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【2h】

Silicon Wafer Etching Rate Characteristics with Burst Width Using 150 kHz Band High-Power Burst Inductively Coupled Plasma

机译：硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度，使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体

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作者
Hisaki Kikuchi; Katsuyuki Takahashi; Seiji Mukaigawa; Koichi Takaki; Ken Yukimura;
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年度 2021
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