反应离子刻蚀
反应离子刻蚀的相关文献在1989年到2022年内共计282篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、机械、仪表工业、物理学
等领域,其中期刊论文174篇、会议论文34篇、专利文献381414篇;相关期刊78种,包括微细加工技术、电子工业专用设备、红外与激光工程等;
相关会议29种,包括第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议、第十一届中国光伏大会暨展览会等;反应离子刻蚀的相关文献由759位作者贡献,包括丁桂甫、刘正堂、易新建等。
反应离子刻蚀—发文量
专利文献>
论文:381414篇
占比:99.95%
总计:381622篇
反应离子刻蚀
-研究学者
- 丁桂甫
- 刘正堂
- 易新建
- 杨春生
- 丁瑞军
- 何力
- 刘景全
- 叶振华
- 吴万俊
- 尹志尧
- 李阳平
- 杜春雷
- 柯才军
- 胡晓宁
- 赖建军
- 赵湛
- 陈刚
- 刘泳宏
- 刘鹏
- 孙承龙
- 张光春
- 张大明
- 徐向东
- 徐秋霞
- 李志炜
- 毛海平
- 王清平
- 苟君
- 范斌
- 袁凯
- 陈迪
- 丁建宁
- 严婷婷
- 俞爱斌
- 倪智萍
- 刘家璐
- 刘训春
- 吴卫东
- 吴志明
- 太惠玲
- 姚翔
- 姜建东
- 孙洪文
- 张淼
- 张继成
- 张锦
- 徐启远
- 李志宏
- 李铁
- 李雄
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刘锡锋;
何卓航;
林婵
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摘要:
在使用反应离子刻蚀(RIE)工艺制造集成电路中,金属刻蚀后原介质层产生密集黑色颗粒物.采用了隧道扫描电镜(STM)的方法,对样片进行观测分析,结果表明该黑色颗粒为碳化后的胺类副产物.通过对反应过程的分析研究,确定了该问题产生的原因.为了解决该问题,在不改变工艺压力和温度的情况下,调整射频功率来提高反应效率.调整完成后进行了实验验证,结果表明该方法切实有效,颗粒问题得到了明显改善.
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高益
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摘要:
随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换.鉴于工艺上的要求,须将整个硅片表面的高低起伏全部抛光打磨成理想厚度,即平坦化工艺,这就需要研究反应离子蚀刻中二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响.通过反应离子刻蚀速率研究相关实验得出数据,再对薄膜厚度进行测量,最终定量计算出刻蚀速率和均匀性等参数,确定最佳的工艺条件.
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杨正;
靳志伟;
陈建军;
饶先花;
尹韶云;
吴鹏
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摘要:
为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究.利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光.实验结果表明:PV、RM S分别为1.347μm和340 nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75 nm和13 nm;PV、RM S分别为61 nm和8 nm的表面,其粗糙度可降低至9 nm和1 nm.该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路.
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黄语恒;
郭怀新;
孔月婵;
陈堂胜
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摘要:
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究.在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分析了刻蚀气体、 射频功率及腔室压强等工艺参数对刻蚀速率的影响,并结合能谱对刻蚀表面的质量和损伤进行分析.实验发现射频功率仅能影响刻蚀速率,而刻蚀气体和压强不仅影响其刻蚀速率,还影响其刻蚀表面质量.最终提出了一种基于反应离子刻蚀技术的SiC深孔刻蚀方法,对器件热管理和SiC深孔刻蚀技术具有重要的指导意义.
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邱小永;
赵庆国;
陆波;
何一峰;
李小飞;
张帅;
吕文辉
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摘要:
Nano-textured multi-crystalline silicon solar cells were fabricated on industrial production line. The nano-textured multi-crystalline silicon solar cells showed an improved short-circuit current as compare to traditional multi-crystalline silicon solar cells, and resulting in an increasing amount of>0 . 4% for power conversion efficiency and up to 19 . 1%. The light reflectance spectra and the ex-ternal quantum efficiency of the nano-textured multi-crystalline silicon solar cells were investigated. The improved power conversion efficiency was attributed to enhanced light trapping and light re-sponse by the nano-structure. The results confirm that the nano-textured multi-crystalline silicon so-lar cells can be produced by using the industrial production process, and has high power conversion efficiency.%基于产线工艺制备了纳米绒面多晶硅太阳电池,并表征其光电转换性能.研究结果表明:相对传统微米绒坑,纳米绒面能够提升多晶硅太阳电池的短路电流,相应的光电转换效率绝对值提升大于0.4%,产线均值光电转换效率超过了19.1%.结合漫反射光谱和外量子效率测试结果,改进的光电转换的原因归结为纳米绒面能够有效地诱捕短波和长波太阳光子,增强短波和长波太阳光响应.本研究证实纳米绒面多晶硅太阳电池可利用产线工艺制备且具有较高的光电转换效率,能够实现产业化.
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王灏;
董连和;
朱国栋;
张东;
张为国
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摘要:
In order to solve the two difficult problems of the poor processing controllability and the low surface ac-curacy of quartz aspheric microlens array processing, a fabrication method of quartz aspheric microlens array for turning mask is proposed. This method mainly uses single point diamond turning technology and reactive ion etching technology, studies the turning and etching properties of the mask material, and optimizes the mask material by experiment. Finally, the fabrication of an aspherical glass microlens array with an area of 5 mm×5 mm was carried out. The experimental results are compared with the expected parameters. The analysis shows that the error root mean square of the quartz glass component is 1.155 nm, and the surface accuracy error is 0.47%.%为解决石英非球面微透镜阵列加工所面临的工艺可控性差且面型精度不高这两大难点,提出了一种基于车削掩模刻蚀的石英玻璃元件制作方法.该方法主要使用了单点金刚石车削加工技术与反应离子刻蚀技术,研究了掩模村料车削及刻蚀性能,并利用实验优选出掩模村料,最后进行了面积为5 mm×5 mm石英玻璃非球面微透镜阵列的制备.通过实验结果与预期参数进行对比,分析表明,该方法制作的石英玻璃元件误差均方根为1.155 nm,面型精度误差0.47%.
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赵凡;
许伟伟;
耿海峰;
郁梅;
花涛;
卢亚鹏;
曹春海;
陈健;
吴培亨
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摘要:
在超导微波电路芯片中,通常存在影响信号传输和控制的杂散信号,利用超导悬空桥连接电路不同接地平面,可有效抑制微波线路中的寄生杂散模式.利用光刻胶作为支撑层,采用直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、深紫外曝光光刻等微加工方法,制备了连接复杂微波电路不同接地平面的悬空桥结构,并给出了制备工艺流程及悬空桥结构的低温超导特性表征.试验结果表明,该悬空桥制备工艺可用于目前比较复杂的超导平面微波电路制备.
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刘浩;
刘锦辉
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摘要:
为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响.结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大.控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸.
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范亚娟
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摘要:
氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能.采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并借助原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、表面轮廓仪表征方法对刻蚀的氮化硅薄膜进行分析.结果表明:反应气体为NH3:SiH4=40:10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显.
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苟君;
王军;
蒋亚东
- 《第一届全国太赫兹科学技术学术年会》
| 2015年
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摘要:
为增强金属薄膜的太赫兹辐射吸收性能,将NiCr薄膜制备在经过反应离子刻蚀(RIE)工艺修饰的SiO2衬底上,形成高表体比吸收薄膜.测试表明,经过RIE处理,NiCr薄膜的太赫兹辐射反射率与透射率均得到降低.RIE工艺在SiO2衬底和金属薄膜表面产生微结构,增大了NiCr薄膜的有效吸收面积.
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严婷婷;
凌俊;
杨健;
陈如龙;
张光春
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
反应离子刻蚀(Reactive ion etching,RIE)制备多晶硅太阳电池绒面技术已日趋成熟.但对于单晶,由于高能离子轰击硅片表面形成大的损伤而掩盖了RIE制绒带来的低反射率优势.本文研究了在预制绒基片上进行RIE 织构化处理,得到的硅片表面具有很好的陷光效果,平均反射率仅为6%左右.通过热氧化法改善表面损伤,发现在温度900°C下,氧化膜厚度为40 nm时,可得到较高的有效少子寿命,由此制得电池的内量子效率(IQE)、短路电流密度均有提高.
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沈军林;
严婷婷;
艾凡凡;
杨健;
陈如龙;
张光春
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米绒面,得到的硅片表面具有优良的陷光效果,硅片表面平均反射率在9%左右,淀积SiNx 减反射膜后,反射率能够降到4%左右.但在等离子强化制绒过程中,由于等离子轰击所产生的表面损伤降低了电池短波段的内量子效率(IQE),实验研究发现,通过加强淀积SiNx 减反射膜过程中的氢钝化效果、高方阻工艺等措施,可修复电池的前表面损伤,得到较高的有效少子寿命.最终在表面减反射优势明显的情况下,电池的外量子效率(EQE)大幅提升,电池转换效率较常规微米级绒面电池提升0.5%以上.
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王曦;
孙佳胤;
武爱民;
陈静;
王曦
- 《第六届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2007年
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摘要:
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100°C的生长温度降到20°C的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力,我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺,用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法,借助于SOI材料自停止刻蚀的优势,将衬底硅和埋氧去除,使得SOI的超薄顶层硅部分悬空,形成一种新型的SOI衬底.模拟结果表明,这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20%左右.
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张继成;
吴卫东;
唐永建
- 《第八届中国微米/纳米技术学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文采用低压等离子体化学气相沉积技术在硅片上制备出α∶CH薄膜,以金属铝作为掩膜,利用电子回旋共振微波等离子体反应离子刻蚀法制备微齿轮,再用化学腐蚀的办法将所制备的齿轮从硅片上剥离下来,最后清洗干净后用毛细管把微齿轮组装到一个固定的转轴上.扫描电子显微镜(SEM)测量表明,所得的微齿轮直径270μm左右,厚度12 μm左右,表面平整,侧壁陡直.
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顾盼;
刘景全;
陈迪;
孙洪文
- 《第八届中国微米/纳米技术学术年会》
| 2006年
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摘要:
摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.本文针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得的薄膜与自组装(SAMs)薄膜在浸润角、表面能、表面粗糙度等方面进行了对比.
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- 中国科学院微电子中心
- 公开公告日期:2002-07-24
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摘要:
一种70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法,本方法包括:步骤一:采用为氟化处理技术;步骤二:采用为70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真度的图形转移,并具有较强的抗腐蚀能力。
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