湿法刻蚀

摘要： 采用由质子交换辅助湿法刻蚀技术,在Z切铌酸锂晶体上成功制备锥形脊波导.该波导脊高为1.2μm、脊宽从4μm增大至8μm,插入损耗4.4 dB.波导表面光滑,表面粗糙度为0.84 nm,没有出现塌边或横向刻蚀的现象.波导宽度从4μm增大至8μm,模式尺寸在水平方向上从4.3μm增大至6.8μm,在垂直方向上从3.2μm增大至5.6μm.当波导宽度增大时模场尺寸也增大,实现小模场与大模场之间的转换.

摘要： 阻变器件是一种微电子器件,具有阻值可在两个甚至两个以上的阻态之间重复变化的特点。忆阻器作为新型的阻变器件,具有可连续变化的丰富阻态。近年来因其具备简单的二端结构、高集成度以及低工作电压等特性,在新型非易失性存储以及构建神经形态系统等方面被广泛研究。但其在实现应用的过程中仍存在着稳定性较差等问题。近期一些工作证明了二维材料如氧化石墨烯在优化忆阻器性能方面具备良好的应用潜力。MXene是一种具备类似石墨烯结构的新型二维过渡金属碳/氮化物,因其具备二维层状结构显现出特殊的力学以及电学特性,有望应用于忆阻器中以提高器件的电学性能。在本文中,我们通过化学湿法刻蚀制备了Ti_(3)C_(2)粉末,通过旋涂工艺在忆阻器结构中引入Ti_(3)C_(2)薄膜。Ti_(3)C_(2)MXene与SiO_(2)同时作为忆阻器阻变层,制备了Cu/Ti_(3)C_(2)/SiO_(2)/W结构的忆阻器,并且对其相关电学特性进行了探究。在该器件上,通过实验测得忆阻器典型的开关特性曲线并在双向直流电压下针对高、低阻态的可重复性、稳定性进行了实验。结果表明该器件能够在100个扫描循环过程中保持稳定的高、低阻态达到10^(4) s以上。同时,该器件状态能够受脉冲电压调节,实现突触间典型的双脉冲易化行为。实验结果表明基于Ti_(3)C_(2)MXene的忆阻器将有望应用于构建新兴存储设备以及人工神经形态系统。

摘要： 东南大学孙立涛教授团队及合作者在可视化原子尺度制造原理及工艺方面取得进展。相关研究成果以Solid-liquid-gas reaction accelerated by gas molecule tunneling-like effect为题,于2022年5月26日发表在《自然·材料》(Nature Materials)期刊上。湿法刻蚀广泛应用于半导体制造等重要领域,但湿法刻蚀方向选择性有限,很难得到尺寸精确可控的微纳结构。而当前7 nm、5 nm等先进晶体管器件对于内部金属、半导体和介电层等结构的几何尺寸具有亚纳米级的严苛精度要求。

摘要： 在太阳电池制备过程中,刻蚀工序作为扩散工序后去除硅片p-n结的重要工序,除了具有将p区与n区断开防止正负极短路的作用外,还会对硅片背面绒面的状态产生影响,尤其是此工序后续还会影响“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的电性能。湿法刻蚀工艺中刻蚀液的配比不同,对抛光后硅片背面的绒面形貌产生的影响也会不同,从而会影响太阳电池对不同波段太阳光的利用率,导致制备的“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率存在差异。研究了湿法刻蚀工艺中不同刻蚀液配比条件下硅片背面的绒面形貌及反射率的变化规律,通过优化刻蚀液配比达到刻蚀后硅片背面绒面形貌及反射率的最佳状态,最终实现“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率提升0.05%。

摘要： 微机电系统(MEMS)是基于集成电路和微机械加工技术发展起来的机械系统,本文阐述了国内外微机电系统发展的情况,论述了微机电系统制造技术的种类、方法、材料及应用领域,总结了湿法刻蚀、干法深刻蚀、表面微加工三种常用的MEMS加工工艺的原理、加工方法及应用,并基于目前的加工技术与应用现状对MEMS加工工艺的未来进行展望,提出从利用负压技术、刻蚀溶液或刻蚀气体的选择、调整循环速率等方向进行研究,从而改进MEMS加工工艺,实现微机电系统的突破发展。

摘要： ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成.明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要.本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响.实验结果表明:仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强.在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间.但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强.该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考.

摘要： 作为最基本的微光学元件,微透镜在多个领域都有非常广泛的潜在应用,然而常见的面向透明硬脆材料微透镜的制备方法效率低下,且对作业环境的要求较高,极大地限制了透明硬脆材料微透镜阵列的大面积制备.空间光调制器作为一种对光场进行调制的设备,可以方便地实现多焦点或者结构化的光场,在光通讯、激光加工等领域具有重要的应用潜力.本文介绍了利用飞秒激光烧蚀结合湿法刻蚀制备硬脆材料微透镜阵列的基本方法,并系统地分析了影响所制备微透镜形貌的关键因素.通过在加工过程中对聚焦光斑的数量和位置进行精细调控,极大地提高了透明硬脆材料微透镜阵列的加工效率,且可以在加工过程中动态地调整飞秒激光烧蚀改性的形貌,从而实现不同尺寸微透镜阵列的高速制备,展现了空间光场调制技术在微光子集成芯片加工领域的应用前景.

摘要： 利用飞秒激光辅助刻蚀技术,在蓝宝石表面实现了周期、占空比及高度可调的光栅结构。解决了飞秒激光加工硬脆材料时表面质量较差、碎屑堆积导致的加工精度降低和难以制备深结构的问题。蓝宝石光栅结构的粗糙度从78 nm(激光直写后)降低到了7 nm(干法刻蚀后),实现了周期为800 nm光栅,以及深宽比为4的蓝宝石微结构的制备。飞秒激光辅助刻蚀技术能够制备蓝宝石表面高平滑光栅,并对光栅各级次衍射效率进行提升。

摘要： 研发一种能监测二氧化硅刻蚀的高频单面无极石英晶体微天平(H-S-ES-QCM)传感装置,该检测装置是基于单片机控制DDS数字发生器产生正弦波信号对无极石英晶体进行扫描激励,通过相敏检波对其谐振频率信号采集的一种分析系统.H-S-ES-QCM可实现对二氧化硅刻蚀实时监测,其使用工作频率在100 MHz的压电石英晶体作为传感原件,理论上,当H-S-ES-QCM检测系统噪声误差在20 Hz时,灵敏度可达到0.89 ng/cm2,检测下限达到3.36×10-8 cm.实验结果显示,当厚度变化为1 nm时,对应的近6,000 Hz的频率变化,能够高灵敏地检测到亚纳米级厚度二氧化硅的刻蚀,以及重现性偏差在3％以内,有着优良的重现性,表明了H-S-ES-QCM传感系统在在半导体湿法刻蚀领域中具有推广应用价值.

摘要： 基于目前主流的选择性发射极-钝化发射极及背接触(SE-PERC)单晶硅太阳电池生产工艺,针对不同硅片厚度在太阳电池制备过程中的表现进行分析、验证及优化.研究结果表明,硅片厚度减薄对湿法刻蚀工艺后硅片的减重、硅片背面抛光效果均有显著的不良影响,而且采用管式PECVD工艺沉积的SiNx薄膜的厚度也出现变薄的现象.若太阳电池制备过程中采用薄硅片,则需对湿法刻蚀工艺和管式PECVD工艺进行预先调节,对自动化设备预先做出相应调整,从而可保证产线的顺利运作.

摘要： 制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CHCOOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。

摘要： 玻璃腐蚀工艺是MEMS工艺的重要方面.本文对PYREX 7740玻璃湿法刻蚀进行研究,提出了利用铬膜和光刻胶作为掩膜,进行一次光刻、多次坚膜、多次腐蚀的工艺方法.该方法可以使掩膜耐蚀时间达到200多分钟,且能腐蚀出表面平整、线条清晰的十多微米的深槽.实验还得出玻璃的腐蚀速率和温度的关系以及光刻胶的耐蚀时间和温度之间的关系.

摘要： 本文提出了一种基于硅基MEMS工艺的THz圆极化四元阵列天线,对MEMS干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术进行了综合应用.通过对角锥喇叭单元进行锥形排布,降低天线副瓣.一个外置的圆极化栅使阵列具有较好的圆极化特性——在中心频率0.45THz处,3dB圆极化带宽达到7.8％.同时进一步降低了副瓣,提升了天线的辐射特性.这种高增益的圆极化阵列天线,对于THz成像系统具有很高的应用价值.

摘要： 室温直流磁控溅射Al2O3掺杂3wt%的ZnO靶材制备了厚度～1μm,结晶度高、表面平整光滑的ZnO:Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO:Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。研究结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响,经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7、8.8和8.6mΩ·cm,透光率略有下降,从80%分别下降到76%、77%和78%。0.5%的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。rn 薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶。在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留。在王水中刻蚀图案清晰且无残留。

摘要： 本文利用溶胶凝胶法合成了有机/无机杂化电光材料，采用光刻、湿法刻蚀、蒸镀铝膜等平面光波导制作工艺，制备了加载条形结构的极化聚合物分束器和3×3多模干涉光波导，并成功进行了近场输出光斑测试。

摘要： 利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,实现了太阳盲MgZnO导弹羽焰光电探测器,在10V偏压下,器件的探测峰值位于250nm,截止边为273nm。已经从截止波长和覆盖波段上满足军事上的要求。

摘要： 利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了深紫外MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm。

摘要： 本文将单晶硅片的湿法刻蚀工艺与微电铸掩膜制备技术及刻蚀液体系的研制相结合，为工业规模生产微通道散热器及微热管提供了一种实用的先进高技术工艺，所研制的样品，其肋片厚度、间隙均小于50微米，结构深宽比大于10；在硅硼玻璃上所加工的沟槽底部粗糙度＜0.5um，深度>220um；散热片与导水板的键合强度最高能够承受6个大气压的高压水流。可以为国内这方面的器件研究提供可靠的加工技术服务。

摘要： 针对当前薄膜太阳电池对光管理的迫切需求,本文采用磁控溅射及后腐蚀技术制备获得了高性能绒面铝掺杂氧化锌前电极.深入分析了氧化锌多晶薄膜厚度及腐蚀时间对绒面结构及陷光特性的影响.研究结果表明,随多晶薄膜厚度的增加,晶粒尺寸增大,腐蚀后获得的弹坑状表面结构的粒径亦随之增大,绒度增大；随后腐蚀时间的增加,弹坑状粒径及绒度均具有先增大而后趋于饱和的趋势.当沉积氧化锌多晶薄膜初始厚度达2μm时,获得的薄膜电阻率小于3×10-4 Ωcm,经180s 稀盐酸(0.5%)腐蚀后,绒面氧化锌的均方根粗糙度达143 nm,400-1100 nm 平均透过率达81.4%,在500 nm 处绒度为84.3%,750 nm 处绒度可达73.8%,方块电阻小于5 Ω/sq,满足了硅基薄膜叠层电池对前电极的光电性能需求.

摘要： 针对当前薄膜太阳电池对光管理的迫切需求,本文采用磁控溅射及后腐蚀技术制备获得了高性能绒面铝掺杂氧化锌前电极.深入分析了氧化锌多晶薄膜厚度及腐蚀时间对绒面结构及陷光特性的影响.研究结果表明,随多晶薄膜厚度的增加,晶粒尺寸增大,腐蚀后获得的弹坑状表面结构的粒径亦随之增大,绒度增大；随后腐蚀时间的增加,弹坑状粒径及绒度均具有先增大而后趋于饱和的趋势.当沉积氧化锌多晶薄膜初始厚度达2μm时,获得的薄膜电阻率小于3×10-4 Ωcm,经180s 稀盐酸(0.5%)腐蚀后,绒面氧化锌的均方根粗糙度达143 nm,400-1100 nm 平均透过率达81.4%,在500 nm 处绒度为84.3%,750 nm 处绒度可达73.8%,方块电阻小于5 Ω/sq,满足了硅基薄膜叠层电池对前电极的光电性能需求.

摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，属于半导体制造领域，方法包括：将一晶圆竖直的送入刻蚀液，并经过一预定制程时间后，将所述晶圆竖直送出所述刻蚀液；其中，于所述晶圆完全进入所述刻蚀液后，使所述晶圆以所述晶圆的中心为轴旋转一预定角度；装置包括：传送装置、转动装置、第一控制装置、第二控制装置。上述技术方案的有益效果是：晶圆的上下部分互换，当制程时间结束以后，传送装置传送晶圆离开刻蚀液容器时，晶圆表面先浸入刻蚀溶液的下半部分先于后浸入刻蚀溶液的上半部分结束刻蚀制程，使得上下半部蚀刻量互补，有效改善了晶圆表面蚀刻的均匀度，减少了报废的风险。

摘要： 本发明提供一种用于湿法刻蚀的喷嘴，喷嘴的进液口为桶状，所述进液口的开口端与刻蚀液体传输端连接，所述进液口的底面上设置有间隔排布的第一通孔；所述出液面上设置有间隔排布的第二通孔，所述第二通孔与第一通孔一一对应，所述第一通孔与第二通孔之间为连接管道，沿所述出液面的中轴线至两边方向上，所述连接管道与出液面的夹角依次减小。这样，使得从喷嘴中喷出的液体呈发射状，到达晶片表面的刻蚀液体的范围增大，尤其是在晶片边缘时，利于刻蚀液体的及时补充，保证晶片中心和晶片边缘的刻蚀率的一致性，从而，提高晶片的良率。

摘要： 本发明提供一种于湿法刻蚀的干燥喷嘴，在传输干燥气体的喷嘴中设置加热装置，同时，通过温度检测装置检测导气管中气体的实际温度，并通过温度控制单元根据实际温度和目标温度进行加热控制，从而达到精确控制喷向晶片的干燥气体的温度的目的。通过该干燥喷嘴，实现气体温度的精确控制，从而达到干燥工艺的要求，提高晶片良率。

摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置，涉及湿法刻蚀技术领域，解决了现有湿法刻蚀设备的腔体的抽换气系统调节能力有限，无法在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下，保证腔体内的压力平衡，从而导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部，对技术人员造成伤害，对环境造成污染的技术问题。该湿法刻蚀排气系统包括：抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体；其中，抽换气管道与所述腔体相连，真空罩体与所述抽换气管道相连；抽换气管道通过第一阀控单元与腔体连通，抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。本发明应用于湿法刻蚀。

摘要： 本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元。湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。

摘要： 本发明提供一种金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置，通过在金属硅化层的湿法刻蚀过程中对酸槽内的刻蚀液进行光照，可以催化产品金属硅化层在刻蚀液中的反应，从而可以补偿因刻蚀液的使用时间增加而降低的刻蚀速率。进一步的，根据所述酸槽内的刻蚀液的使用时间实时调整所述光照的强度，可以实时调整所述产品金属硅化层的刻蚀速率，由此，可使得刻蚀速率较稳定，从而解决因刻蚀液的使用时间增加而导致的刻蚀速率不稳定的问题。

摘要： 本发明涉及一种用于湿法刻蚀的带液滚轮及其湿法刻蚀方法，属于太阳能电池制作技术领域，解决了现有技术中太阳能电池制作过程中滚轮水平异常的问题。本发明的用于湿法刻蚀的带液滚轮包括第一端轴(110)、第二端轴(120)和带液轴(130)，第一端轴(110)和第二端轴(120)分别位于带液轴(130)的两端，第一端轴(110)、第二端轴(120)与带液轴(130)同心设置，第一端轴(110)和第二端轴(120)的直径均能够调节。本发明的带液轴的两端轴直径可调，当带液滚轮两端磨损或刻蚀槽加工精度导致的滚轮水平异常时，保证带液滚轮在支架上的水平状态，在保证太阳能电池刻蚀过程质量的同时，大大降低湿法刻蚀设备的运行成本。

摘要： 本发明涉及湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法，涉及半导体集成电路制造设备，在可再使用的湿法刻蚀药液回收的过程中，先将可再使用的湿法刻蚀药液回收到预混合腔体中，并在预混合腔体将其温度调整到期望值，避免了传输过程中温度的降低，且在预混合腔体将回收的湿法刻蚀药液与其它药液混合，因此也避免了传输过程中氧气或水蒸气对湿法刻蚀药液的影响，而提高刻蚀速率和稳定性。

摘要： 本实用新型涉及硅片生产制造技术领域，公开一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。该硅片湿法刻蚀用槽体结构包括槽体、溢流组件和调节螺栓，槽体内盛装有刻蚀溶液；溢流组件包括固定板和活动板，固定板设置于槽体的槽壁上，活动板上设置有容纳槽，活动板可上下活动地设置于容纳槽内，活动板上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔；调节螺栓能旋拧于第一螺纹孔内并抵接于容纳槽的槽底；或者容纳槽的槽底对应第一螺纹孔设置有第二螺纹孔，调节螺栓依次穿设于第一螺纹孔和第二螺纹孔内。所述硅片湿法刻蚀用槽体结构，结构简单，只需要旋拧调节螺栓即可实现活动板与固定板之间相对位置的调节，从而起到调节槽体内刻蚀溶液的液面高度的效果。

摘要： 本实用新型提供了一种用于湿法刻蚀工艺的夹具和湿法刻蚀装置。具体的，本实用新型提供的用于湿法刻蚀工艺的夹具，其是基于现有的8英寸硅片的湿法刻蚀装置中的半高片架的外部特性，设计的一款与该8英寸硅片的湿法刻蚀装置的半高片架配套的夹具，即，基于半高片架的U面双孔把手，设计了一款与所述U面双孔把手可连接的手柄式专用夹具(吊架)，通过将该手柄式专用夹具设置在半高片架外侧的一侧面的方式，解决了8英寸硅片的湿法刻蚀装置中的半高片架对片架上方空间要求比较大，且8英寸片架相应面积大、份量重的问题。