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机译:偏置功率对TFT应用中N槽电感耦合等离子体的刻蚀速率和二氧化硅均匀度的影响
etching rate; uniformity; ICP;
机译:偏置功率对TFT应用中N槽电感耦合等离子体的刻蚀速率和二氧化硅均匀度的影响
机译:使用自组装阳极氧化铝掩模通过电感耦合等离子体蚀刻大规模制备均匀的纳米图形硅衬底
机译:蚀刻诱导的掺杂P型GaN的抗损伤及其通过低偏压电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
机译:偏置功率对TFT应用中的N时隙电感耦合等离子体蚀刻速率和二氧化硅均匀性的影响
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度,使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体