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第十一届中国光伏大会暨展览会

召开年：2010
召开地：南京
出版时间： 2010-11

主办单位：中国可再生能源学会;江苏省光伏产业协会

会议文集：第十一届中国光伏大会暨展览会论文集

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1.等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的气相反应模拟
- 何宝华;杨仕娥;陈永生;卢景霄
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：以SiH4和H2为反应气源，建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的气相反应模型，模拟了典型的μc-Si：H薄膜沉积条件下各物种的浓度以及硅烷浓度SC的影响。研究结果表明：与a-Si：H薄膜相似，μc-Si：H薄膜的主要沉积前驱物是SiH3基元，且Si2H5、Si2H4和SiH2等中性基元对μc-Si：H薄膜生长的也有一定贡献;随着硅烷浓度增大，等离子体中SiH3等前驱物的浓度升高，同时，H原子的浓度快速下降，从而使得H/SiH3比值降低。
2.多晶硅还原沉积优化研究
- 陈其国
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：针对改良西门子法工艺，通过软件模拟和生产实验研究相结合，探讨了三氯氢硅氢还原沉积工艺和沉积设备对多晶硅生产单位电耗等生产关键指标的影响，并对还原工艺优化提出了改进建议。
3.晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
- 刘志平;赵谡玲;徐征;刘金虎;李栋才
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响，从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程，得到最佳的镀膜工艺。
4.TMAH织构在硅异质结太阳电池中的应用
- 周玉琴;武春波;蒋振宇;朱美芳;刘丰珍
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在硅异质结太阳电池的制绒工艺中，引入一种新型的有机刻蚀剂——四甲基氢氧化铵(TMAH)来取代常规的无机碱性刻蚀剂，其优点在于在织构过程中不会额外地引入影响器件性能的有害金属离子(如K+，Na+)，有利于提高太阳电池的转换效率。本文研究了TMAH织构参数(刻蚀时间t.和刻蚀温度T)对硅片表面的平均反射率(Rav)和少子寿命(τ)的影响。结果表明：Rav随te的增加而下降;τ随T的升高和te的延长而增加。扫描电子显微镜照片表明，TMAH织构硅片的表面形貌与常规的NaOH织构硅片的表面形貌相近。然而，TMAH织构硅片的少子寿命值高于NaOH织构硅片的少子寿命值，而且，以TMAH织构硅片为衬底的电池的转换效率明显高于以NaOH织构片为衬底的电池的转换效率，反映了TMAH织构工艺无金属离子污染的优点。
5.界面相对微晶硅太阳电池性能影响的研究
- 彭文博;曾湘波;刘石勇;姚文杰;谢小兵;肖海波;王超;俞育德
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文研究了界面相对氢化微晶硅太阳电池性能的影响。氢化微晶硅薄膜由等离子体增强化学气相沉积系统制备。薄膜界面相由红外吸收谱所得的界面结构因子(Rif)表征。薄膜的晶相体积比，复合中心密度，陷阱能级密度和迁移率寿命乘积分别用拉曼光谱、光电导谱、调制光电流相移分析以及定态光电导等方法来表征。我们发现：①材料的缺陷态密度与界面结构因子正相关;②界面结构因子最小的样品具有最大的迁移率寿命乘积。优化沉积条件得到界面因子较小的薄膜，并将其作为本征层应用于微晶硅太阳电池，I-V和QE测试结果表明该微晶硅太阳电池拥有较大的开路电压和较好的长波响应。
6.单室沉积pin型全硅三叠层薄膜太阳电池的研究
- 郑新霞;张晓丹;杨素素;魏长春;孙建;耿新华;赵颖
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文在已有的单室VHF-PECVD技术制备pin型单结微晶硅电池的基础上，将产业化低成本单室非晶硅/非晶硅叠层电池升级到单室a-Si：H/a—Si：H/μc-Si：H pin结构的三叠层电池，通过优化隧穿结和底电池，获得了光电转换效率超过9％的单室a-Si/a-Si/μc-Si pin结构的三叠层电池。
7.准单晶硅薄膜的制备与太阳能电池研究
- 沈鸿烈;蔡红;岳之浩;张磊;江丰;鲁林峰;唐正霞
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅，研究了两步阳极氧化法形成不同孔隙率的双层多孔硅层的机制和不同温度下多孔硅衬底对外延层结晶性能的影响。采用拉曼光谱、X射线衍射、扫描电镜和霍尔效应等手段对准单晶硅薄膜的性能进行了分析。在优化条件下外延生长的准单晶硅薄膜上扩散制备了p-n结，再利用层转移法在普通玻璃衬底上制备了准单晶硅薄膜太阳能电池，测得太阳能电池效率为8.74％。讨论了准单晶硅薄膜性能和工艺参数对太阳能电池性能的影响，并探讨了这种准单晶硅薄膜太阳能电池的应用前景。
8.p型微晶硅的研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用
- 胡居涛;蔡宏琨;陶科;赵静芳;张德贤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂，采用正交实验法，以硅烷浓度、TMB掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量对p型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 mm左右的p型微晶硅(μc-Si：H)薄膜，通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等，研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响，并在此基础上作进一步的参数优化，得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN为衬底的非晶硅薄膜太阳电池中，得到6％的初始效率。
9.RF-PECVD法制备非晶硅薄膜的耗尽模式研究
- 唐道远;周丽华;王小顺;周文灿;刘成;叶晓军;钱子勍;张翼翔;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜，主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应力的影响。实验结果表明，射频功率40w，气流量H2：siH4=60sccm：5sccm时，非晶硅薄膜的沉积进入了耗尽模式，速率约为12nm/min;同时薄膜的均匀性得到了明显改善。在此基础上获得了光电转换效率为4.54％(5cm×5cm，AM0，25℃)的聚酰亚胺衬底非晶硅太阳电池;但是非晶硅薄膜的应力随功率的增加而逐渐增大，太阳电池的卷曲现象比较明显。
10.不同氢气分压下氢化非晶硅薄膜的制备与表征
- 赵青南;董玉红;袁文辉;潘震;刘本峰
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在不同的氢气分压下，用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、显微拉曼光谱仪(Raman)、NKD7000w薄膜分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和紫外-可见光透射光谱仪(UV-VIS)研究了氢气分压对薄膜的物相结构、膜厚(沉积速率)和光学性能的影响。结果表明，可以用磁控溅射方法沉积非晶态结构的氢化硅薄膜，a-Si：H薄膜有良好的可见光透过率;氢与硅结合生成单氢键合和多氢键合;a-Si：H薄膜的沉积速率大于10nm/min;随着氢气分压的增加，溅射沉积薄膜的速率减小、折射率减小，吸收系数和消光系数减小，光学带隙逐渐增加(1.9～2.0eV)。对得到的结果进行了讨论。
11.柔性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池技术研究
- 周丽华;刘成;叶晓军;钱子勍;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在不锈钢柔性衬底上制备了系列非晶硅/微晶硅叠层电池，通过调节子电池本征层厚度实现子电池间的电流匹配。量子效率(QE)和I-V测试结果表明：当微晶硅底电池和非晶硅项电池厚度分别保持在1500 nm和200 m左右时，电流匹配良好。在此基础上，制备了不同厚度的硅基p+/n+隧穿结，应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，分析了其对太阳电池电学和光学特性的影响。并将优化后的p+/n+隧穿结应用于不锈钢衬底和聚酰亚胺衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，分别获得了9.95％和9.35％的光电转换效率(AMO，1353 w/m2)。
12.柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池i/p界面的研究
- 陶科;张德贤;王林申;赵敬芳;蔡宏琨;孙云
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：对于单结非晶硅薄膜太阳电池，无论窗口层材料是宽带隙的p型非晶硅碳薄膜还是窄带隙的p型微晶硅薄膜，在i和p层之间都存在着一定的能带失配，导致界面缺陷态密度较大，对电池输出特性有不利的影响。本文研究了柔性衬底nip型非晶硅薄膜太阳电池i/p界面对电池性能的影响。研究发现界面处buffer层的设计对电池性能影响很大，在制备buffer层时，掺硼与掺碳的先后使电池的开路电压和填充因子有明显的不同。AMPS模拟分析表明，先掺入碳再掺入硼，有利于提高i层内建电场，从而改善载流子的输运特性。通过进一步的优化电池工艺，聚酰亚胺衬底上的非晶硅薄膜太阳电池获得了7.09％的初始转换效率。
13.柔性衬底非晶硅太阳电池中Ag/ZnO背反射电极的研究
- 刘成;叶晓军;周丽华;钱子勍;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：研究了应用于柔性不锈钢衬底非晶硅太阳电池的Ag/ZnO背反射电极的表面形貌、结构特性。SEM和XRD的研究结果表明，Ag为(111)晶向优先取向，ZnO为(002)晶向优先取向，衍射峰强度与表面粗糙度之间存在对应关系。Ag/ZnO背反射电极所形成的陷光结构使太阳电池的短路电流密度提高了3mA/cm2以上，但会造成开路电压、填充因子的下降。优化后的非晶硅太阳电池效率达到8.74％(AM0，1353W/m2)。
14.柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池隧穿复合结研究
- 姚文杰;曾湘波;彭文博;刘石勇;谢小兵;肖海波;王超
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：用等离子增强化学沉积方法在柔性不锈钢(stainlesssteel—SS)衬底上制备了n-i-p非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，重点研究了叠层电池隧穿复合结中非晶硅复合层的掺杂比例(B2H6/SiH4)及其厚度对隧穿复合结I-V性质的影响。通过调节复合层的掺杂比例和生长时间得到了电阻和整流特性最小的隧穿复合结。将该隧穿复合结应用到电池后得到了初始效率达11.2％的非晶硅/微晶硅叠层电池。
15.柔性硅基薄膜太阳电池1 MeV电子辐照特性研究
- 周丽华;叶晓军;刘成;钱子勍;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文研究了PECVD法制备的三类柔性硅基薄膜太阳电池的1 MeV，1.0×1015e/cm2电子辐照及退火特性，测量了电池制备后、辐照后及经过高温退火后的I-V特性和光谱响应。发现电子辐照在硅基薄膜电池中产生了严重损伤，使电池性能下降，光谱响应发生变化，但经130℃退火处理后电池性能均有不同程度的恢复。本文从电子辐照缺陷态产生机理等方面对上述实验结果给出了物理解释，同时从电池结构设计方面提出了提高叠层电池抗辐照特性的方法。
16.多晶硅太阳电池制绒过程的质量控制
- 覃榆森;朱海东;陈丽萍;朱凡;季静佳;施正荣
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文介绍利用分析检测多晶硅太阳电池腐蚀体系中生成物含量对绒面质量的影响，并利用SEM及半球形反射仪测量绒面的表面状况和反射率随该体系中不同生成物含量的变化。随着反应的进行该体系中生成物的含量逐渐升高，表面形貌由裂纹状转为微气泡状，反射率也有轻微的提升。通过分析生成物的含量变化和绒面变化之间的关系，为控制该体系中各组分的含量的稳定提供了必要的手段，最终达到更好的质量控制。
17.AZO膜制备工艺对AZO/Ag/AZO复合膜光电性能的影响
- 王淑珍;乔琦;陈肖静;王永谦;朱拓;施正荣;张光春
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用射频磁控溅射方法制备AZO/Ag/AZO复合膜，利用紫外可见红外分光光度计和四探针测试仪,研究AZO膜制备工艺(沉积气压、射频溅射功率、氧流量和ZnO靶材的Al2O3掺杂浓度)对AZO/Ag/AZO复合膜光电性能的影响，得出优化的复合膜制备工艺。优化后的复合膜品质因子比普通AZO单层膜的品质因子高出了一个数量级，约为1.7×10-2Ω-1。
18.偏置白光对太阳电池外量子效率测试的影响
- 马逊;刘祖明;廖华;李景天;王书荣;羊丽芳
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在测量太阳电池的外量子效率(EQE)时，加入偏置白光可以减小由陷阱带来的误差。本文研究太阳电池EQE与光生载流子浓度和开路电压之间的关系，从理论上解释偏置白光强度对测量结果的影响。并且测量入射单色光波长为500nm至1050 nm，晶体硅太阳电池在不同偏置光源强度下的EQE。理论结果与实验结果符合较好，该结论对提高太阳电池外量子效率测试的准确性具有一定指导意义。
19.薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术特性研究
- 陈新亮;张晓丹;赵颖;耿新华;李林娜;林泉;任世荣;倪牮;张德坤;孙建;张建军
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：磁控溅射＆湿法刻蚀技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜的主流生长技术;绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性，从而降低生产成本。rn 高迁移率TCO薄膜以及柔性衬底TCO薄膜是当前研究开发的重点。本文概括地阐述了玻璃衬底以及柔性衬底透明导电氧化物薄膜(transparentconductive oxides，TCO)及其在硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。具体内容：①利用磁控溅射技术，采用Zn-Al合金靶和ZnO陶瓷靶低温(Ts～200～280℃)制造绒面结构ZnO-TCO薄膜并应用于硅基薄膜太阳电池(包括a-Si薄膜电池以及μc-Si薄膜电池)，可实现玻璃衬底镀膜尺寸S=30 cm×30cm。磁控溅射技术镀制znO-TCO薄膜过程中适当加入H2有效提高了薄膜的光电性能。②利用LP-MOCVD技术实现在PET等柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，方块电阻～10～20Ω，PET/ZnO可见光范围透过率75％～80％，初步应用于a-si薄膜电池转换效率达6.3％(电池结构：PET/ZnO/pin-a-Si/A1)，其中薄膜材料及薄膜电池生长温度～125～150℃。③镀制高迁移率In2O3基薄膜，即IMO薄膜、IWO薄膜以及IM/WO薄膜。主要薄膜生长技术有梯度速率镀膜以及共掺杂技术。薄膜厚度～100 mn时，电子迁移率达～67.1 cm2/Vs，可见光及近红外区域透过率～75％～90％。④CH3COOH溶液湿法刻蚀调制MOCVD-ZnO薄膜表面形貌特征，改善了TCO/Si薄膜界面，从而提高了薄膜电池性能。⑤缓冲层技术应用：衬底(包括玻璃衬底或者柔性衬底)与TCO薄膜之间镀制适当的缓冲层(buffer)，有效提高了薄膜性能。
20.电流失配对多结硅薄膜太阳电池性能的影响
- 张鹤;刘伯飞;张晓丹;郑新霞;樊正海;魏长春;孙建;赵颖;耿新华
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文为硅基薄膜电池提出一种基于实验结果的电路级多结电池模型，试图考察子电池特性在不同光生电流匹配情况下对多结特性的影响。我们发现，多结电池短路电流(Jsc)并非严格受限于最小光生电流;使子电池填充因子(FF)最大者做电流限制，可以使得多结电池FF最大;Jc对多结电池效率的影响较FF和开路电压(Voc)更大，效率最高点总是出现在子电池光生电流匹配(即相等)位置。计算结果与实验数据的对比发现，本实验中非晶硅/微晶硅叠层电池和非晶硅/微晶硅/微晶硅三结电池主要受子电池本身特性影响。
21.功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池
- 曹宇;张建军;倪牮;王先宝;黄振华;孙健;耿新华;赵颖
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术，采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源，在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明。由于锗烷的优先耗尽，随着功率的增加，微晶硅锗薄膜中的锗含量有不断降低的趋势。在此基础上，引入功率梯度的方法用于微晶硅锗本征层的制备，在沉积本征层的过程中分阶段降低功率。不仅优化了微晶硅锗材料晶化状况的纵向均匀性，而且使微晶硅锗电池本征层的带隙得到调控，减少了p/i界面带隙失配的影响。将此方法应用到微晶硅锗太阳电池中，电池性能一定程度上得到了改善，将其应用于非晶硅/微晶硅锗叠层电池，转换效率达到7.7％。
22.脉冲放电法制备硅微球的机理及试验研究
- 洪捐;汪炜;冯海娣;张志伟;张伟
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：硅微球的制备是新型薄膜太阳能电池的关键技术之一。本文提出一种新的制备硅微球方法，即以太阳能级硅为原料，在液体介质中利用脉冲放电产生的局部瞬时高温形成球状硅微粒。在此基础上，采用SEM/EDS方法时其微观形貌和成分进行了表征和分析，并使用ANSYS软件对硅表面放电区域的温度场分布进行了数值模拟，掌握了硅微球的形成机理。通过改变工作液介质、电参数等工艺条件，成功制备出O.5～30μm的硅微球，并通过乙醇清洗，真空烧结炭火炉加热等后续方法进行提纯。试验结果表明，该方法具有低成本、高效、安全洁净、能量可控等特点，对于制备薄膜太阳能电池的原料硅墨水具有十分重要的研究意义。
23.以n型硅为衬底的异质结太阳能电池优化设计的数值模拟
- 赵会娟;谷锦华;杨仕娥;郜小勇;陈永生;卢景霄
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用AFOR-HET软件系统研究了各层参数对p型薄膜硅/n型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明：透明导电膜的功函数WTCO和p型薄膜硅发射层的带隙宽度对异质结太阳电池性能的影响较大，为了得到性能优异的异质结电池。WTCO应控制在5.2eV以上，p型薄膜硅掺杂浓度NA<1E20时，p型发射层的带隙宽度应选择1.6eV以上的薄膜硅材料。对不同能带补偿的情况模拟表明，△Ec<0.3eV时界面缺陷态几乎不影响电池性能，当△Ec>0.5eV时界面缺陷态对电池性能影响较大。因此，为了制备高效的p型薄膜硅/n型晶体硅异质结电池，要求p型非晶硅发射层的电子亲和势大于3.75eV(即能带补偿△Ec<0.3eV)，或者高质量的界面。最后，我们给出了高性能电池的各层的最佳参数。
24.氢等离子处理衬底上硼掺杂微晶硅薄膜的椭偏光谱分析
- 李新利;卢景霄;王志勇;王果;高海波;焦岳超;李瑞
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了硼掺杂的系列硅薄膜。采用拉曼光谱表征了薄膜的晶化。随着氢等离子对衬底处理时间的增加，薄膜的晶化率表现出先增加再减小的趋势。椭圆偏振光谱方法是一种无损伤高精度的测量薄膜的手段，通过拟合椭圆偏振光谱得到薄膜的总厚度，表面粗糙层厚度，体内空洞率，介电函数的虚部<ε2>，以及薄膜的光学特性。分析表明薄膜的表面粗糙层厚度和薄膜的总厚度有相似的变化趋势。拟合得到的体层空洞率与介电函数虚部<ε2>的振幅呈现相反的变化规律。薄膜的折射率n和消光系数k在高能量部分与介电函数虚部<ε2>振幅有相同的变化趋势。主要是因为薄膜的光学特性取决于薄膜中的Si，H以及微空洞的含量。
25.纳米晶硅薄膜材料的技术发展
- 吴大维;吴越侠;唐志斌
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：纳米晶硅薄膜是硅基薄膜太阳能电池重要的基础材料。制备纳米晶硅薄膜的方法有：射频等离子增强化学气相沉积(PECVD)、热丝化学气相沉积(HwcvD)、电感耦合等离子源沉积(ICP)、螺旋波等离子源沉积(HwP)和表面波等离子体源沉积(swP)等。本文评述了这些新技术的特点，以及将其应用于硅基薄膜电池需解决的技术问题。
26.电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性研究
- 任世荣;陈新亮;张存善;李林娜;张德坤;孙建;耿新华;赵颖
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：利用电子束反应沉积技术生长高迁移率IMwo(In2 03：w03/M003)薄膜，研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度时薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现“类金字塔”型。随着WO3-MoO3共掺量的增加，IMWO(In2O3：WO3/MoO3)薄膜的电阻率依次下降，裁流子浓度逐渐增加，在共掺量为1.0％时，制得相对较高电子迁移率的薄膜，电子迁移率μ～45.5cm2V-1s-1，电阻率ρ～3.66×10-4Ωcm，电子的载流子浓度n～3.74×1020cm-3，方块电阻R5～22.88Ω，400～1100nm光谱区域内的平均透过率～76％。
27.纳米Ag颗粒表面高能电场对硅基薄膜拉曼散射信号的增强效应研究
- 黄茜;张晓丹;孙建;刘阳;赵颖;熊绍珍
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文将纳米Ag颗粒的SERS效应扩展应用于硅基薄膜材料的拉曼散射光谱中，以展示其高能电场对固态硅基薄膜材料的作用能力。研究表明纳米Ag颗粒的表面高能电场能够显著增强非晶硅及硅锗薄膜材料的拉曼光谱信号强度，得到了非晶硅薄膜TO模增益13.76、TA模增益23.89以及非晶硅锗薄膜Ge-Ge键增益10.58的结果。该结果表明，纳米Ag颗粒的表面高能电场对硅基薄膜材料同样具有显著的表面增强拉曼散射效应，能够提高硅基薄膜中弱峰的探测精度，为硅基薄膜精细的结构分析提供了一个有力的工具。
28.热处理对ZnO：Ga薄膜性能的影响
- 宋玲彦;陈贵峰;万尾甜;蔡宏琨;谢轲;张德贤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用直流磁控溅射工艺制备ZnO：Ga薄膜，并对薄膜进行热处理。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计等对热处理前后薄膜的晶体结构和光学性能进行研究。结果表明：ZnO：Ga薄膜在热处理后其晶体结构得到明显改善即(002)衍射峰强度增加，半高宽减小，晶化程度提高;在可见先范围内平均透过率由退火前的74％提高到82％以上。并将其应用到非晶硅太阳电池上，发现退火后电池的转换效率提高了1.02％。
29.超声喷雾法制备大面积绒面Sn02：F薄膜及特性的研究
- 赵庚申;赵耀;郭天勇;王庆章
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：详细研究了衬底温度对超声喷雾热分解工艺制备的大面积绒面SnO2：F薄膜的影响和薄膜微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系，试验曲线和SEM图的研究结果表明将衬底温度从370℃提高到470℃以上薄膜结晶程度大大提高，晶粒尺寸明显增大;温度在470℃左右绒度达到13％。文章同时对超声喷雾热分解工艺制备大面积绒面SnO2：F薄膜做了工艺探索，并将实验制得的薄膜用于制备非晶硅薄膜电池，其效率达到了6.46％。
30.菲涅耳透镜点聚焦的太阳能电池的性能研究
- 黄护林;高益兵
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在全球范围内的能源危机和环境压力下，太阳能的光伏利用受到世界各国的广泛重视，近年来取得了快速发展。但是由于硅材料成本较高，太阳电池制造工艺复杂，转换效率相对较低等不利因素阻碍了它的大规模应用。为了降低太阳能光伏发电系统的成本，利用聚光器进行光伏发电被认为是一种有效途径。本文设计了一个菲涅耳透镜点聚焦的聚光光伏系统，模拟了菲涅耳透镜点聚焦的光强分布，并对聚光和非聚光条件下太阳能电池的输出特性进行了数值模拟和实验研究。研究结果表明，对普通的多晶硅电池，在自然冷却条件下，利用低倍聚焦能够较大地提高其输出功率。在聚焦倍数为3倍时，其开路电压略有提高，开路电流能够提高3倍左右。
31.Cu(In，Ga)Se2薄膜材料织构取向及其对电池性能的影响
- 徐传明;张忠卫;王小顺;钱峰伟;曹章轶;吴敏;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：通过XRD、SEM谱，分析了三步蒸发工艺生长的电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜结构特性。在覆有Mo膜的玻璃衬底上，Cu(In，Ga)Se2薄膜沿(112)或(220/204)择优生长变化，其变化趋势极其依赖于Mo膜、衬底温度曲线等薄膜生长参数。通过工艺参数调整，获得了具有(220/204)择优取向的光伏质量吸收层薄膜，制备出的薄膜电池效率达到13.28％(总面积1.44 cm2，AM1.5)。
32.前电极结构对CdTe薄膜太阳电池稳定性的影响
- 汪灵;张静全;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;曾广根
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：薄膜太阳电池的稳定性直接影响到电池在预期使用寿命内的光电转换效率，其研究有重要意义。本文研究了高温下持续光照(80℃，100mW/cm2)对不同前电极结构的碲化镉薄膜太阳电池器件特性的影响。测量了实验前后器件的光暗I-V、C-V，分析讨论了引起器件特性变化的物理机制。
33.纳米硅薄膜的特殊性能及其应用前景
- 何宇亮;李正平;沈文忠
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：随着纳米技术的发展，在信息领域中重要的半导体硅材料已被研制成具有纳米结构的薄膜材料，称之为纳米硅薄膜(nc-Si：H)。经过近二十年的研究发现它具有一系列与其他硅材料不同的性能，具有很多新颖的特性。进入21世纪以来，纳米硅薄膜这一系列新颖性能在新型太阳能电池，耐高温微压力传感器以及各种半导体器件中逐渐显示出它的超出单晶硅元器件新颖性和特殊性，引起人们的注意，本文将对这方面工作进行介绍。
34.用颗粒CdTe制备大面积薄膜及其太阳电池性质的研究
- 黄征;黎兵;曾广根;冯良桓;武莉莉;李卫;张静全;蔡亚平;郑家贵
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：为了进一步简化制备工艺和节约成本，我们研究采用近空间升华(CSS)法通过颗粒CdTe沉积制备CdTe薄膜。从而省去了制源这个环节。制备出了0.12 m2(30cm×40cm)的大面积CdTe薄膜，并对薄膜进行了XRD和SEM分析。将薄膜分成小块，做成结构为Glass/SnO2：F/CdS/CdTe/Au的太阳电池，测试了电池的光照I-V性质。
35.硅基黄铜矿类半导体异质结太阳能电池结构及AMPS-1D模拟
- 吴坚;沈文忠;王栩生;章灵军
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文从理论上研究了晶体硅与黄铜矿类半导体形成异质结太阳能电池的可能性，构造出基于p或n型硅片的不同异质结电池npp+或pnn+结构。通过AMPS-1D软件，本文分析了硅片厚度、背场掺杂浓度及厚度、黄铜矿层的带隙分布及厚度等对PNN+结构异质结光谱响应及J-V曲线的影响，并优化出转化效率达20.27％的电池结构。
36.掺杂对CdS多晶薄膜电学性能影响
- 曾广根;冯良桓;蔡亚平;黎兵;郑家贵;李卫;武莉莉;雷智;张静全
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜，同时将薄膜在400℃进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示：在不同波长的光照下，薄膜显示出不同的电阻值，最小电阻出现在500 nm波长光附近;在光、暗态转换过程中发现，掺杂对电阻弛豫时间影响较大，掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动;掺杂后，薄膜光、暗电导增加，电导激活能(Ea)减少。
37.我国光伏产业发展现状及前景思考
- 赵玉文
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文介绍了国内外光伏产业发展概况和趋势，分析了产业发展推动力，指出“上网电价法”是推动光伏产业发展最科学、最有效的措施。指出国内光伏产业发展的问题是光伏发电市场太小，建议尽快对光伏发电实施“上网电价法”，科学启动国内光伏市场，并给出2010—2020年光伏发展路线图建议。
38.太阳级多晶硅材料技术概况
- 杨德仁;顾鑫
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：过去的几年中，光伏产业发展迅速，其中硅太阳电池是光伏产业的主流。因此，多晶硅材料成为当前太阳电池的基础材料。其研究、开发和生产支撑了光伏产业的快速发展。为了降低太阳级多晶硅的生产成本，近年来多种技术(包括物理冶金技术)被应用来提纯和生产太阳电池用多晶硅。本文概述了目前国际上主要的太阳级多晶硅制备技术，包括西门子法、硅烷法、物理冶金法等，在阐述其原理、提纯过程的基础上，简要介绍了其技术进展。
39.薄膜电池技术现状与发展趋势
- 赵颖;孙云;冯良桓
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文主要对目前薄膜电池研究和产业化的技术现状与发展趋势进行论述，包括硅基薄膜太阳电池、碲化镉薄膜太阳电池和铜铟镓硒薄膜太阳电池，对每种技术分别从国内外现状进行了阐述。
40.光伏系统技术及发展趋势
- 徐永邦;许洪华
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文通过介绍光伏发电系统及关键设备，分析光伏发电系统技术现状，从光伏电站的设计、监控、接入电网、规程规范等方面重点探讨光伏并网发电系统技术。针对我国当前光伏系统技术中的不足，论述了结合集成储能技术、智能电网和微电网的光伏电站发展趋势，探讨光伏系统技术发展方向。
41.新型太阳电池与光伏技术
- 沈文忠;刘文富;陈启婴;陶靓;戴松元;苏未安
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：太阳能光伏应用的普及取决于太阳电池的转换效率和材料价格，当今纳米科学和材料科学的快速发展导致光子能量转换原理革新、光电性能提高和材料价格下降必将对有价格竞争力的新能源技术的发展起到极大的推进作用。本文将简要综述近年采国际上新型太阳电池及光伏技术研究新进展，内容集中在硅纳米线(包括轴向、径向和单根)太阳电池、有机太阳电池、染料敏化太阳电池、等离子体技术在太阳能光伏上的应用和多重激子效应及其在热载流子太阳电池上的应用等五个方面。
42.高质量是光伏行业健康发展之本
- 高纪凡
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：激烈的市场竞争，优胜劣汰，使企业面临着各种关键选择。本文介绍了2010年光伏市场需求，浅谈了树立“居安思危”理念、MTBF(平均无故障时间曲线)以及对高质量的持续追求等光伏行业健康发展的措施。
43.硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响
- 屈盛;曹晓宁;毛和璜;韩增华;周春兰;王文静;张兴旺
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：利用PECVD在硅片上沉积SiNχ：H薄膜，研究SiH4 NH。流量比对SiNχ：H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明，硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分，而且随着SAR的逐渐增加，Si的含量逐渐增加，折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明，Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜，相比Si含量过低或过高的薄膜，呈现出更为稳定的钝化效果。
44.晶体硅太阳电池的暗电流类型分析
- 黄洁;于良成;王栩生;章灵军
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在晶体硅太阳电池生产过程中，容易出现各种不同的暗电流电池片。暗电流能够反映出材料或现有的工艺是否存在问题。也是电池片可靠性的重要参数。本文通过对各种暗电流情况进行分类整理，将其分为十一类，描述相关的漏电情形和电池的暗特性，并分析了造成漏电的可能原因。
45.丝网印刷生产选择性发射极太阳电池的关键问题
- 吴坚;朱冉庆;王栩生;章灵军
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：掩膜后丝网印刷开槽的方法目前已被用于选择性发射极硅太阳电池的生产。适当的重掺杂和浅掺杂方块电阻的搭配以及丝网印刷开槽和正电极图案对准是能形成高效率电池的关键。围绕如何保持生产中的高效率和高良率，本文主要阐述掩膜生长、腐蚀性浆料印刷、扩散、正电极丝网印刷等四类关键问题及其影响。
46.晶体硅电池表面钝化技术进展
- 朱彦斌;梁宗存;陈达明;沈辉
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：随着晶体硅太阳电池技术的不断发展，电池表面钝化变得越来越重要。本文介绍了几种晶体硅电池表面钝化方法，包括等离子体增强化学气相沉积氮化硅、等离子体增强化学气相沉积非晶硅、热氧化二氧化硅以及原子层沉积三氧化二铝。从原理上对它们的钝化机理做出一定分析，并介绍了它们在应用上的优缺点。
47.温度对多晶酸制绒的影响
- 何垚;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：多晶制绒多采用酸性腐蚀的方式，在酸性制绒的过程中会产生大量的热量，从而使反应温度上升很快，这种方式使得连续生产产生困难，所以需要采用外界降温的方式给反应溶液降温。本文中采用了循环冷却系统的降温方式，对反应溶液进行降温，降温效果明显。本文将对这种降温系统进行分析，说明温度对多晶酸制绒的影响。
48.对太阳能电池背电极的研究
- 吴旻;宋佳;刘金宁;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文研究了丝网印刷晶体硅太阳能电池中背面银电极对电池性能的影响。背电极因其银浆直接与硅片接触，烧结后在硅片表面形成的银硅合金造成电极区复合增大，使背电极覆盖面积的电池效率损失。依据对背电极的研究结果，优化了背电极方案。经过优化的背极方案不仅能有效地改善电池性能，并便于应用在规模生产中，同时降低了生产成本。
49.利用腐蚀阻挡层方法制作选择性发射极太阳能电池的研究
- 宋佳;刘金宁;吴旻;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：通过丝网将腐蚀浆料印刷到带有阻挡扩散层的硅片表面，腐蚀出一定宽度的正面栅线图形，此浆料印刷性好，腐蚀性强，清洗方便，无污染，可实现通过腐蚀阻挡层进行选择性扩散。
50.单晶硅太阳能电池的背场钝化技术研究
- 朱冉庆;王立建;吴坚;王栩生;章灵军
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：常规晶硅太阳电池由于没有采用背场钝化技术，只使用铝背场，而经过烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合和背反射效果方面有很大的局限性，并且是铝硅合金区本身即高复合区，限制了电池效率的进一步提高。本文通过试验，着重比较了SiN背场钝化层和SiO2背场钝化层对电池电性参数的影响和变化趋势。通过对电池片IQE分析发现，在使用了SiO2或SiN背场钝化层后，长波区域的IQE响应相比正常电池片有了明显提升，说明SiO2或SiN确实起到了钝化的作用。而再对电性参数分析后发现，SiO2与SiN相比可以有效提高电池的Rsh，降低反向电流。同时在EFF测试方面，SiO2与SiN相比，也具有一定的优势。
51.烧结炉网带对太阳能电池片性能的影响
- 黎慧华;王海艳;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：目前主流的太阳能电池生产工艺采用正面与背面同时快速烧结，然而由于电池片两面对烧结条件的不同要求，炉内气氛与承栽电池片的网带对烧结影响很大。本文对比了主要厂家的两种不同类型网带的烧结情况，分析了其影响及可能原因，并提出了优化网带构造的新设想。
52.激光技术和喷墨打印技术在高效晶体硅电池上的应用
- 刘金宁;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：目前，商业化的晶硅太阳能电池主要依靠传统的丝网印刷技术形成电极。然而目前丝网印刷技术的精度和印刷细栅的高宽比很难再提高，这已经成为制约晶硅电池效率进一步提升的一个主要障碍。激光技术和喷墨打印技术是完全可以代替传统丝网印刷晶硅电池工艺的两种非常有潜力的技术。本文主要介绍了激光技术和喷墨打印技术在高效晶体硅电池上的应用。
53.太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究
- 朱笑东;杨德仁;余学功;李晓强;陈金学
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷吸杂工艺对铁沾污的单晶硅和多晶硅的吸杂效果。随着引铁温度的升高，晶体硅有效寿命快速下降，其中有位错单晶硅有效寿命最低。对不同引铁温度的样品在500℃保温90 min，寿命都有所升高。经900℃/0.5 h+700℃/1.5 h变温吸杂，单晶硅和多晶硅的寿命都有所升高。由于多晶硅中存在各种缺陷，如位错、晶界等，单晶硅的吸杂效果要好于多晶硅。
54.低表面掺杂浓度高效晶体硅太阳电池研究
- 郝子龙;蔡希松;陈琼
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文阐述了在常规生产设备条件下，通过工艺匹配优化，将电池转换效率提高0.3个百分点。具体方案是：用浅结扩散的方法在p型硅基衬底材料表面进行低浓度的磷掺杂;改良正表面电极图案，增加光生载流子收集;为匹配高方阻，调整公司自制银浆配比，采用高温快速烧结工艺，获得良好的欧姆接触。
55.研究丝网制版方式对晶体硅太阳能电池的影响
- 蔡希松;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在如今商业化晶体硅太阳能电池大规模生产中，正电极制备普遍采用的是丝网印刷技术，如何获得精准的印刷图案，减少电极遮光损失是一个值得研究的课题，浆料成分对电极影响固然重要，但是丝网的作用也不能小觑。本文阐述了丝网的两种制版方式，并比较在相同的印刷参数条件下，经过烧结后电极的高宽比和电性能参数。
56.晶体硅电池的氧化硅-氮化硅双层薄膜特性研究
- 冯鑫;刘金宁;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：减少栽流子的表面复合损失，提高钝化效果，采用氧化硅-氮化硅双层薄膜结构是一种比较好的方法。本文通过热氧化方法和PECVD方法生长了氧化硅-氮化硅薄膜。并通过少子寿命测量的方法，研究了不同工艺条件下生长的氧化膜对硅片少子寿命的影响。
57.晶体硅电池的非晶硅薄膜钝化特性研究
- 李钟华;潘盛;孙铁囤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：载流子的表面复合损失已经成为制约晶体硅电池效率提升的首要因素，因此高效钝化薄膜是一种工艺简单并且有效提高功率的方法。本文通过PECVD的方法，生长了非晶硅钝化薄膜，通过少子寿命测量的方法，研究了不同工艺条件下在晶硅表面上的钝化效果。
58.RF-PECVD法制备柔性衬底非晶硅锗薄膜太阳电池
- 杨君坤;刘成;叶晓军;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用射频等离子体辅助化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备了一系列玻璃衬底上的非晶硅锗薄膜及不锈钢柔性衬底上的非晶硅锗单结太阳电池。对非晶硅锗薄膜进行了拉曼散射谱的研究，指认了主要的散射峰位。对不同锗含量的非晶硅锗太阳电池，研究了不同沉积温度对其开路电压的影响，确定了合适的本征层沉积温度。并在本征层中采用了简便易行的带隙渐变设计，在AM0光谱条件下获得了填充因子达到0.64、光电转换效率超过6％、且具有较好均匀性的柔性非晶硅锗单结薄膜太阳电池。
59.大面积喷淋式电极VHF-PECVD反应室等离子体模拟
- 葛洪;张晓丹;赵颖
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：针对大面积喷淋式电极甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECvD)反应室，本文应用多物理场耦合分析软件CFD-ACE+，建立二维自适应流体模型。模拟研究了硅薄膜沉积过程中电极间流体场、电场空间分布时等离子体空间分布均匀性的影响，给出了薄膜沉积速率分布均匀性随反应气体流量、等离子体激发频率及辉光功率的变化规律。本文的模拟结果从理论上为大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室设计以及反应室工艺条件的优化指导。
60.非晶硅薄膜太阳能电池温度系数的测试与研究
- 何凤琴;朱文献
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：工作温度对太阳能电池伏安特性有着非常重要的影响。一般来说，相同的日照强度下，温度升高，则太阳能电池的短路电流升高，开路电压、功率以及效率下降;温度下降，则反之。故光伏系统工程在设计时应对电池片温度变化添加温度修正系数。本文阐述了一种适用于国际标准的非晶硅薄膜太阳能电池温度系数测量方法。并对测试结果进行了归纳和分析，总结了单结和双结非晶硅薄膜太阳能电池各个参数对温度响应的敏感程度，并针对各个参数给出了具体的温度修正系数。对于完善非晶硅薄膜太阳能电池温度系数的测试以及换算其在不同工作温度下的响应具有重要意义。
61.反应气体流量对大面积p型微晶硅窗口层材料性能的影响
- 任慧志;赵颖;张晓丹;许盛之;王宗畔;段苓伟;葛洪
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速率随着气体流量的增加而提高，材料的平均晶化率随着气体流量的增加而降低，平均暗电导率随气体流量的增加而减小。在薄膜厚度为32nm时，获得了最大平均暗电导率0.85S/cm、厚度不均匀性±4.9％、最大平均晶化率62％的高质量p型微晶硅窗口层材料。
62.Forming Gas退火对太阳电池性能的影响分析
- 李海玲;张瑶;刁宏伟;周春兰;赵雷;王文静
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用实验室工艺制得的太阳电池经Forming Gas退火(FGA)处理后发现太阳电池效率明显提升。经退火后，电池的开压、短路电流及填充因子都有改善。经对比试验和PCID模拟对电池性能提升因素进行了分析，认为表面复合的降低是主要原因。同时，FGA处理对电池接触电阻也有改善。
63.RIE制绒在多晶高效太阳能电池中的应用分析
- 陈亮;金浩;盛健
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：长久以来多晶硅太阳能电池的制绒工艺一直都是采用HF/HNO3的酸刻蚀系统，制绒反射率为20％左右，这已逐步成为多晶硅电池发展的瓶颈工艺;而RIE(反应离子制绒)工艺采用SF6和O2以及Cl2的干法刻蚀系统，通过对工艺参数的控制可以实现1％～20％反射率，这在很大程度上增加了电池的光吸收，但RIE制绒在制绒的同时会产生一定的损伤层，需要通过HF/HNO2的去损伤处理才能实现电池效率的提升。本文主要针对RIE制绒的去损伤工艺及后续电池生产工艺进行分析，通过对不同浓度配比的HF/HNO3去损伤工艺及针对RIE制绒的扩散，表面钝化工艺进行优化，实现多晶电池效率提升的目标。
64.多晶RIE制绒工艺与高方阻工艺结合的应用前景与产业化分析
- 盛健;金浩;陈亮;蔡文浩
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文分析了在多晶硅制造工艺中结合RIE(反应离子刻蚀)工艺和高方阻工艺的产业化应用前景。由于RIE制绒工艺可以在多晶体硅片表面制得低反射率的绒面，此种工艺受到了越来越多的关注及更为广泛的研究。此外，随着对正面银浆的研发水平的不断提高，在晶体硅太阳能电池产业化中，高方块电阻的太阳能电池工艺对电池性能的提升起到了越来越关键的作用，并得到了广泛的推广。考虑到它们各自的优势，本论文中，我们将RIE工艺和高方阻工艺结合应用于多晶硅太阳电池，用于分析将这两种工艺结合应用的产业化可行性及其应用前景。
65.高效低成本SE单晶电池的研究
- 许艳;邓伟伟
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：目前选择性发射电池已经成为晶体硅电池研究的方向之一，并逐渐应用于大规模生产。因此如何优化SE电池制造工艺、降低生产成本也成为研究的热门。本文着重阐述丝网印刷制作单晶低成本高效SE电池的工艺，即通过SiO2掩膜→丝网印刷刻蚀浆料→扩散形成选择性发射电池，并实验验证了优化金属化工艺后，批量生产平均效率比常规工艺提高近1％。
66.高折射率对晶体硅太阳能电池电性能的影响
- 巢芳家;贺洁;李志伟;平飞林;何达能
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：因氮化硅良好的化学和电学性能，将氮化硅作为减反射和钝化膜已经广泛的应用于晶体硅太阳电池的工业化生产。本文以目前常规的工业化高效电池工艺为基础，考察了高折射率对晶硅太阳能电池主要电性能参数的影响。实验表明当折射率提高到2.18(膜厚为77nm)时，电池的转换效率比正常工艺低了0.56％，电性能良率比正常工艺低了28.62％。主要是Rsh失效比例急剧上升到28.50％，这种失效模式为我们在制造过程中查找失效原因又提供了一个新的方向。
67.太阳能电池减反射膜的工艺研究
- 徐华浦;王庆钱
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：SiN薄膜具有卓越的抗氧化性和绝缘性能，同时化学稳定性也很好。因此目前硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN作为减反射膜，SiN中存在大量的H对硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用。SiN薄膜的厚度和折射率对电池片的效率有很大影响。本文用PECVD系统以硅烷和氮气为气源制备了SiN薄膜，研究了在沉积的过程中，不同工艺条件对电池片性能的影响。
68.EWT硅太阳电池背面pn区域界定的几种实现方法
- 赵恒利;涂洁磊;姚丽;李雷;李光明;何京鸿;张树明
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面pn区域的界定。本文概述了激光刻槽法、丝网印刷法、二次扩散法及化学镀敷法等目前国际上研究较多的几种实现背面pn区域界定的方法，对其实现原理、制造技术及发展概况做了系统介绍和比较，并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
69.新型表面活性剂在单晶硅太阳电池制绒工艺中的应用
- 张简
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在单晶硅太阳电池制绒工艺中，通常使用异丙醇(IPA)或乙醇作为表面活性剂来调节制绒液的工艺特性。该类溶液存在不稳定、重复性差、难以控制等缺点，本文作者根据工业生产化工原料的选用原则，优选出符合“无毒(低毒)、环保、高效，经济”的添加剂，并对新型表面活性剂进行了研究和实验，给出一种稳定实用的制绒液表面活性剂。
70.晶体硅太阳能电池生产厂房设计/施工要点
- 徐湘华;车俊;刘鹏涛;田猛
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：晶体硅太阳能电池生产工艺有其自身的特点，本文据其生产工艺特点，就生产厂房的设计布局、施工技术及施工管理等方面的工程实践做了总结，归纳了晶体硅太阳能电池厂房施工中的一些经验与教训，以供同类厂房的建设安装参考。
71.以SiNχ为扩散阻挡层的选择性发射极电池技术
- 季根华;魏青竹;马跃;陈文浚;王景霄
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：选择性发射极(SE)技术是各类高效电池的基础技术，同时也是降低每瓦单耗的有效手段。本文主要评估了以SiNχ作为扩散阻挡层的基于丝网印刷的SE电池技术，通过在SiNχ上印刷腐蚀性浆料，经两次扩散形成SE结构。在分析中，采用量子效率测试表征电池短波响应;采用Suns-Voc测试表征电池扩散结特性;采用WT-2000跟踪制程中体寿命的变化。结果表明，以SiMχ为阻挡层的SE技术能有效地提高电池效率，且具有热成本低、可控性好等优点，可用于大规模工业生产。
72.正极银浆对高方阻浅结单晶硅太阳电池的影响
- 朱敏杰;夏正月;马跃;陈文浚;王景霄
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：用新型正极银浆A和常规商业化银浆B匹配高方阻浅结，结果表明0.1太阳下n值，对相同方阻而言，A银浆可以获得更好的欧姆接触、更优的结特性。对于不同方阻，采用B银浆高方阻在0.1太阳下n值比B银浆常规方阻电池高0.3以上，这导致电池填充因子绝对值下降接近1％;采用A银浆后，高方阻电池0.1太阳下的n值明显改善。I-V结果表明A银浆配合高方阻发射结(<0.3μm)，相对B银浆配合常规方阻发射结转换效率可以提高绝对值0.2％以上。以上表明正极浆料对单晶硅太阳电池硅片，尤其是高方阻浅结单晶硅太阳电池的制作中是非常关键的。
73.超纯氨杂质分析
- 谭云;张琳
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：超纯氨现广泛应用于LED、TFT、集成电路等领域，在PV行业，则作为晶体硅太阳能电池中氮化硅薄膜重要的氮源，它的质量对太阳能电池起着至关重要的作用，因此对其分析技术提出了较高的要求。本文论述了超纯氨中痕量杂质的分析方法，特别是使用光腔衰荡光谱法对极具挑战性的超高纯度气体中微量水分的分析。
74.硅块表面抛光对切割良率及碎片率的影响
- 张存新;Kengo Nakano;李建敏;章金兵
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：硅片在生产加工过程中会产生崩边、边缘、隐裂等不良品，其中硅块的磨面、倒角环节是造成硅片隐裂等不良的主要原因之一。本文对比了两种不同的抛光工艺，即普通金刚石抛光和软刷磨面抛光工艺对硅块表面粗糙度及损伤层的影响。结果表明，不同的抛光工艺会产生不同的硅块的表面粗糙度及损伤层，而通过损伤层的厚度可以定量描述研磨工艺对硅块产生应力作用。由于较大的内应力容易造成硅决裂纹向内部延伸，从而导致崩边、边缘、隐裂片等不良品的产生，因此优化硅块的表面抛光工艺可以有效地减少后续切片工艺产生的隐裂片和裂片率。通过这一有效措施，切片的收率提高约3.47％，良率提高了约2.58％。
75.铸锭多晶硅底部低少子寿命区域的研究
- 刘林艳;胡动力;程小娟;游达
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：利用μ-PCD(微波光电导)少子寿命测试仪对铸锭多晶硅底部区域20～35 mm的少子寿命进行研究。结果显示：对于初生硅块，硅块底部存在35 mm的红边区(少子寿命<2μs)，通过650℃退火30 min，硅块底部的红边区减少至20 mm。多晶硅底部20～35 mm区域初生硅片的少子寿命在O.8～1.4μs之间，通过650℃退火30 min，少子寿命增加至1-5～1.7μs。底部区域少子寿命偏低的原因与表面的复合速率有着直接的关系，与硅片的真实体少子寿命无关。后续电池片的数据表明，该区域的电池效率和光衰减均在合格标准内，完全可以用于生产。
76.西门子法多晶硅绿色生产工艺
- 吴锋;钟真武
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：改良西门子法作为全球主流多晶硅生产工艺。近年来在光伏行业大发展的驱动下仍在持续进步。但是大批后来者在工艺选择上，仍存在短视甚至盲目性，导致副产物利用不合理、成本偏高等瓶颈问题，形成大量低端产能。江苏中能综合利用氯氢化、反歧化、高效还原等关键技术，消化了全部副产物，实现了完全厂内闭路循环生产，最大幅度降低了对外依赖。该工艺模式既可以显著降低物料成本，又确保了绿色清洁生产的真正实现，代表了目前西门子法工艺改良的最佳水平和未来较长时间内的发展趋势。
77.氢气对脉冲磁控溅射掺铝氧化锌薄膜性能的影响
- 李林娜;陈新亮;张德坤;张晓丹;赵颖
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AzO)薄膜，通常在纯氩气环境中制备的AZO薄膜透过率较低。以AZO透明导电薄膜作为硅基薄膜太阳电池的前电池，较低的透过率将严重影响电池的光电转换效率，这对AZO薄膜是十分不利的。为了提高AZO薄膜的透过率，我们在溅射过程中加入一定流量的氢气，以高纯ZnO：A12O3陶瓷靶为溅射靶材，制备AZO透明导电薄膜。通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能，详细地研究了氢气流量对AZO薄膜性能的影响。溅射过程中引入氢气，可以促进薄膜的晶化，提高薄膜的迁移率和透过率(400～1100nm)。采用纯氩气溅射制备AZ0薄膜的电阻率为5.664×10-4Ω·cm，加入氢气后薄膜的电阻率降低至4.435×10-4Ω·cm。在Raman测试结果中，可以观察到表征氧空位缺陷的Raman峰(579cm-1)强度随氢气流量的增大而减小。与AZO薄膜相比，在氢气气氛中溅射制备的AZO/H薄膜，腐蚀后更容易获得具有陷光效应的“弹坑”状表面形貌。
78.基于提高太阳电池效率的光管理研究
- 张晓丹;赵颖;黄茜;王东丰;岳强;耿新华;熊绍珍
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文以尽可能提高现有电池的太阳光利用为出发点，采用低成本的水热技术进行了上转换材料的研究，其目的是将现有电池不能吸收利用的长波段的近红外光转换为可以吸收的可见光;结合硅薄膜太阳电池的原位沉积技术提出了n型微晶硅氧作为电池背反射电极和叠层太阳电池的中间层以提高光在电池中的有效光程，在提高电池短路电流密度的同时也能提高电池的光电转换效率;利用金属银(Ag)颗粒所具有的等离子激元特性，时其在电池中的应用从光利用和电学特性两个方面进行了针对性的研究。
79.太阳能电池用透明导电AZO薄膜室温生长及其性能研究
- 王钰萍;吕建国;别勋;龚丽;叶志镇
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃和柔性衬底上制备铝掺杂氧化锌(ZnO：Al，简称AZO)透明导电薄膜，研究了Al含量和氩氧比对薄膜特性的影响。室温条件下，优化参数后可获得透光率超过90％、电阻率低至10-3Ωcm量级的AZO透明导电膜。所制得的AZO薄膜在太阳能电池及柔性器件的应用上具有较大的优势和应用前景。
80.冰乙酸对超声喷雾热分解法制备ZnO：In影响
- 焦宝臣;张晓丹;赵颖;魏长春;孙建
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用超声喷雾热分解法，在eagle 2000村底上制备出In掺杂znO薄膜(ZnO：In)。通过EDS测量薄膜中[In]/[Zn]原子比、电学特性和结构特性的分析，研究了不同冰乙酸掺入量对不同In掺杂比的ZnO：In薄膜特性的影响。前驱液中加入适量的冰乙酸有利于ln掺入到ZnO薄膜中。当1at％In掺杂、冰乙酸掺入量为0.1时获得的薄膜具有较为规则三角块状颗粒的表面形貌，同时电学特性较好：电阻率7.14×10-3Ωcm、迁移率7.27 cm2V-1s-1、载流子浓度1.203×1020cm-3;当2at％In掺杂、冰乙酸掺入量为0.18时能够电学特性较好的薄膜：电阻率6.82×10-3Ωcm、迁移率7.25 cm2V-1s-1、载流子浓度1.262×1020m-3。
81.TCO镀膜玻璃及其光伏应用技术
- 刘志斌;胡盛明;宋光耀
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：TCO(transparent conducting oxide)膜层，即透明导电氧化物膜层，是通过物理或者化学镀膜的方法在介质表面沉积的一种同时具有较高透过率及电导率的氧化物薄膜。本文介绍了目前受到广泛关注的3种TCO膜层(ITO、FTO和AZO)。通过对它们的膜层性质、主要特点、制备技术和主要应用领域等方面的对比及介绍对这些膜层进行系统性的讨论。文中重点对当前光伏领域尤其是非晶硅薄膜电池生产领域对TCO膜层玻璃的要求和应用技术进行介绍;阐述和探讨了TCO玻璃各种光电性能对于非晶硅薄膜电池产品功率和转化效率进一步提升可以提供的帮助。
82.水热法制备ZnO透明导电薄膜及特性研究
- 王业勤;娄朝刚
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用水热法在室温条件下，通过控制前驱溶液的pH值和生长温度，在预先镀有ZnO籽晶层的Si基上制备出了ZnO透明导电薄膜，并对其表面形态、生长取向、透过率以及电阻率进行研究。本文还对采用水热法制备掺镓的氧化锌透明导电薄膜的工艺进行了初步探索。结果显示，ZnO纳米棒沿c轴择优生长并具有六角柱结构，在pH值为10.5、温度90℃时，能得到取向性好，直径均匀的ZnO纳米棒阵列。而掺杂氧化锌纳米棒的制备则需要更进一步的研究。
83.降低表面等离子激元在薄膜电池中引入寄生损失的途径研究
- 黄茜;张晓丹;刘阳;孙建;赵颖;熊绍珍
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手，较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元特性的影响问题。通过对复合薄膜的紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析，指出具有绝缘性的A12O3介质薄膜能够起到良好的表面电场定域效果，且不会引入附加的光吸收损失;而导电性的ITO薄膜则会引入表面价电子的溢出损失，促进了表面电场的衰逝，同时引起长波方向上显著的光学损失。该研究还表明致密的AlzO3介质薄膜能够起到良好的阻挡作用，且被包裹的纳米Ag颗粒表面等离子激元特性仅受最近邻的A12O3薄膜特性的影响。以上研究结果为实现在硅基薄膜太阳电池中对纳米Ag颗粒的阻挡、寄生光吸收损失的降低以及表面高能电场的利用，提供了一条有效的解决途径。
84.多晶硅薄膜电池的二维模型结构模拟
- 王烁;刘会刚;倪牮;岳强;李娟;丁思唯;张晓丹;赵颖;熊绍珍
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：对于多晶硅薄膜电池进行计算机模拟时，由于多晶硅薄膜中晶粒间界的存在，一维条件下的电池模型已不再能满足要求。因而本文中采用sILVAC0公司的TcAD仿真软件构建二维多晶硅薄膜电池模型，对电池吸收层中的晶粒内部及晶粒间界的材料特性分别进行定义，研究了晶粒间界处缺陷态密度与晶粒尺寸对于多晶硅薄膜电池性能的影响。
85.n型晶体硅/p型非晶硅异质结太阳电池的研制
- 柳琴;叶晓军;刘成;李红波;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：研究了不同的硅片表面钝化方法，分析了硅片表面的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3mm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命，从而提高HIT太阳电池的开路电压。同时发现，在硅片背面引入重掺杂背场提高了HIT太阳电池的长波段光谱响应和开路电压。对制备工艺综合优化后，得到了光电转换效率为16.75％(Voc=0.596 V，Jsc=41.605 mA/cm2，FF=0.676，AM1.5，25℃)的HIT太阳电池。
86.不同衬底对HWCVD制备多晶硅薄膜结晶性能的影响
- 张磊;沈鸿烈;黄海宾
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：以SiH4和H2作为反应气体，采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用拉曼(Raman)光谱，X射线衍射(XRD)和傅里叶红外(FT-IR)吸收谱研究了不同衬底对样品的晶化率、择优取向和薄膜应力的影响。研究发现单晶硅片对多晶硅薄膜有很强的诱导作用，在取向不同的硅片上沉积多晶硅薄膜的结晶性能也有所不同，si(111)的诱导作用优于Si(100)的。通过对拉曼光谱进行分峰拟合计算得到除以石英为衬底的样品外，其他三种样品的晶态比均在90％以上，尤其以单晶硅片为衬底的样品更高。通过Fr-IR测试分析发现，以石英玻璃，AZO为衬底的样品中有相对较多的非晶成分，而以Si(100)和Si(111)为衬底的样品中非晶成分很少。XRD测试结果显示四个样品均为(111)择优取向，并且石英，AZO，Si(100)上沉积的多晶硅薄膜中均存在压应力。
87.ITO/AZO透明导电薄膜制备及在太阳能电池中的应用
- 王超;曾湘波;姚文杰;刘石勇;谢小兵;彭文博;肖海波;王占国
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：硅基太阳能电池的前电极与p层接触时产生的反向势垒会极大削弱电池的性能。与掺锡氧化铟(In2O3：Sn，ITO)相比，掺铝氧化锌(ZnO：Al，AZO)具有较高的功函数，可以降低反向势垒的作用。此外ITO与AZO形成的多层复合薄膜比单层膜具有更好的电学性能。本文利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ITO/AZO多层复合透明导电薄膜。在保持复合薄膜总厚度不变的情况下，研究了AZO层的厚度时复合薄膜光学性能、电学性能的影响。实验结果表明随着Az0层厚度的增加，复合薄膜的在可见光范围内的透射率略有降低，电学性能测试表明复合薄膜的电阻率随着AZO厚度的增加先降低后增加。在最优情况下获得的复合薄膜电阻率与单层ITO薄膜相比降低20％。将ITO/AZO复合膜应用于非晶硅太阳能电池上，在400～550 nm范围内量子效率有显著提高。
88.直流磁控溅射ZnO：Ga薄膜的性能研究
- 谢轲;蔡宏琨;陶科;宋玲妍;张德贤
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文分别以PEN和玻璃为衬底材料，用直流磁控溅射的方法制备ZnO薄膜，作为pin型非晶硅太阳电池的面电极。在不同的溅射功率下，Zn0薄膜表现出不同的光学特性和电学性能。对比玻璃和PEN衬底，通过XRD、霍尔等测试发现不同衬底Zn0薄膜的光电特性和结构具有相同的变化规律。将优化的ZnO薄膜应用于透明柔性衬底PEN作为pin型非晶硅薄膜太阳电池的面电极。
89.X射线光电子谱方法研究CdTe/CdS异质结界面
- 韩俊峰;廖成;江涛;谢华木;焦飞;陆真冀;赵夔
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：CdTe/CdS异质结是CdTe电池光电转换的核心部分。X射线光电子谱(XPS)是研究材料界面成分分布、能带结构的有力工具。我们使用化学水浴的方法在FTO薄膜上制备CdS膜，使用密闭空间升华的方法制备CdTe膜，对CdTe/CdS异质结进行CdCl2退火处理。采用Ar离子深度方向刻蚀，XPS测量的方法，分析CdTe/CdS界面。通过对退火前和退火后CdTe/CdS界面处S、Te的内层电子谱图的分析，得到CdTe/CdS界面成分分布和能带结构的信息。我们发现，退火后CdS和CdTe相互扩散加强，减少了界面晶格失配造成的缺陷，CdTe侧能带弯曲，从而获得更高的异质结自建势，因此CdCl2退火处理有利于制备高效的CdTe太阳能电池。
90.化学水浴法制备CIGS薄膜太阳电池缓冲层CdS薄膜的研究
- 曹章轶;吴敏;张忠卫;钱峰伟;徐传明;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用化学水浴沉积法(CBD)分别在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中沉积CdS薄膜。对两种Cds薄膜的表面形貌、晶体结构、光透过率和薄膜成分等性能进行了研究。两种溶液体系下沉积的CdS薄膜的厚度为60 nm，无微孔排列致密，光透过率高，S/cd原子比约为0.94。相对而言，醋酸镉溶液体系沉积的CdS薄膜的择优生长更明显，薄膜表面的白色沉淀颗粒较少，禁带宽度值略小。采用两种溶液体系沉积的CdS薄膜作为聚酰亚胺衬底铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se2,简称CIGs)柔性薄膜太阳电池的缓冲层，电池的转换效率分别达到6.42％(醋酸镉体系)和6.35％(硫酸镉体系)(电池总面积0.64 cm2，标准光谱AM0)。
91.高转换效率CdTe薄膜太阳能电池研究和制备
- 白治中;王德亮
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：CdTe/CdS异质结太阳能电池是最具有应用前景的低成本太阳能电池之一。本研究采用化学水浴法和近空间升华法制备了高质量的CdS和CdTe薄膜。利用X射线衍射和扫描电子显微镜研究各层薄膜以及CdTe/CdS界面的形成。在高质量薄膜的基础上改进CdCl2热处理过程，制备了具有以下结构的异质结太阳能电池：玻璃衬底/FTO/CdS/CdTe/Cu：Au/Ag。改进电池后处理工艺，系统地研究了溴甲醇溶液蚀刻处理过程和背接触层中铜含量的影响，获得了合适的Cu/Te缓冲层。研究了电池的伏安特性和量子效率。得到了在标准AMl.5条件下转换效率为13.2％的CdTe/CdS高效薄膜太阳能电池。
92.铜铟镓硒薄膜太阳电池光学特性研究
- 钱峰伟;徐传明;张忠卫;吴敏;曹章轶;陈鸣波
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文较为详细地对铜铟镓硒(C1GS)薄膜太阳电池进行了光学特性优化设计。在综合考虑电池各层材料吸收与反射光学特性基础上，利用干涉矩阵方法理论计算出电池的表面加权平均反射率Rw、CIGs吸收层吸收率Aw等系列光学评价参数。对比分析当采用Rw和Aw两种评价参数条件时CIGs电池光学设计结果差异的原因。当采用Aw作为评价参数时，结合窗口层ZnO和缓冲层CdS的光吸收率，能更为直接地反映出电池的实际光生电流值。当电池附加有减反射膜材料№F2或SiO2时，在模拟计算绘制出电池表面的反射谱和吸收层吸收谱基础上，分析减反射膜层厚度最佳值，以及这两种材料对CIGS电池光学性能的影响。
93.原位拉曼研究染料敏化太阳能电池Ti02电极吸附染料的降解
- 吴昆杰;王德亮
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：采用原位拉曼在激光光照下，研究染料敏化太阳能电池TiO2电极吸附染料的稳定性。在激光诱导降解过程中，研究了不同因素对降解速率的影响：电解质中水含量、TiO2薄膜厚度和薄膜表面热处理。结果表明，降解测试过程中降解速率随水的含量增加而减小。用两步反应机理，结合染料激发态寿命(金属中心离子——配体跃迁激发态)，采解释这种现象。较厚的TiO2薄膜有利于吸附染料的稳定;TiO2薄膜表面热处理使用还原性的气氛，有利于减小染料降解速率。当染料吸附于较厚TiO2薄膜上时，染料分子共轭性较好，染料与TiO2导带之间的电子耦合也较好。若吸附位置处于氧空位-Ti31。型的表面缺陷上(在还原性气氛中处理的TiO2薄膜表面有较多的这种缺陷)，染料与TiO2导带之间的电子耦合也比较强。这种强的耦合使得染料激发态寿命变短，染料因而更稳定。
94.多孔纳米TiO2薄膜的制备及其光催化活性
- 那日苏;周炳卿;郝丽媛;王立娟;韩兵
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：本文以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、冰醋酸、去离子水和聚乙二醇1000(PEG)为原料，采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺，在玻璃衬底上制备锐钛矿纳米TiO2多孔薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)，SEM和紫外可见光谱(UV/vis)对纳米TiO2多孔薄膜进行表征。结果表明：实验制备的TiO2多孔薄膜为锐钛矿晶型，在42mL钛酸丁酯溶液中添加0.30 g聚乙二醇1000(PEG)使薄膜形成多孔结构，并提高了光的催化性能。在90min内，纳米TiO2多孔薄膜对甲基橙的脱色率达到19.90％，纳米TiO2多孔薄膜表面孔径范围在20～50nm之间。同时在TiO2反应体系中，胶体在75～80℃加热1h后，粒子偶联在一起，形成了TiO2纳米棒。
95.PET/ITO/ZnO薄膜的制备及其性能研究
- 张兴;张静全;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;雷智;曾广根
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：PET/TCO可用于柔性太阳电池及其他柔性电子器件，在常规的PET/TC0结构上沉积一层体电阻率较高的TCO层，可改善相应的电子器件的性能。本文采用磁控溅射镀膜的方法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3：SnO2(ITO)薄膜和高阻过渡层ZnO薄膜。通过四探针、紫外可见分光光度计、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征，研究不同厚度ZnO薄膜过渡层对ITO/ZnO薄膜微观结构和光电性能的影响。
96.基于MIS系统对有机太阳电池中LiF阴极修饰层机理的分析以及最优厚度的控制
- 席曦;朱凡;李文佳;施正荣;季静佳;李果华
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：对有机太阳电池进行电极修饰，是显著提高器件电性能的有效手段之一。其中LiF是最为常见的阴极修饰材料。本文对添加LiF阴极修饰层的器件进行了细致的研究。通过MIS模型分析载流子和光生激子的输运情况，定性地解释了LiF阴极修饰层的工作机理和作用。同时对LiF阴极修饰层的厚度进行的研究，最终确定其最佳厚度值应该控制在1.5nm左右。
97.走可持续发展之路——博弈时代的光伏产业创新之道
- 施正荣
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：随着产业政策和国际市场的推动，全球光伏产业可谓百花齐放，技术创新和规模效应推动太阳能发电成本愈来愈低、太阳能光伏应用愈来愈广泛。本文指出光伏产业已进入全球博弈时代，浅谈了中国光伏产业的发展现状，探讨了博弈时代的中国光伏产业创新之道。
98.中国光伏发电平价上网发展路线图探讨
- 李俊峰;王斯成
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：文章介绍了国内外光伏发展现状和发展趋势，介绍了国外主要国家的光伏发展路线图和发展目标。根据我国的实际情况对中国光伏发电的平价上网发展路线图进行了探讨，从光伏技术、产业和市场各方面提出了相应的发展路线和阶段目标，对国内光伏发展的障碍进行了分析，并对如何实施发展路线和实现最终目标提出了设想和政策建议。
99.聚光光伏光热技术进展
- 张耀明
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：在能源危机和全球气候变暖的压力下，光伏产业高速成长，将逐步成为未来能源的主体。本文分析了中国光伏产业的现状和存在的问题，建议实行激励政策推动光伏产业技术创新，大力推进光伏技术市场化。
100.磁场对硅太阳电池基体材料杂质的能级调控及其对转换效率的影响
- 孙煜;赵雨
- 《第十一届中国光伏大会暨展览会》 | 2010年
摘要：某些基体材料杂质对太阳电池的转换效率有显著的消极影响。磁场可以使杂质原子能级分裂，即可以改变杂质原子的能级位置。提出一种借助磁场减小杂质元素对太阳电池转换效率消极影响的方法。以杂质元素锰为例，定量计算了磁场对该杂质元素能级分裂作用，并定性分析了这种能级分裂对太阳电池转换效率的影响。