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高益;
重庆航天职业技术学院电子工程系 重庆400021;
半导体工艺; 反应离子刻蚀; 平坦化工艺; 刻蚀速率; 均匀性;
机译:偏置功率对TFT应用中N槽电感耦合等离子体的刻蚀速率和二氧化硅均匀度的影响
机译:电子回旋共振等离子体刻蚀机中SiN刻蚀速率与等离子体阻抗的相关性研究
机译:估计溶液介质中的轨道配准效率,并研究γ射线辐照对CR-39(DOP)固态核径迹检测器的整体刻蚀速率和整体刻蚀活化能的影响
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:二氧化硅基牺牲模板的选择性刻蚀制备中孔烧结金属薄膜
机译:蚀刻剂对熔湿蚀刻蚀刻速率和质量对熔湿二氧化硅的蚀刻速率和质量影响的比较研究
机译:用于研究二氧化硅“表观”溶解度和溶解和沉淀速率的原始数据和一阶计算。 25种常见矿物质,1-2℃,pH7.5-8.5海水,
机译:制造半导体器件和干法刻蚀装置的方法,以提高高电介质层的刻蚀速率,并相对于二氧化硅层提高选择性
机译:存储介质中的数据结构,层级速率,层级速率建立过程在数据库文件管理系统中以块形式分布。在数据记录的键上建立速率,访问数据的过程数据记录系统按层中的比率按键K来研究r。要通过层比率中的键K插入数据记录r,并按层比率按K来删除数据记录r,数据处理系统存在在文件PAIF中插入新数据记录并获得PAIF均衡速率的过程,以及数据库文件管理系统所使用的存储介质。
机译:等离子刻蚀工艺,在不同的径向气体注入区域中使用具有不同刻蚀速率和聚合物沉积速率的聚合刻蚀气体进行时间调制
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