机译:CL SUB 2 -H SUB 2的电感耦合等离子体蚀刻工艺的优化适用于用于实现深脊异质结构的非热化INP晶片
机译:适于非热化InP晶片的Cl_2-H_2电感耦合等离子体刻蚀工艺的优化,以实现深脊异质结构
机译:通过优化的Cl_2 / Ar / N_2化学感应耦合等离子体刻蚀技术,制备InP / InGaAsP / AlGaInAs量子阱异质结构中的亚微米尺寸特征
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀制造的InP脊形波导中的过程感应机械应力
机译:基于Cl2 / H2化学和适用于非热化InP晶片的ICP刻蚀工艺开发,以实现高纵横比和垂直侧壁深脊波导和埋藏异质结构
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:Inp中深孔型光子晶体的CI2 / O2-电感耦合等离子体刻蚀
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理