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公开/公告号CN107591348B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201710784748.9
发明设计人 吴良辉;蒋阳波;李君;张静平;游晓英;
申请日2017-08-31
分类号H01L21/67(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人党丽;王宝筠
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 11:45:52
机译: 一种用于III族氮化物和器件的补充电导率选择性湿法刻蚀制造方法
机译: 一种用于湿法刻蚀半导体晶片以通过底切产生限定的边缘区域的方法
机译: 用于制造作为光伏电池的半导体设备的电触点的方法,该方法包括涉及介电层的激光刻蚀和湿法刻蚀的步骤
机译:两步栅凹工艺,用于基于InAl的InAl基HEMT的选择性湿法刻蚀和数字湿法刻蚀
机译:一种新颖的基于湿法刻蚀的具有深沟槽的双面中介层结构,用于3-D异质集成
机译:TiNi牺牲层湿法刻蚀工艺在纳米机电设备中的应用
机译:摆动喷嘴单晶片湿法刻蚀数值计算模型。
机译:设计和开发用于研究小型燃气轮机燃料喷嘴中喷气燃料焦化的实验设备。
机译:聚二甲基硅氧烷湿法刻蚀用于微针阵列和高纵横比微柱的三维制造
机译:用于纳米技术中器件制造的各向异性湿法刻蚀工艺的水平集模拟
机译:用于CE-22高级喷嘴测试设备中六组件推力支架校准的数据压缩方程的推导