_(3)SiC_(2)制备的MXene材料.
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霍彬彬;
李保亮;
罗阳林;
张亚梅;
王栋民
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摘要:
为探究经磷酸刻蚀后钢渣粉比表面积增大及水化活性提高的根源,采用放电等离子体烧结法制备了致密钢渣片并进行了抛光,研究了其被磷酸刻蚀不同时间后的形貌及矿物特性.结果表明:经磷酸刻蚀后,钢渣表面出现片状产物团聚而成的磷酸钙刻蚀产物;随着刻蚀时间的延长,磷酸钙覆盖面积逐渐增大,刻蚀至30 s后覆盖面积增加减缓;磷酸钙优先覆盖区域为硅酸钙和Ca-Al-Mg-Si-O相,而RO相则至30 s后才被磷酸钙大量覆盖;钢渣中的硅酸钙表面出现裂纹;磷酸钙的生成和硅酸钙相中裂纹的出现可以显著提高钢渣表面粗糙度.
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周利民;
刘少雄
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摘要:
阐述在14nm FinFET及以下工艺,由于器件需要,较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的关键尺寸过程中,刻蚀工艺起到至关重要的作用。通过刻蚀工艺的细致研究,不仅可以根据需求得到不同的刻蚀偏差,同时能够对关键尺寸均匀性(CD Uniformity)进行优化,从而达到芯片制造的需求。
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耿文练;
秦龙;
孙小侠
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摘要:
阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足。通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类共聚物,由于其独特的交联网状结构,该树脂与非交联型的树脂相比,其可以显著增强光刻胶树脂在刻蚀工艺中抗刻蚀性能。将该交联型共聚物配制成Krf光刻胶,经测试该光刻胶满足集成电路芯片制造中耐蚀刻要求,并且满足Dense和ISO光刻图形分辨率达到140nm的工艺要求。
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马骏;
朱曰宏;
高志山
- 《2008年全国博士生学术会议(光学测试新理论、新技术)》
| 2008年
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摘要:
应用计算全息图(CGH)作为补偿器件,干涉检验非球面形状误差具有重要的发展前景。在石英基片上刻蚀相位型CGH时,相位深度量值会影响相位型计算全息器件出射波面的相位精度。本文针对刻蚀速率沿刻蚀腔中心向四周递减的特性,从标量衍射理论出发,据二元光学器件特征参数与相位调制精度关系研究得出:同样的刻蚀深度不均匀度(用百分数表示),CG门的出射波面畸变随相位深度的减小而减小,在保证透射波面衍射效率的情况下,通过优化刻蚀深度,控制出射波面的相位精度。为便于用标准器具验证,制作台阶深度为550nm相位型CGH,将球面波转化成平面波。通过干涉测试该CGH出射波前,很好地验证了上述结论。
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- 《第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会》
| 2008年
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摘要:
采用Ar+离子束对U薄膜表面进行反应溅射,通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Ra的影响,并与Ar+离子束刻蚀实验的比对:结果表明,以30°角入射,随溅射时间的增加,能量为0.5kev的Ar+离子束较1.0keV.U薄膜表面租糙度趋于减小,表面愈光滑,溅射深度仅限于纳米级,而对金属Mo的刻蚀效果相比与之相反.Ar+离子束溅射对材料表面具有纳米级超精细抛光的效果。辅之于离子束微米级刻蚀减薄,将有助于U薄膜表面精细加工.
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曾国良;
李铁生;
许文俭;
张素华;
王筠;
赵娜;
吴养洁
- 《第六届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2007年
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摘要:
合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺(HDA)和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯(BPhMA)的共聚物p(HDA-BPhMA)s.当HDA含量较高时,共聚物可在气/液界面上形成稳定,排列紧密的单分子薄膜,并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上,形成多层均匀的Langmuir-Blodgett(LB)膜。这种LB膜被成功地应用于光刻,获得了分辨率为0.5 μm的LB膜图形.以该图形为抗蚀层,可将图形进一步转移至金属薄膜上,得到分辨率较高的金属图形,在图形转移的过程中,这种LB膜显示出较高的抗蚀性,有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。
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余军杰;
汪建华
- 《第六届全国微波化学会议》
| 2006年
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摘要:
为了改善牦牛毛纤维的表面性能,研究了低温等离子体表面改性处理牦牛毛对其表面性能的影响.通过SEM,XPS分析了处理前后纤维表面形貌和纤维表面元素成分的变化,探讨了经氧等离子体和空气等离子体分别处理后,牦牛毛的拉伸强度.研究结果表明,低温等离子体表面改性处理能够刻蚀牦牛毛纤维表面的鳞片,而且空气等离子体的刻蚀效果优于氧等离子体的刻蚀效果;等离子体处理能够保持牦牛毛的拉伸强度不变.
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刘瑞鹏;
李刘合
- 《2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议》
| 2006年
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摘要:
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的一门技术.本文以实际应用为目的,针对磁控溅射系统中常见的靶材利用率低、沉积率低以及溅射率低等具体问题,对靶的结构进行了改造,包括改变极靴形状、磁体位置,加装导磁片等方法;并且选择了合适的材料进行研究.并在此基础上采用电磁场有限元的方法,模拟并分析了各种情况下靶面磁场的分布.通过分析比较最终设计出一种最适合磁控溅射的靶阴极结构.
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刘瑞鹏;
李刘合
- 《2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议》
| 2006年
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摘要:
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的一门技术.本文以实际应用为目的,针对磁控溅射系统中常见的靶材利用率低、沉积率低以及溅射率低等具体问题,对靶的结构进行了改造,包括改变极靴形状、磁体位置,加装导磁片等方法;并且选择了合适的材料进行研究.并在此基础上采用电磁场有限元的方法,模拟并分析了各种情况下靶面磁场的分布.通过分析比较最终设计出一种最适合磁控溅射的靶阴极结构.