磁控溅射

摘要： 采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.研究结果表明:当溅射功率为90 W时,Ga2 O3薄膜的(-402)衍射峰最强,薄膜结晶质量最好.退火后Ga2 O3薄膜的结晶度均有所加强.随着溅射功率的增加,Ga2 O3薄膜变得均匀致密,但溅射功率过高反而影响成膜质量.Ga2 O3薄膜吸收边在250 nm附近,在Ga2 O3可见光区域透过率可达85％以上,且在450～500 nm处接近100％.退火处理可以进一步提高薄膜的透过率.Ga2 O3薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小,分布在4.8～5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小.这表明退火处理使得大部分Ga2 O3转化为最稳定的 β相.

摘要： 实时检测磁控溅射放电过程中不同元素及含量,对于溅射成膜机理与薄膜成分分析等过程具有重要意义,而中微型光谱仪具有灵敏度高、延时短、分辨率高等优点,为实现灵活实时检测磁控溅射腔体内的各元素提供了可能性。本研究设计了磁控溅射放电过程发射光谱的在线检测系统,采用HR4000光谱仪基于USB通信协议开发出具有良好移植性的软件部分。实验测得的磁控溅射发射光谱数据在误差范围内收敛,能够获得磁控溅射等离子体放电发射光谱特性,并用于光谱分析。

摘要： 利用直流磁控溅射法在微米量级的金刚石粉体上通过改变溅射功率和溅射时间等制备条件,实现了金属镍在金刚石粉体上的有效沉积。用激光共聚焦拉曼光谱研究了溅射前后金刚石粉体的拉曼光谱;同时,利用拉曼光谱仪的mapping模式,研究了镀镍后金刚石的拉曼成像。

摘要： 磁控溅射中工艺参数对二氧化钛镀膜透过率和厚度有较大影响,传统工艺参数决策所采用的单一因素法忽略参数间的关联性。构建的改进灰关联度量化模型在基于数据绝对位置差异的传统灰关联模型的基础上,考虑了数据间变化率差异,结合磁控溅射中主要影响参数──溅射温度、本底真空压强、溅射气压和溅射电压,对不同改进模型参数进行实验,从实验结果中得到最优的改进灰关联度量化模型。用所建模型对不同数量组的二氧化钛薄膜透过率和厚度进行分析,并与相关性模型和传统灰关联模型进行比较。结果表明:相比于传统灰关联模型,所提出的改进模型在检测准确率上提升5~10个百分点,且更适合于透过率的工艺性能检测。

摘要： 分别采用磁控溅射与电镀方法制备了纯银镀层,对比两种工艺下制备的纯银镀层的耐蚀性及耐蚀机理。首先通过SEM、XRD、激光共聚焦显微镜和蔡司显微镜对镀层微观形貌、物相组成、表面粗糙度及镀层孔隙率进行表征,其次采用中性盐雾腐蚀试验和电化学测试比较了两种方法制备出的纯银镀层的耐蚀性。研究结果表明:磁控溅射纯银镀层呈细小、紧密的颗粒状结构,具有更好的厚度均匀性且为柱状晶生长模式;电镀纯银镀层呈沟壑起伏分布的粗大结构且平整性较差,前者具有更好的结晶度。磁控溅射获得的纯银镀层粗糙度较电镀纯银镀层下降22.5%,孔隙率较电镀银镀层也显著降低,为0.26%。磁控溅射纯银镀层经过192 h的盐雾腐蚀,未见明显腐蚀痕迹,依旧呈现亮白色光泽;电镀纯银镀层在腐蚀24 h后可见明显腐蚀斑点。通过电化学测试发现磁控溅射纯银镀层的腐蚀电流密度较电镀纯银镀层下降了48.3%。两者耐蚀性的差异主要源于磁控溅射过程中高能粒子之间的相互碰撞,使得银粒子在基体表面更加紧密地堆积,一定程度上阻断了腐蚀通道。同时溅射粒子在沉积表面具有较强的迁移能力,更易形成低缺陷的晶体结构,且较低的粗糙度与孔隙率使得磁控溅射纯银镀层在腐蚀环境中与腐蚀介质的实际接触面积更小,因此磁控溅射纯银镀层比电镀纯银镀层的耐蚀性能更优。

摘要： 以Ta和Cr分别作为射频和直流磁控溅射靶材,采用双靶共溅射方式在炮钢PCrNi3MoVA表面制备Ta含量(原子百分数)分别为50%、60%、70%的Ta-Cr非晶态合金涂层。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)/能谱仪(EDS)、纳米压痕仪等表征Ta-Cr涂层的物相组成、表观形貌、化学成分和力学性能;采用极化曲线测量方法评价Ta-Cr涂层的耐蚀性。结果表明:调控双靶的溅射功率可改变Ta在涂层中的含量;Ta-Cr涂层因其晶化温度高而易形成由非晶态相与Cr晶相组成的两相组织;随着Ta含量降低,Ta-Cr涂层的硬度、弹性模量与韧性均升高,Ta_(50)Cr_(50)涂层的硬度和弹性模量最高,分别为14.2GPa和205.2GPa;不同Ta含量的Ta-Cr涂层均具有较低的自腐蚀电流密度(J_(corr)),Ta_(60)Cr_(40)的J_(corr)仅为0.588μA/cm^(2),耐蚀性最佳。

摘要： 随着电子设备电磁干扰和散热问题日益严重,具有高导热和电磁屏蔽功能的复合材料受到广泛关注。以氧化石墨烯为原料,通过旋涂和高温热还原获得了石墨烯薄膜,并采用磁控溅射的方法在薄膜表面镀银,制备了Ag/石墨烯复合薄膜并分析了其结构形貌、导热性能、导电性能及电磁屏蔽性能。结果表明:Ag纳米颗粒均匀地负载到石墨烯薄膜的表面,当Ag纳米镀层的厚度为200 nm时,薄膜的方阻仅为0.02Ω/sq,热导率可达872 W/(m·K),相比单一石墨烯薄膜,复合薄膜在30 MHz~18 GHz频率范围的屏蔽效能提高至37~60 dB。同时,Ag/石墨烯复合薄膜以180°弯曲角进行100次反复弯曲后,屏蔽效能仍可保留85%,展现了良好的机械柔韧性。这些优良性能证明了其在柔性电子设备的电磁兼容和散热领域拥有潜在的应用前景。

摘要： 作为一种铁基超导薄膜,Fe(Se,Te)薄膜具有晶体结构简单、所包含的元素较少、易于合成的特点,不仅有利于超导机理研究而且有着潜在的技术应用价值。本文通过磁控溅射在温度为320°C的CaF_(2)单晶衬底上制备了Fe(Se,Te)薄膜,并在氩气氛围下进行了退火处理。研究了退火时间对Fe(Se,Te)薄膜的晶体结构、微观形貌、成分组成以及电输运特性的影响。结果表明:Fe(Se,Te)薄膜的结晶性较好,退火有助于消除薄膜样品中的FeSe相,薄膜的晶格常数c对退火不敏感,退火后薄膜晶粒尺寸变大;Fe(Se,Te)薄膜成分与靶材的名义组分存在一定的偏差,退火时间越长,Fe(Se,Te)薄膜表面的颗粒越密集;Fe(Se,Te)薄膜的电阻随温度升高而减小,呈现出半导体特性,退火3 h后电阻明显增大。

摘要： 通过磁控溅射沉积系统在控制不同Ar流量的条件下,在FTO(氟掺SnO_(2))导电玻璃基底沉积一层致密的ZnO基底,通过旋涂法在致密层ZnO薄膜的基底上制备出多孔ZnO NPS薄膜,随后组装成电池进行测试。采用XRD、紫外―可见光分光光度计对所制备的致密层薄膜进行膜层质量分析,采用太阳光模拟器和数字原表对所制备的染料敏化太阳能电池进行光电转换效率的测试。结果表明,在固定溅射参数为125 W、4.1~4.0 Pa、60 min的条件下、Ar流量为10 sccm时制备的电池具有最高的光电转换效率,为1.20%。

摘要： 采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀(CFUMSIP)技术在单晶Si和工具钢表面制备不同Ni含量的CrAlNiN薄膜,利用包括纳米压痕仪和电化学工作站等多种技术手段表征了CrAlNiN薄膜的成分、表面和截面形貌、相结构、硬度和腐蚀性能。研究结果表明,CrAlNiN薄膜呈纳米多层结构,Ni掺杂不会改变三元CrAlN薄膜fcc晶体结构。随着Ni含量的提高,CrAlNiN薄膜的硬度和弹性模量呈现先上升后下降的趋势。Ni含量为7.12 at.%时,CrAlNiN薄膜的硬度和弹性模量分别达到最大值21.5 GPa和301.6 GPa。随着Ni含量的提高,CrAlNiN薄膜腐蚀电位明显提高,腐蚀电流减小。当Ni含量为20.33 at.%时,CrAlNiN薄膜在3.5%NaCl溶液中呈现最优的耐腐蚀性能。

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 本研究采用具有较高相对密度(97％以上)的ITO靶材作样品,进行磁控溅射毒化实验;利用X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱仪(EDS)等表征检测手段分别对比了ITO靶材样品在溅射前后ITO靶材的微观组织、物相变化、元素分布,以及对结瘤状态与原因进行了分析研究.结果表明:靶材毒化的主要与靶材中的孔洞及ITO靶材的晶粒大小密切相关.

摘要： 利用倾斜角磁控溅射能够制备出纳米棒状TCO薄膜，并具有好的光学透过率和电学性能，具有应用在硅异质结太阳电池上的良好潜力。

摘要： 采用反应射频磁控溅射方法制备了铒掺杂的氮化铝薄膜,对获得的氮化铝薄膜的化学组成、表断面形貌、晶体结构、化学态和光学性质进行了测试表征.结果表明:制备的氮化铝薄膜为多晶薄膜,铒掺杂改变了氮化铝薄膜的晶体结构,测试获得的表面粗糙度和光学性质与氮化铝薄膜中铒离子的掺杂浓度有较强的关联性.室温下对掺铒的氮化铝薄膜进行荧光测试,获得了铒离子在可见光波段的特征荧光光谱发射谱线,并且当磁控溅射铝靶材中的铒掺杂浓度达到2.5at.％时,制备的样品发生了荧光猝灭.同时,还制备了Al/AlN多层薄膜,采用荧光成像的方法,获得了铝薄膜失效区域的图像.本项目的研究结果证明了铒离子作为Al/AlN多层薄膜失效诊断的可行性.

摘要： Inline bifacial coating，High throughput up to5200wph，Coating of all common TCO and metal/alloy materials。Comprehensive expertise in temperature control via FEM simulation，construction and field test，Temperature inhomogeneity over whole tray<±5%。SILEX II CLEAN丁EX:Throughput6400wph、O3process cost-saving and eco-friendly、TCoO down to2角9分/片。GENERIS PVD:Throughput5200wph、Special designs tailored for HJT、Maximal degree of freedom in process optimization and upgrade。2017year of pilot，2018year of starti ng GW-scale production。

摘要： 玻璃的突出性能使它在建筑材料方面的应用独树一帜,玻璃的批量生产、制成连续和低成本使之有非常强的环境稳定性和抗划伤性,可见光高透过率使之能真实地反映外界环境;所有这些性能使玻璃在建筑和交通方面用量很大;在玻璃表面镀上相应的膜层,可解决玻璃远红外(室内辐射)的低反射导致寒冷地区室内热量的不必要损失,另一方面,近红外的高透过增加了炎热地区的室内热量——这一问题,因此镀膜玻璃在建筑业上的应用广泛.本文以VAAT的磁控溅射工艺设备为例进行介绍分析。磁控溅射生产工艺是大规模的玻璃镀膜生产的主要方式，现已经越来越普遍。

摘要： 采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.

摘要： SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在现象报道为主的起步阶段,电致阻变的稳定性亟待提高,阻变机理也有待于进一步澄清.本文将通过调节磁控溅射技术的工艺参数来调节SiOx薄膜的微观结构和阻变性能,通过XPS来研究其阻变机理.

摘要： 本文介绍了提高矩形磁控阴极靶材利用率的方法,尤其利用磁场仿真技术获得优化的磁路结构,增加矩形平面阴极直线跑道刻蚀宽度,优化端部刻蚀深度使其与直线跑道刻蚀深度基本一致,从而将靶材整体利用率提高到40％以上.

摘要： 本文介绍了提高矩形磁控阴极靶材利用率的方法,尤其利用磁场仿真技术获得优化的磁路结构,增加矩形平面阴极直线跑道刻蚀宽度,优化端部刻蚀深度使其与直线跑道刻蚀深度基本一致,从而将靶材整体利用率提高到40％以上.

摘要： 一种磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法，该磁控溅射装置包括：靶材承载部，配置为在其上承载靶材；磁体承载部，配置为在其上承载磁体并可驱动所述磁体相对于所述靶材承载部沿预定路径做往复运动；限位传感器，配置为确定所述磁体沿所述预定路径往复运动的终点位置；其中，所述限位传感器确定的所述终点位置在所述磁控溅射装置的工作过程中可沿所述预定路径调整。该磁控溅射装置能够通过对限位传感器位置的调整，来确定磁体往复运动的终点位置，从而改善对靶材轰击的均匀性，避免过早更换靶材带来的浪费，即延长了靶材的使用寿命。

摘要： 一种用于承载一靶材的磁控溅射靶座，其包括磁铁组件、冷却水路及承载件。承载件用于承载磁铁组件及冷却水路并使磁铁组件抵持靶材的表面。磁铁组件包括多排间隔设置的磁柱组，每排磁柱组均包括多个收容在承载件上的磁柱，同一排磁柱组中的所有磁柱的同性磁极的朝向相同以共同形成一磁极，相邻两排的磁柱组形成的磁极相反。冷却水路绕设于该多排磁柱组之间。所述磁控溅射靶座，通过多排间隔收容于承载件上的磁柱组形成多个磁场及绕设于该多排磁柱组之间的冷却水路，增大电离气体分子利用多个磁场撞击靶材表面的有效面积及冷却靶材的有效面积，提升靶材的利用率及冷却效果。本发明还涉及一种具有该磁控溅射靶座的磁控溅射装置。

摘要： 一种磁控溅射装置包括屏蔽罩、基板承载座以及磁控溅射靶，屏蔽罩形成有一第一腔体，基板承载座、基板以及磁控溅射靶位于第一腔体内。基板承载座与磁控溅射靶正对设置，基板安装于基板承载座上，磁控溅射靶枢接在所述屏蔽罩内壁上。磁控溅射靶包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构，靶材固定在所述靶座上，多个磁芯固定在磁芯平移机构上。每两个相邻磁芯的磁性相反。磁芯平移机构包括支撑板、多个辊轴以及传动条，支撑板边缘固定在所述靶座上且与所述靶材平行，多个辊轴设置在该支撑板上并能够相对该支撑板旋转，传动条环绕该多个辊轴以及支撑板设置，磁芯平移机构能够带动多个磁芯相对靶材平移。本发明还提供一种磁控溅射靶。

摘要： 本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本发明提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。

摘要： 本发明提供一种磁控溅射组件，包括磁控管和靶材，所述磁控管相对于所述靶材固定设置，所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极，在所述内、外磁极之间形成磁场轨道。本发明还提供一种磁控溅射腔室及磁控溅射设备。本发明不仅可提高磁控溅射组件稳定性，而且还可以增加生成的磁性薄膜的应用频率范围。

摘要： 一种磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法，该磁控溅射装置包括：靶材承载部，配置为在其上承载靶材；磁体承载部，配置为在其上承载磁体并可驱动所述磁体相对于所述靶材承载部沿预定路径做往复运动；限位传感器，配置为确定所述磁体沿所述预定路径往复运动的终点位置；其中，所述限位传感器确定的所述终点位置在所述磁控溅射装置的工作过程中可沿所述预定路径调整。该磁控溅射装置能够通过对限位传感器位置的调整，来确定磁体往复运动的终点位置，从而改善对靶材轰击的均匀性，避免过早更换靶材带来的浪费，即延长了靶材的使用寿命。

摘要： 一种磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中，磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，所述内环侧壁具有凸台结构。应用本发明的磁控溅射环可以提高磁控溅射环被溅射的时间，从而减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料以颗粒形式掉落至基板上，进而提高基片成膜质量。另外，本发明的磁控溅射环的使用寿命高。

摘要： 一种磁控溅射装置包括屏蔽罩、基板承载座以及磁控溅射靶，屏蔽罩形成有一第一腔体，基板承载座、基板以及磁控溅射靶位于第一腔体内。基板承载座与磁控溅射靶正对设置，基板安装于基板承载座上，磁控溅射靶枢接在所述屏蔽罩内壁上。磁控溅射靶包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构，靶材固定在所述靶座上，多个磁芯固定在磁芯平移机构上。每两个相邻磁芯的磁性相反。磁芯平移机构包括支撑板、多个辊轴以及传动条，支撑板边缘固定在所述靶座上且与所述靶材平行，多个辊轴设置在该支撑板上并能够相对该支撑板旋转，传动条环绕该多个辊轴以及支撑板设置，磁芯平移机构能够带动多个磁芯相对靶材平移。本发明还提供一种磁控溅射靶。

摘要： 本实用新型公开了一种磁控溅射门防下垂辅助装置，涉及防下垂技术领域，包括连接体、辅助装置。连接体左端具有调整体，连接体右端固定在磁控溅射门上。辅助装置固定在磁控溅射设备上，连接体与辅助装置位于相对方向，调整体位于辅助装置内，辅助装置与调整体具有一定间隙，辅助说装置包括复位件，复位件具有导向面，复位件为刚性材料，复位件位于调整体一侧，复位件为弧形。本实用新型在打开或关闭磁控溅射门过程中，使得调整体刚性接触复位件对磁控溅射门进行复位，达到保证金属腔体的密封性的目的。其中，调整体和复位件接触过程极为短暂，只有在磁控溅射门密封时才进行接触，极大减小了调整体和复位件的摩擦，有利于长时间保证金属腔体密封性。

摘要： 本实用新型公开一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，为解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的问题。所述磁控溅射靶材包括溅射面，溅射面为中部区域凹陷的弧面。当将磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，在基板上形成膜层时，相比于溅射面的中部区域与基板之间的距离，溅射面的边缘区域与基板之间的距离较小，减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度之差，改善磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。