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Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on
召开年:
召开地:
Princeton, NJ
出版时间:
-
会议文集:
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1.
The epitaxial growth of high electron mobility InGaAs by metalorganic chemical vapor deposition with triethylindium for InP-based HEMTS
机译:
三乙基铟金属有机化学气相沉积法制备高电子迁移率InGaAs的InP基HEMTS外延生长
作者:
Uchida M.
;
Araki G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
electron mobility;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor growth;
vapour phase epitaxial growth;
InGaAs;
InP;
InP-based HEMTS;
MOCVD;
channel layer;
electron mo;
2.
Characterization of HVPE-grown thick GaAs structures for IR and THz generation
机译:
HVPE生长的厚GaAs结构的特性,用于产生IR和THz
作者:
Lynch C.
;
Bliss D.
;
Zens T.
;
Weyburne D.
;
Jimenez J.
;
Avella M.
;
Kuo P.S.
;
Yu X.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
Hall effect;
III-V semiconductors;
carrier density;
cathodoluminescence;
gallium arsenide;
lithography;
nonlinear optics;
optical microscopy;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor growth;
vapour phase epitaxial growth;
GaAs;
HVPE-grown thick GaAs structures;
3.
Comparison of buffer material for InAs quantum dots on GaAs substrate
机译:
GaAs衬底上InAs量子点缓冲材料的比较
作者:
Shimizu H.
;
Saravanan S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
buffer layers;
elemental semiconductors;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
photoluminescence;
semiconductor quantum dots;
silicon;
GaAs;
GaAs substrate;
InAs quantum dots;
InAs-GaAs;
InAs-GaAsSb;
InAs-InGaAs;
InAs-Si;
buffer ma;
4.
Direct bonding of GaInAsP/InP membrane structure on SOI wafer
机译:
GaInAsP / InP膜结构在SOI晶片上的直接键合
作者:
Maruyama T.
;
Okumura T.
;
Sakamoto S.
;
Miura K.
;
Nishimoto Y.
;
Arai S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
annealing;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
integrated optics;
integrated optoelectronics;
membranes;
photoluminescence;
semiconductor quantum wells;
silicon-on-insulator;
spectral line breadth;
wafer bonding;
300 to 450 de;
5.
Etched gap mirror based integration of variable optical attenuator with full C-band external cavity wavelength tunable laser
机译:
基于蚀刻间隙镜的可变光衰减器与全C波段外腔波长可调谐激光器的集成
作者:
Mizutani K.
;
Sudo S.
;
Okamoto T.
;
Tsuruoka K.
;
Nielsen M.L.
;
Sato K.
;
Kudo K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
etching;
integrated optics;
integrated optoelectronics;
laser cavity resonators;
laser mirrors;
laser tuning;
monolithic integrated circuits;
optical attenuators;
optical communication equipment;
optical fibre communication;
reflectivity;
semiconductor lasers;
4 to;
6.
Feature size effects in Ar/Cl/sub 2/ chemically assisted ion beam etching of InP-based photonic crystals
机译:
InP基光子晶体的Ar / Cl / sub 2 /化学辅助离子束蚀刻中的特征尺寸效应
作者:
Berrier A.
;
Mulot M.
;
Talneau A.
;
Anand S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
photonic crystals;
sputter etching;
surface chemistry;
surface roughness;
Ar-ion sputtering;
InP-based photonic crystals;
bottom roughness;
chemically assisted ion beam etching;
etch depth;
etch limiting aspect ratio;
feature;
7.
High compositional uniformity of epitaxial InGaAlAs on InP grown by MOVPE for uncooled laser diode
机译:
MOVPE在非冷却激光二极管上生长InP上外延InGaAlAs的高成分均匀性
作者:
Shimizu E.
;
Nakamura M.
;
Momoi H.
;
Ikeda E.
;
Sugawara S.
;
Nakata H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
Debye temperature;
III-V semiconductors;
MOCVD;
aluminium compounds;
chemical analysis;
gallium arsenide;
indium compounds;
photoluminescence;
quantum well lasers;
semiconductor growth;
semiconductor quantum wells;
vapour phase epitaxial growth;
1310 nm;
2 inch;
25 to;
8.
InP etching by chlorine ICP plasma for photonic crystal applications: experiments and simulations
机译:
氯ICP等离子体在光子晶体应用中的InP蚀刻:实验和模拟
作者:
Rhallabi A.
;
Liu B.
;
Landesman J.P.
;
Lecler J.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
Langmuir probes;
discharges (electric);
dissociation;
indium compounds;
ionisation;
optical fabrication;
photonic crystals;
plasma chemistry;
plasma density;
plasma kinetic theory;
plasma materials processing;
plasma simulation;
plasma temperatu;
9.
InP on silicon electrically driven microdisk lasers for photonic ICs
机译:
用于光子IC的InP on Silicon Electric Microdisk Lasers
作者:
Romeo P.R.
;
Van Campenhout J.
;
Regreny P.
;
Mandorlo F.
;
Seassal C.
;
Letartre X.
;
Hollinger G.
;
Van Thourhout D.
;
Baets R.
;
Fedeli J.M.
;
Di Cioccio L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
elemental semiconductors;
indium compounds;
integrated optics;
microdisc lasers;
silicon;
1.5 mA;
InP-Si;
InP-on-silicon;
electrically driven laser;
microdisk laser;
microlaser;
photonic IC;
10.
Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE
机译:
窄条选择性MOVPE生长的无氧化物InGaAlAs波导的研究
作者:
Feng W.
;
Pan J.Q.
;
Zhou F.
;
Zhao L.J.
;
Zhu H.L.
;
Wang W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
aluminium compounds;
diffusion;
gallium arsenide;
indium compounds;
interface structure;
masks;
optical waveguides;
photoluminescence;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor growth;
silicon compounds;
spectral line breadth;
surface;
11.
Low-threshold quantum-cascade lasers without injector regions, emitting at /spl lambda/ /spl sim/ 6.7 /spl mu/m
机译:
没有注入器区域的低阈值量子级联激光器,发射波长为/ spl lambda / / spl sim / 6.7 / spl mu / m
作者:
Friedrich A.
;
Boehm G.
;
Amann M.-C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
phonons;
quantum cascade lasers;
stimulated emission;
10 V;
300 K;
380 K;
6.7 mum;
77 K;
LO-phonon resonance;
five-level staircase design;
laser design;
low-threshold lasers;
pulsed mode;
quantum-cascade lasers;
12.
Minimum emitter charging time for heterojunction bipolar transistors
机译:
异质结双极晶体管的最小发射极充电时间
作者:
Machida N.
;
Miyamoto Y.
;
Furuya K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
heterojunction bipolar transistors;
technology CAD (electronics);
TCAD software;
charge-control analysis;
emitter design;
heterojunction bipolar transistors;
minimum charging time;
minimum emitter charging time;
single n+ doped emitter layer;
transmission formali;
13.
Narrow stripe membrane BH-DFB lasers with surface corrugation for stable single-mode operation
机译:
具有表面波纹的窄条纹膜BH-DFB激光器可实现稳定的单模运行
作者:
Sakamoto S.
;
Kawashima H.
;
Naitoh H.
;
Tamura S.
;
Maruyama T.
;
Arai S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
absorption coefficients;
distributed feedback lasers;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
laser cavity resonators;
laser modes;
laser stability;
optical pumping;
semiconductor lasers;
0.6 mum;
0.69 mW;
1.0 mum;
120 mum;
17 muA;
2;
14.
Novel tunable DFB laser with separated high coupling coefficient gratings
机译:
具有分离的高耦合系数光栅的新型可调谐DFB激光器
作者:
Nunoya N.
;
Shibata Y.
;
Ishii H.
;
Okamoto H.
;
Kawaguchi Y.
;
Kondo Y.
;
Oohashi H.
;
Kato K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
diffraction gratings;
distributed feedback lasers;
etching;
laser tuning;
semiconductor lasers;
DFB laser;
current tuning;
deep corrugations;
dry etching;
gratings;
high coupling coefficient;
semiconductor lasers;
shallow wet chemical etching;
slow speed regrowth;
tun;
15.
Polarization characteristics of Sb-introduced Ga(In)As covered InAs quantum dots
机译:
Sb引入的Ga(In)As覆盖的InAs量子点的极化特性
作者:
Matsuura T.
;
Miyamoto T.
;
Koyama F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
indium compounds;
light polarisation;
photoluminescence;
semiconductor quantum dots;
InAs-GaInAsSb;
MBE;
Sb-introduced Ga(In)As covered InAs quantum dots;
in-plane direction;
optical quality;
photoluminescence;
polarization;
16.
Reduced features two-dimensional photonic crystals on InP-based materials etched using Cl/sub 2//Ar inductively coupled plasma
机译:
使用Cl / sub 2 // Ar电感耦合等离子体刻蚀的InP基材料上的特征简化的二维光子晶体
作者:
Lee K.H.
;
Guilet S.
;
Sagnes I.
;
Talneau A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
optical fabrication;
optical losses;
optical waveguides;
photonic crystals;
sputter etching;
2.8 mum;
240 nm;
InP;
InP-based materials;
W3 InP/InGaAsP/InP photonic crystal waveguide;
etching;
inductively coupled plasma;
propagat;
17.
Re-growth of transistors on implanted InP
机译:
注入的InP上的晶体管重新生长
作者:
Rajavel R.D.
;
Chen M.Y.
;
Royter Y.
;
Li J.C.
;
Bui S.S.
;
Chow D.H.
;
Sokolich M.
;
Hussain T.
;
Hitko D.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
annealing;
capacitance;
elemental semiconductors;
ellipsometry;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
ion implantation;
optical microscopy;
semiconductor doping;
semiconductor growth;
silicon;
surface topography;
InP implan;
18.
Stacking of InAs/GaAs QDs with less strain by using growth interruption
机译:
通过生长中断以较少的应变堆叠InAs / GaAs QD
作者:
Saravanan S.
;
Shimizu H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
atomic force microscopy;
gallium arsenide;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
15 sec;
293 to 298 K;
GaAs;
GaAs (100) substrate;
InAs-GaAs;
InAs/GaAs QD stacking;
19.
State of the art low power (42 mW per flip-flop) 150 GHz+ CML static divider implemented in scaled 0.2 m emitter-width InP DHBTs
机译:
先进的低功率(每个触发器42 mW)150 GHz + CML静态分频器,以按比例缩放的0.2 m发射极宽度InP DHBT实现
作者:
Hitko D.A.
;
Hussain T.
;
Matthews D.S.
;
Rajavel R.D.
;
Milosavljevic I.
;
Sokolich M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
clocks;
flip-flops;
frequency dividers;
gallium arsenide;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
logic circuits;
150 GHz;
42 mW;
InP-InGaAs-InP;
InP/InGaAs/InP DHBT technology;
current mode logic divider;
double heterostructure bi;
20.
Ultra fast Gunn effect at THz frequencies in HEMTs
机译:
HEMT中THz频率的超快Gunn效应
作者:
Mateos J.
;
Perez S.
;
Pardo D.
;
Gonzalez T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
Gunn devices;
Gunn effect;
Monte Carlo methods;
ballistic transport;
high electron mobility transistors;
oscillations;
80 nm;
InAlAs-InGaAs;
InAlAs/InGaAs HEMT;
Monte Carlo simulations;
ballistic electrons;
drain-source bias;
drift velocity;
emission spectra;
gate-dra;
21.
IPRM 2006 conference committee
机译:
IPRM 2006会议委员会
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
22.
High Modal Gain 9- and 12- Layer InAs/InP Quantum Dash Lasers Emitting at 1.55 ;C;m.
机译:
高模增益9和12层InAs / InP量子破折号激光器,发射功率为1.55; C; m。
作者:
Moreau G.
;
Merghem K.
;
Cong D.
;
Patriarche G.
;
Lelarge F.
;
Rousseau B.
;
Dagens B.
;
Poingt F.
;
Accard A.
;
Pommereau F.
;
Ramdane A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
23.
Gate Sinking Effect of 0. 1 ;C;m InP HEMT MMICs Using Pt/Ti/Pt/Au
机译:
使用Pt / Ti / Pt / Au的0. 1; C; m InP HEMT MMIC的栅极下沉效应
作者:
Chou Y.C.
;
Lai R.
;
Leung D.
;
Kan Q.
;
Farkas D.
;
Eng D.
;
Wojtowicz M.
;
Chin P.
;
Block T.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
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