薄膜晶体管

摘要： 目前,关于氧化物薄膜晶体管(TFT)的报道大部分是关于n型的。为进一步扩大集成电路的应用范围,需要制造稳定、高性能的P型氧化物TFT。传统的真空镀膜技术依赖于昂贵的设备、苛刻的真空环境等,不仅增加了生产成本,而且不利于大面积器件的制备。溶胶-凝胶法工艺成本低,操作简单,易实现大规模制备。文章重点阐述了溶胶-凝胶法和几种典型P型氧化物半导体材料,并介绍了其典型的应用领域。

摘要： 建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×10^(19)cm^(-3)·eV^(-1)及以上时,器件电学特性受深陷阱态影响劣化,亚阈值摆幅增加;沟道层薄膜厚度较小(<40 nm)时,器件的转移特性良好,当沟道层薄膜厚度超过40 nm时,器件的电学特性劣化,关态电流增加,开关比降低,亚阈值摆幅增加.本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导.

摘要： 当前,硅基柔性薄膜晶体管(TFT)的技术应用比较广泛,基于氧化物的柔性薄膜晶体管(TFT)技术也正在快速发展。有机电致发光层(OLED)是柔性器件的关键,提高柔性OLED器件封装的质量是未来技术研究的重点。对此,文章主要介绍了柔性OLED器件的特点,以及柔性OLED器件的衬底材料、薄膜晶体管、透明电极等,为构建高性能柔性OLED器件提供有效途径与保障。技术和成本仍是制约柔性OLED发展的主要因素,文章对柔性OLED的发展趋势进行了阐述。

摘要： 使用磁控溅射设备在室温下以p-Si为衬底的SiO2上沉积氧化锌掺杂镓(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件。研究过程中,分别使用原子力显微镜和扫描电子显微镜观测薄膜的表面形貌,使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能。实验表明,相比于纯ZnO薄膜,氧化锌掺杂镓之后的薄膜表面形貌较为平整,粗糙度较低,薄膜表面晶粒致密,结膜质量有所改善。并计算得出GZO薄膜的亚阈值摆幅为3.5V·dec^(-1),阈值电压为23.5V,开关电流比为4.73×10^(5),迁移率为6.29cm^(2)•V-1s^(-1),界面态陷阱密度为1.19×10^(13)cm^(-2)eV^(-1)。

摘要： 室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.实验结果表明,薄膜厚度为47 nm时,薄膜表面粗糙度最低,薄膜沉积质量最好.当IGZO有源层的厚度为47 nm时,界面陷阱态密度最小,器件的电学性能最佳,迁移率为1.71 cm^(2)/(V·s),阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为2 V/dec,开关电流比达到7.83×10^(7).

摘要： 有源矩阵触摸屏内部集成了薄膜晶体管(TFT),用于控制触摸点的通断。针对现有有源矩阵触摸屏驱动电路输出电压只有+5 V及-5 V,且无法根据实际情况动态调节输出电压来满足薄膜晶体管高响应度的问题,设计了一种关于TFT触摸屏的驱动电路。其可以根据触摸屏中不同类型薄膜晶体管的导通特性动态输出范围为+5~+15 V的导通电压和-15~-5 V的关断电压。最后通过搭建测试验证平台进行测试,有源矩阵触摸屏驱动电路的同一通道可以输出正向和反向电压,且可以根据薄膜晶体管的工作状态动态调节输出电压的大小,验证了驱动电路的功能。

摘要： 通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备.研究了N_(2)O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究.结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性.高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以有效抵抗铝酸的刻蚀,未发现明显的成分偏析现象.进一步的X射线光电能谱测试表明,N_(2)O等离子体处理能在界面处形成一个富氧、低载流子浓度的界面层.其一方面可以有效抵抗器件在沉积氧化硅钝化层时等离子体对背沟道的损伤;另一方面作为氢的钝化体,抑制了低能级施主态氢的产生,为低成本、高效的薄膜晶体管性能优化方式提供了重要参考.

摘要： 以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制。该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm^(2)/(V·s),阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×10^(5),工作电压低至3 V。研究表明,在偏压应力作用下,该ZnO-TFT器件电性能存在一定的不稳定性,我们认为栅偏压应力引起的电性能变化可能来源于栅介质附近及界面处的正电荷聚集、充放电效应和新陷阱态的复合效应;漏偏压应力引起的电性能变化可能来源于焦耳热引起的氧空位及沟道中的电子陷阱。

摘要： TFT-LCD行业中,破片一直是影响产品良品率的重要因素之一。本文以8.5G CF面板为基础,将PDCA品质工具应用于TFT-LCD破片率降低应用中,对TFT-LCD破片率降低进行界定、测量、分析、改进和控制,从而优化生产线工艺工况,完善生产管理措施,达到降本增效的作用。TFT-LCD即薄膜晶体管、液晶显示器,制造过程中下设阵列、彩膜、成盒、膜组四大工艺。本文以CF工艺为依托,开展探究分析。所谓的彩色滤光片由玻璃基板、黑色矩阵、颜色层、保护层及ITO导电膜等部分组成。

摘要： 在室温条件下使用射频磁控溅射设备在100 nm热氧化SiO_(2)上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件.研究薄膜沉积过程中氧氩比对GZO薄膜及器件的影响.使用紫外可见分光光度计表征薄膜的光学特性,通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同氧氩比条件沉积的GZO薄膜在可见光区的平均透过率均在90%以上.合适的氧氩比可以降低氧空位缺陷,使薄膜的陷阱态密度最小,当氧氩比为10∶90时GZO器件的电学性能达到最佳,迁移率为0.82 cm^(2)/Vs,阈值电压为5.01 V,亚阈值摆幅为2.51 V/dec,开关电流比达到1.27×10^(7).

摘要： Cu/Mo金属膜层图案化是薄膜晶体管(TFT)技术的关键问题;为了得到合格的TFT器件,一般需要刻蚀后Gate层金属图案的taper:45～55°,无undercut,无钼残,Single CD loss=1um条件下的刻蚀时间90～180s;本文从蚀刻液稳定性、铜/钼金属膜质、黄光制程条件、蚀刻方式四个方面探究其对刻蚀规格的影响.研究结果表明:刻蚀液PH:3.5～4.5,刻蚀液中铜离子浓度＜8000ppm;铜钼金属膜质适当疏松;黄光制程中光阻图案采用后烘烤;蚀刻采用喷淋模式压力为2.6KG/cm2条件下可以得到符合规格的Cu/Mo金属图案.

摘要： 热收缩是LTPS-TFT玻璃基板的重要性能参数.本研究通过对LTPS-TFT玻璃基板产品进行热收缩测试,介绍了热收缩测试的原理和方法;探讨了影响玻璃基板热收缩的主要因素;表明热收缩随板厚的增加而降低;热收缩随着玻璃基板退火点、应变点的升高而降低.

摘要： 热收缩是LTPS-TFT玻璃基板的重要性能参数.本研究通过对LTPS-TFT玻璃基板产品进行热收缩测试,介绍了热收缩测试的原理和方法;探讨了影响玻璃基板热收缩的主要因素;表明热收缩随板厚的增加而降低;热收缩随着玻璃基板退火点、应变点的升高而降低.

摘要： 热收缩是LTPS-TFT玻璃基板的重要性能参数.本研究通过对LTPS-TFT玻璃基板产品进行热收缩测试,介绍了热收缩测试的原理和方法;探讨了影响玻璃基板热收缩的主要因素;表明热收缩随板厚的增加而降低;热收缩随着玻璃基板退火点、应变点的升高而降低.

摘要： 热收缩是LTPS-TFT玻璃基板的重要性能参数.本研究通过对LTPS-TFT玻璃基板产品进行热收缩测试,介绍了热收缩测试的原理和方法;探讨了影响玻璃基板热收缩的主要因素;表明热收缩随板厚的增加而降低;热收缩随着玻璃基板退火点、应变点的升高而降低.

摘要： 接触角是衡量材料表面性能的重要参数,由水滴角度来间接分析玻璃表面疏水程度,判断TFT-LCD玻璃基板表面防污力和清洗药液等脏污残留情况.本文阐述了接触角测试原理及接触角测试仪测量接触角的方法.

摘要： 接触角是衡量材料表面性能的重要参数,由水滴角度来间接分析玻璃表面疏水程度,判断TFT-LCD玻璃基板表面防污力和清洗药液等脏污残留情况.本文阐述了接触角测试原理及接触角测试仪测量接触角的方法.

摘要： 接触角是衡量材料表面性能的重要参数,由水滴角度来间接分析玻璃表面疏水程度,判断TFT-LCD玻璃基板表面防污力和清洗药液等脏污残留情况.本文阐述了接触角测试原理及接触角测试仪测量接触角的方法.

摘要： 接触角是衡量材料表面性能的重要参数,由水滴角度来间接分析玻璃表面疏水程度,判断TFT-LCD玻璃基板表面防污力和清洗药液等脏污残留情况.本文阐述了接触角测试原理及接触角测试仪测量接触角的方法.

摘要： 接触角是衡量材料表面性能的重要参数,由水滴角度来间接分析玻璃表面疏水程度,判断TFT-LCD玻璃基板表面防污力和清洗药液等脏污残留情况.本文阐述了接触角测试原理及接触角测试仪测量接触角的方法.

摘要： 本发明的第一目的在于提供一种在层叠了金属层与聚酰亚胺层的具有挠性的基板上制作TFT时，可抑制因金属箔表面凹凸所造成的TFT电气性能劣化，并可抑制TFT的剥离或裂痕的挠性装置用基板。此外，本发明的第二目的在于提供一种表面平滑性优异、可抑制薄膜元件的特性劣化的薄膜元件用基板及其制造方法。本发明还提供一种挠性装置用基板，其特征在于，具有：金属箔；形成于上述金属箔上，并含有聚酰亚胺的平坦化层；与形成于上述平坦化层上，并含有无机化合物的密合层。此外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：对金属基材实施药液处理的金属基材表面处理步骤；与于上述金属基材上涂布聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。另外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：依使藉既定方法所算出的相对溶解氧饱和率为95％以下的方式，对聚酰亚胺树脂组合物进行脱气的脱气步骤；与于金属基材上涂布上述聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。

摘要： 本发明的第一目的在于提供一种在层叠了金属层与聚酰亚胺层的具有挠性的基板上制作TFT时，可抑制因金属箔表面凹凸所造成的TFT电气性能劣化，并可抑制TFT的剥离或裂痕的挠性装置用基板。此外，本发明的第二目的在于提供一种表面平滑性优异、可抑制薄膜元件的特性劣化的薄膜元件用基板及其制造方法。本发明还提供一种挠性装置用基板，其特征在于，具有：金属箔；形成于上述金属箔上，并含有聚酰亚胺的平坦化层；与形成于上述平坦化层上，并含有无机化合物的密合层。此外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：对金属基材实施药液处理的金属基材表面处理步骤；与于上述金属基材上涂布聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。另外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：依使藉既定方法所算出的相对溶解氧饱和率为95％以下的方式，对聚酰亚胺树脂组合物进行脱气的脱气步骤；与于金属基材上涂布上述聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。

摘要： 关于沟道区域由氧化物半导体构成的TFT，抑制在源电极以及漏电极的附近光激励的空穴所引起的阈值电压偏移，提高可靠性。在氧化物半导体层(130)与栅极绝缘膜(120)之间，部分性地设置下层半导体层(140)。下层半导体层(140)存在于氧化物半导体层(130)与源电极(151)重叠的源极重叠区域(171)、和氧化物半导体层(130)与漏电极(152)重叠的漏极重叠区域(172)中的至少一方。相对于此，在源极重叠区域(171)与漏极重叠区域(172)之间，设置有不存在下层半导体层(140)的区域。

摘要： 提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。

摘要： 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成各层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包含：绝缘性的基板；形成在绝缘性的基板上的栅电极；形成在基板及栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上相互分开地形成的源电极及漏电极；在栅绝缘层上连接于源电极及漏电极而形成的半导体层；形成在半导体层上的半导体保护层；形成在源电极、漏电极及半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上的上部电极。

摘要： 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括：有源层；与有源层间隔开并且与有源层部分地重叠的栅极电极；以及在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜，其中有源层包括：与栅极电极重叠的沟道部分；不与栅极电极重叠的导电化部分；以及在沟道部分与导电化部分之间且不与栅极电极重叠的梯度部分，有源层的导电化部分和梯度部分掺杂有掺杂剂，栅极绝缘膜在有源层的掺杂期间覆盖有源层的朝向栅极电极的上表面，并且在梯度部分中，掺杂剂的浓度沿着从沟道部分朝向导电化部分的方向增加。还公开了一种包括薄膜晶体管的显示装置。

摘要： 提供了一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括第一栅电极、与第一栅电极隔开并包含沟道部分的有源层以及与有源层隔开并基于有源层设置在第一栅电极的相反侧的第二栅电极，其中第一栅电极的至少一部分与第二栅电极不重叠，且第二栅电极的至少一部分与第一栅电极不重叠，沟道部分与第一和第二栅电极中的至少一个重叠，沟道部分的一部分仅与第一和第二栅电极中的一个重叠，而所述沟道部分的另一部分仅与第一和第二栅电极中的另一个重叠，有源层包含第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层，第一和第二有源层中的任意一个具有比两者中的另一个更高的氢浓度和更低的氧浓度。

摘要： 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。

摘要： 其目的在于提供一种能够降低源电极以及漏电极与沟道区域之间的接触电阻的技术。薄膜晶体管具备：第1半导体层，配设于栅电极上的第1绝缘膜上，在俯视时与作为栅电极上的第1绝缘膜的一部分的部分区域邻接；源电极及漏电极，在俯视时隔着部分区域；第2绝缘膜，在部分区域上方设置有开口部；以及第2半导体层，配设于第2绝缘膜上。第2半导体层与源电极以及漏电极接触并且经由第2绝缘膜的开口部与部分区域以及第1半导体层接触。

摘要： 提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。