电学性能

摘要： 近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。。这一成果3月10日以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题,在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。

摘要： 国内新闻清华大学集成电路学院团队首次实现亚1nm栅极长度晶体管近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据悉,为进一步突破1nm以下栅长晶体管的瓶颈,该研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极.

摘要： 镀镍碳纤维水泥基材料具有良好的自感知性,可广泛地应用于结构健康监测领域。试验选用净浆试件,表征与测试了不同纤维长径比和纤维取向的试件的抗压、抗折强度以及电阻率和压敏性。结果表明:随着纤维长径比的增大,镀镍碳纤维水泥基材料的力学性能与压敏性能先提高后降低,电阻率逐渐降低;与非定向试件相比,定向纤维试件的抗压、抗折强度以及导电性和压敏性均有所提高;其中,纤维长径比为900的定向镀镍碳纤维水泥净浆的力学及电学性能最佳。

摘要： 2022年3月15日,记者从清华大学获悉,该校集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展。首次实现了具有亚1 nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。2022年3月10日,相关成果以“具有亚1 nm栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题在线发表在国际学术期刊《自然》上。

摘要： 研究了退火温度对铂薄膜微观结构和电学性能的影响。在高曲率微小金属探针表面原位制造铂薄膜温度探测器,在450,500,550°C条件下进行退火。研究了不同厚度SiO_(2)薄膜对铂薄膜表面形貌的影响,重点介绍了经过不同温度退火后铂薄膜表面形貌和电学性能变化及其两者之间的相关性。实验结果表明:在金属探针表面制备2μm的SiO_(2)薄膜,既可以达到绝缘的效果,也可以保证粘附性。铂薄膜温度探测器初始电阻值、灵敏度和迟滞都有较大提高。但温度越高,对铂薄膜温度探测器的线性度影响越小。由于初始电阻值的变化幅度明显大于斜率ΔT/ΔR的变化幅度,所以电阻温度系数(TCR)均减小。因此,利用接近式光刻技术直接在高曲率物体表面制备金属薄膜,经过退火处理后可以得到稳定性高,响应速度较快、热阻性能较好的铂薄膜温度探测器。

摘要： 利用改性Pechini法制备了BaTi_(2)O_(5)(BT2)粉体,采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)和同步热分析仪测试了BT2粉体的物相结构与反应机理。结果表明,采用以柠檬酸为螯合剂的溶胶制备BT2粉体的最佳煅烧温度为850°C。粉体经1200°C的常压固相烧结得到BT2陶瓷,通过FESEM、电子比重天平、XRD、LCR数字电桥和准静态d_(33)测量仪测试了BT2陶瓷的物相结构与电学性能,结果显示BT2陶瓷具有较高的致密度、较好的结晶度与优异的电学性能。本研究为溶胶-凝胶法制备BT2陶瓷材料的提供了良好的借鉴。

摘要： 二氧化钒(VO_(2))作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(T_(MIT))的调控一直是研究热点。本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO_(2)薄膜T_(MIT)的影响,并尝试解释其内部作用机理。在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO_(2)薄膜。研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于T_(MIT)的提高(本课题T_(MIT)最大可达84.7°C)。T_(MIT)提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难。

摘要： 为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4),研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4)后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4)掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g·cm^(-3),压敏电位梯度达到425 V·mm^(-1),非线性系数为70,漏电流为1.2×10^(-7)A·cm^(-2),能量耐受能力达到334.21 J·cm^(-3),残压比为2.5.

摘要： 以纯银板(Ag-I)、纯铜板(99.9)和Ni板(Ni-99.8)为原料,经熔炼雾化工艺制得Ag(95)Cu(4.7)Ni(0.3)合金粉体并经预氧化处理后获得的Ag/CuONiO电接触复合粉体为原料,采用预氧化粉末冶金技术(PreO-P.M. method)制备了Ag/CuONiO电接触复合材料。重点探究了烧结温度、烧结时间及成型压力对Ag/CuONiO电接触复合材料的电学及烧结致密化动力学影响规律。利用阿伦尼乌斯方程与MLSW理论探究分析了其烧结活化能、第二相颗粒长大机制,结果表明:PreO-P.M.法制备Ag/CuONiO电接触复合材料的最佳工艺参数为预氧化温度673 K~723 K,氧分压0.5 MPa,氧化时间16 h;烧结温度1113 K~1153 K,烧结时间4 h~8 h。随着烧结温度的升高,Ag/CuONiO电接触复合材料的致密度呈“快速上升”、“平缓上升”、“二次快速上升”三阶段,而导电率则按照一定的斜率持续呈递增变化趋势。在预氧化烧结过程中,Ag/CuONiO电接触复合材料断面组织中孤立的、离散的烧结颈在温度场或应力场的作用下向烧结网演变,Ag/CuONiO电接触复合材料致密化程度提升、孔隙率下降且电子传输能力增强。当烧结温度为1113 K,烧结时间>4 h时,Ag/CuONiO材料的致密度基本上趋于稳定,接近于95.79%,而导电率呈缓慢上升趋势,至32 h时达至峰值95.38%IACS。相比于烧结温度区间[953 K,1073 K]而言,Ag/CuONiO电接触复合材料的烧结活化能在烧结温度区间[1113 K,1193 K]下出现较大值368.961 kJ/mol,且具有相当高的指前因子,反应体系表现为高频次的碰撞反应,加快了体系烧结的致密化进程。这与高烧结温度区间下Ag/CuONiO材料具有更高烧结致密度及导电率性能相吻合。结合阿伦尼乌斯方程与MLSW理论推导了Ag/CuONiO预氧化粉体烧结第二相颗粒尺寸、烧结时间、烧结温度及活化能之间的调控关系式,为后续优化设计高性能Ag/CuONiO电接触复合材料及其他相关电接触材料体系提供新思路。

摘要： 第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据。

摘要： 为了研究铜铝复合板的电学性能及工作时的稳定性,对铜铝复合母线排的电学性能进行了测试分析,采用扫描电子显微镜、能谱分析仪和XRD测试仪对导电工况条件复合界面的微观形貌及生成物进行了观察和测试.实验结果表明:铜铝复合板的电阻率接近纯铜而明显优于纯铝.铜铝复合板在导电服役温度时,其复合界面在32小时内界面厚度明显增加,而在128小时趋于稳定,表明复合板作为导电材料使用时其界面稳定,满足导电材料使用要求.

摘要： 刻蚀阻挡层(ESL)制备工艺对ESL膜质及氧化物沟道性质都有显著影响.本工作通过对比实验,研究了ESL沉积温度对铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)器件电学性能的影响.研究发现,随着ESL沉积温度从190°C升高至220°C,IGZO TFT器件阈值电压从2.2V降低到0.9V,载流子迁移率由7.7cm2V-1s-1提高至13.9cm2V-1s-1.进一步对器件进行了正向偏压应力测试,发现ESL沉积温度210°C的IGZO TFT器件体现出最优的偏压稳定性:施加30V栅压应力测试3000s后,阈值电压漂移量为1.5V.实验结果表明,适宜的ESL沉积温度有利于提升IGZO TFT器件电学性能.

摘要： 本文研究了a-IGZO双有源层中不同氧分压下生长的高氧层对顶栅自对准TFT电学特性及温度性的影响.在低氧层保证较高迁移率的同时,选择合适氧分压的高氧层可有效调节有源层内的载流子浓度,进而得到适当的阈值电压.其中高氧层和低氧层的氩氧比分别为45/5和49/1的双有源层TFT电学性能优异,同时在正、负偏置栅应力下均表现出良好的稳定性.优化N2O处理时间和高氧/低氧层的厚度比后,器件性能得以进一步优化,其中μFE=13.4cm2/Vs,Vth=-2.55V,SS=0.6mV/dec.

摘要： 纳米片相较于量子点材料,具有更窄的半峰宽,所得的激发光具有更高的纯色性.本文中通过调控合成CdSe纳米片的反应物质量以及投料比,制备出高荧光量子产率的四层结构(4ML)的CdSe纳米片和CdSe/CdS核冠结构纳米片,其中核冠结构纳米片的荧光量子产率高达72％.随后,将该材料通过旋涂的工艺制备成正置电致发光器件,并对其电学性能进行了表征.结果显示,器件的发光峰位与材料的发光峰位无明显差异,半峰宽均为10nm,最高亮度为1036cd/m2,最大发光效率1.17cd/A,对应的最大外量子效率为0.32％.

摘要： 利用Cat-CVD高氢稀释的条件，制备出自然后氧化的n-a-Si:H其结构因子低，短波透光性好，电学性能较好。将高氢稀释下自然后氧化的n-a-Si:H薄膜用于SHJ电池窗口层，电池短路电流密度及效率显著提升。

摘要： 本文以TEMPO氧化法制备的纳米纤维素为基材,结合纳米银线,经真空抽滤后得到纳米膜.将制得的纳米膜浸泡在氯化胆碱/尿素水溶液中,干燥后得到具有较好电学性能和机械性能的高透明纳米导电纸.制得的纳米导电纸的可见光透过率可达90％以上,最大拉伸形变为17％,比纯纳米纤维素纸的拉伸性能提高十倍以上.将制得的高透明纳米导电纸应用于纸基电容器,进一步拓宽了纸基导电材料在柔性电子器件中的应用范围.

摘要： 双马来酰亚胺树脂(BMI)固化物具有耐高温、耐湿热、高模量、高强度等优异性能,特别适合用作IC载板和类载板的基体树脂.本文设计合成了一种新型的BMI树脂,3,3'-二甲基-4,4'-二氨基-5,5'-二异丙基二苯甲烷双马来酰亚胺(MPBMI),在表征结构、热学及电学性能基础上,研究了其在氰酸酯/环氧树脂体系中的性能表现.结果表明,该树脂在丁酮中的室温溶解度达到25wt％;5％热失重温度(Td5％)为394°C;与10wt％聚苯醚固化后,可实现较低的介电常数和介电损耗,Dk为2.61,Df为0.0026;应用于覆铜板后,Tg为250°C,Df为0.0081.

摘要： 本文研究了氧等离子体干法去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs器件性能的影响.与湿法去胶制备的TFT器件相比,氧等离子体干法去胶能够很好地去除光刻胶并处理有源层上表面沟道区,得到良好的器件特性和更好的电应力稳定性.这是因为氧等离子体能够有效地修复有源层沟道区的表面缺陷态,改善有源层与栅介质的界面质量,提高器件的稳定性;同时,由于氧等离子与N2O等离子体处理有源层的效果一致,故而可以省略工艺中N2O处理的步骤,简化制备自对准顶栅a-IGZO TFTs的工艺流程.

摘要： 本文研究了氧等离子体干法去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs器件性能的影响.与湿法去胶制备的TFT器件相比,氧等离子体干法去胶能够很好地去除光刻胶并处理有源层上表面沟道区,得到良好的器件特性和更好的电应力稳定性.这是因为氧等离子体能够有效地修复有源层沟道区的表面缺陷态,改善有源层与栅介质的界面质量,提高器件的稳定性;同时,由于氧等离子与N2O等离子体处理有源层的效果一致,故而可以省略工艺中N2O处理的步骤,简化制备自对准顶栅a-IGZO TFTs的工艺流程.

摘要： 本文研究了氧等离子体干法去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs器件性能的影响.与湿法去胶制备的TFT器件相比,氧等离子体干法去胶能够很好地去除光刻胶并处理有源层上表面沟道区,得到良好的器件特性和更好的电应力稳定性.这是因为氧等离子体能够有效地修复有源层沟道区的表面缺陷态,改善有源层与栅介质的界面质量,提高器件的稳定性;同时,由于氧等离子与N2O等离子体处理有源层的效果一致,故而可以省略工艺中N2O处理的步骤,简化制备自对准顶栅a-IGZO TFTs的工艺流程.

摘要： 本实用新型实施例公开一种电学实验用导线、电学实验器件及电学实验装置，涉及中学物理实验技术领域，为便于导线与电学实验器件之间的快速连接而发明。所述电学实验用导线，包括：导线本体，在所述导线本体外周包覆有绝缘层，所述导线本体的第一端电连接有用于插入第一实验器件的导线插入口的第一插接端子，在所述导线本体的第二端电连接有用于插入第二实验器件上的导线插入口的第二插接端子。本实用新型适用于中学物理电学实验。

摘要： 本发明涉及一种用于再生具有预定电学性能的至少一个单壁碳纳米管(3)或具有相同电学性能的多个单壁碳纳米管(3)的方法。为此，制备分散系(2)，并且包含在所述分散系(2)中的碳纳米管(3)通过输入能量而被处理成片段(6)。所述片段(6)被施加至载体(7)上并且在载体(7)上定向。接着，片段(6)通过化学气相沉积而延伸，并因此初始存在的碳纳米管(3)被再生。

摘要： 本发明涉及非金属管道连接技术，旨在提供一种机械性能与电学性能独立调控的纤维增强塑料电熔管件。该电熔管件包括埋设了电阻丝的电熔管件本体，在电熔管件本体上设有分别接至电阻丝两端的两根接线柱；所述电熔管件本体的材料是掺杂了导电纤维的热塑性塑料，导电纤维是指表面具有导电体的纤维；在电熔管件本体中，导电纤维相对于电熔管件本体的质量占比为0～40％，且不为0；在导电纤维中，导电体相对于纤维的质量占比为0～30％，且不为0。本发明能够实现电熔管件机械承载能力与结构健康监测性能的独立调控。采用注塑方法一次成型，无需额外的钢板或纤维增强层，制造工艺简单，稳定性好，降低工艺成本。

摘要： 本发明公开了一种防尘式高电学性能精密DVB解码板及其使用方法，属于DVB解码板领域，一种防尘式高电学性能精密DVB解码板，包括壳体，所述壳体的正端面连接有面板，且面板的正端面固定安装有接口，所述壳体的顶部开设有散热孔，且壳体的一侧开设有防尘孔，所述面板的正端面贯穿连接有拉杆。本发明通过在板体的一侧设置第一滑槽，拉动拉杆，则使拉杆带动活动块对进行活动，从而使活动块通过第一滑块在第一滑槽的内壁滑动，则使活动块与防尘孔的内壁进行清理，有效的避免了灰尘对防尘孔造成堵塞，并且通过在拉杆的外壁设置复位弹簧，则使拉杆在不受力时自动复位，保证了活动块工作的稳定性，并且便于用户在面板的外部进行操作。

摘要： 本发明公开了一种便装式数字电视机顶盒用高电学性能电源板，包括有外壳体，所述外壳体前端面一侧嵌合安装有显示模块，且外壳体前端面另一侧嵌合安装有控制按钮，所述外壳体内壁一侧固定连接有滑轨，且滑轨表面滑动套接有套件。本发明中，当电流控制模块，通过连接线给电源板模块通电作业时，电流控制模块与外接电源端的电源线，可以通过表面套接的电流探测模块，实时的监测电源线内的电流，并将电流数值传递给PLC控制模块，PLC控制模块内预设有电流数值的阈值，当电流大于阈值时，PLC控制模块内预设程序控制电流控制模块，改变电流的大小，能够防止过大的电流直接输入电源板模块，击穿电源板模块内元器件，造成电源板模块的损坏。

摘要： 本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlN/GaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能。

摘要： 本发明公开了一种增强碳纳米管宏观体电学性能的方法。所述方法包括：在稳定环境中，沿原始碳纳米管宏观体的长度方向对其进行牵伸处理，之后使牵伸处理后的碳纳米管宏观体保持松弛的状态，以及，重复进行牵伸处理和使牵伸处理后的碳纳米管宏观体保持松弛的状态的步骤，获得电学性能增强的碳纳米管宏观体。本发明通过牵伸处理对碳纳米管宏观体的微观组织进行有效的优化，可以减少碳纳米管宏观体内部的空隙率，促进碳纳米管宏观体内部碳纳米管与碳纳米管之间的连接，同时提高了碳纳米管宏观体内部碳纳米管的取向化程度，最终实现碳纳米管宏观体电学性能的大步提升；并且，本发明的实施过程中没有剧毒危化品的使用，更加环保，操作简单，且安全。

摘要： 本发明属于材料性能测试技术领域，公开了一种可拓展的通用型材料及器件电学性能测试系统，该系统包括温度控制模块、测试腔体气氛控制模块、样品夹持模块、样品弯曲拉伸循环模块、电学性能采集模块、以及用于容纳待测试样品的测试腔体，其中样品夹持模块同时包括以下至少2组样品台，每1组样品台包括一对样品台用于配合夹持一类待测试样品，从而能够实现对至少2类待测试样品的测试。本发明通过对关键组件的结构、关键模块的内部构造及设置方式进行创新设计，并通过对各模块之间的工作配合方式进行创新改进，与现有技术相比可以有效解决多形态多种类样品的电学性能测试的问题，是一种通用、动静态结合、综合有效的测试系统。

摘要： 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。

摘要： 一种半导体电学性能测试装置，属于半导体性能测试技术领域，该测试装置，包括定位卡盘及其周向设置的多个导向夹紧装置，定位卡盘上吸附定位有晶圆，导向夹紧装置包括夹紧杆，多个夹紧杆弹性夹紧晶圆的外侧后形成接触电极，晶圆上方一段距离处设置探针，本实用新型的有益效果是，该测试装置结构简单、操作方便，兼容多种半导体晶圆尺寸，适用于含导电及绝缘衬底的半导体，可避免接触半导体表面，减少了半导体表面沾污，提高了良率。