无铅压电陶瓷
无铅压电陶瓷的相关文献在2000年到2023年内共计1066篇,主要集中在电工技术、化学工业、无线电电子学、电信技术
等领域,其中期刊论文514篇、会议论文75篇、专利文献425708篇;相关期刊117种,包括聊城大学学报(自然科学版)、西华师范大学学报(自然科学版)、材料导报等;
相关会议37种,包括特种陶瓷行业发展及粉体制备研讨会、第十七届全国高技术陶瓷学术年会、第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议等;无铅压电陶瓷的相关文献由1545位作者贡献,包括肖定全、朱建国、周昌荣等。
无铅压电陶瓷—发文量
专利文献>
论文:425708篇
占比:99.86%
总计:426297篇
无铅压电陶瓷
-研究学者
- 肖定全
- 朱建国
- 周昌荣
- 赁敦敏
- 余萍
- 刘心宇
- 李月明
- 袁昌来
- 杨华斌
- 廖运文
- 陈国华
- 王竹梅
- 沈宗洋
- 吴浪
- 龚文
- 周沁
- 吴超峰
- 江向平
- 侯育冬
- 李敬锋
- 江民红
- 洪燕
- 俞胜平
- 吴家刚
- 朱满康
- 张波萍
- 王矜奉
- 高峰
- 严辉
- 徐志军
- 成钧
- 李伟
- 戴叶婧
- 初瑞清
- 廖润华
- 李灵芝
- 鄢洪建
- 臧国忠
- 高洪伟
- 李永祥
- 李海涛
- 杜鹃
- 田长生
- 谈国强
- 赵小波
- 孙勇
- 李国荣
- 王轲
- 大林和重
- 山崎正人
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高峰;
王楷焱
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摘要:
以Na_(2)CO_(3)、K_(2)CO_(3)、Li_(2)CO_(3)、Nb_(2)O_(5)和GeO_(2)为原料,通过常规固相反应法制取掺杂0.5wt%GeO_(2)的(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)(KNLN)(x=0.05、0.055、0.06、0.065、0.07、0.075、0.08、0.085)无铅压电陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、阻抗谱(IS)和扫描电子显微镜(SEM)研究烧结助剂GeO_(2)对(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)陶瓷致密度、相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:GeO_(2)的加入有效地降低烧结温度,烧结发生在920~1025°C的较宽温度范围内;除x=0.085外,所有陶瓷均能良好烧结并具有纯钙钛矿结构;当LiNbO_(3)的含量小于0.07时,随着LiNbO_(3)含量的增加,居里温度T_(C)逐渐升高,正交-四方相的转变温度T_(O-T)逐渐降低;当LiNbO_(3)的含量等于0.07时,正交-四方相的转变温度T_(O-T)降至室温,压电性能较好。
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赵桂媛;
王娣;
刘润政;
郑永卓;
吕蓉娜;
郝继功;
李伟
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摘要:
近年来,钛酸铋钠(BNT)基压电陶瓷材料因其独特的场致相变效应表现出巨大电致应变响应,并在驱动器方面展现出巨大应用潜力。采用传统固相合成工艺制备了具有优异电致应变性能和温度稳定性的(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.935)Ba_(0.065)TiO_(3)-xSrMAlO_(4)(xSrMAlO_(4),M=La、Y)系无铅压电陶瓷材料,并研究了SrMAlO_(4)(M=La、Y)组元对陶瓷相结构及电性能的影响。SrMAlO_(4)组元的引入促使陶瓷的相结构由三方-四方共存相向单一伪立方相转变,并破坏了基体材料的铁电有序性,诱导出弱极性相,进而大幅度提高了材料的电致应变性能。当SrMAlO_(4)掺杂含量为0.9%(摩尔分数)时,材料获得了最佳的电致应变性能:70 kV/cm电场下,其单向应变值分别为0.39%(M=La)和0.44%(M=Y),对应大信号d_(33)^(*)常数分别为557 pm/V(M=La)和629 pm/V(M=Y),高应变响应来源于电场驱动下弱极性态到铁电态的转变。此外发现,经0.9%(摩尔分数)SrMAlO_(4)(M=Y)改性的陶瓷材料在室温至100°C之间表现出优异的温度稳定性,在驱动器等器件方面展现出良好的应用潜力。
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伍子成;
沈宗洋;
宋福生;
骆雯琴;
王竹梅;
李月明
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摘要:
采用固相反应法制备了Ce_(x)Ca_(1−x)Bi_(4)Ti_(4)O_(15)(CCBT,x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)铋层状高温压电陶瓷,研究了A位Ce掺杂对陶瓷晶体结构、微观结构、介电、压电性能的影响规律。结果表明:所有样品的主晶相均具有m=4的铋层状结构,当x≥0.08时,出现Bi_(2)Ti_(2)O_(7)焦绿石杂相。当Ce掺杂量x=0.06时,样品具有最高的压电常数(d_(33)=17 pC·N^(−1)),是纯CBT陶瓷(d_(33)=8 pC·N^(−1))的两倍以上。同时,该陶瓷还具有居里温度高(T_(c)=773°C)、室温下介电损耗低(tanδ=0.7%)、电阻率高(ρ=6.4×10^(7)Ω·cm@500°C)的特点,且在550°C退火后,其d_(33)仍保持14.2 pC·N^(−1),超过室温值的80%,是制作高温压电传感器的理想陶瓷材料。
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李玮;
周昌荣;
黎清宁;
李蕊;
侯凌浩;
孟天笑
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摘要:
BiFeO_(3)基无铅压电陶瓷常因漏电流较大而压电性能欠佳,然而,改善其绝缘性和电性能的方法都较为复杂,限制了其产业化生产与应用。本工作在不针对0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)陶瓷进行组分掺杂以及气氛烧结的条件下,仅通过简单的原料预处理(改变Fe_(2)O_(3)原料的干燥时间)即实现了其高绝缘性与高压电性能。研究结果表明,0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)陶瓷的晶粒尺寸和绝缘性随Fe_(2)O_(3)原料干燥时间的增加而增大,同时其电性能及温度稳定性也随之增强。当原料干燥时间为192 h时,样品晶粒尺寸最大,绝缘性最好,同时其压电性能(d_(33)=203 pC/N,k_(p)=0.33)和居里温度(T_(c)=460°C)也达到最佳。这为今后BiFeO_(3)基陶瓷压电性能的研究提供了一个新思路。
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南博;
臧佳栋;
陆文龙;
杨廷旺;
张升伟;
张海波
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摘要:
压电陶瓷是一种可以实现机械信号和电信号相互转换的功能陶瓷。由压电陶瓷与有机相构成的复合材料具有不同的宏观连接方式,这不仅决定了压电器件广泛的应用场合,而且推动了压电陶瓷材料和器件多样化的成型技术发展。与传统成型技术相比,增材制造技术的最大优势在于无需模具即可实现外形复杂的小批量样品快速成型,这与多样化的压电陶瓷及其器件研发需求十分契合,同时因其样品后续加工量少、原材料利用率高、无需切削液的特点,得到了学术界和工业界的广泛关注。在陶瓷材料增材制造领域,功能陶瓷和器件的研究仍在增长期。本文从不同增材制造技术角度,探讨和对比现阶段无铅和含铅压电陶瓷增材制造的发展历史、原料制备、外形设计、功能特性检测及试样的应用,并根据现阶段各增材制造技术的优、劣势对其未来进行了展望。
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王波
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摘要:
采用普通陶瓷工艺制备了稀土Nd离子掺杂的铋层状结构Bi_(3)TiTaO_(9)(BTT)压电陶瓷,研究了稀土Nd离子掺杂对BTT陶瓷压电特性及温度稳定性的影响。研究结果表明,稀土Nd离子的掺杂有助于降低BTT陶瓷的高温介电损耗,提高BTT陶瓷的压电性能、机械品质因数和机电耦合系数。随着稀土离子Nd掺杂量的增加,BTT陶瓷的压电性能先增加后减小。当Nd掺杂量为质量分数0.6%时,获得的BTT-6Nd陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=15 pC/N,约为纯BTT陶瓷压电系数d_(33)(4 pC/N)的4倍,且居里温度TC达到880°C。
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席凯彪;
侯育冬;
于肖乐;
郑木鹏;
朱满康
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摘要:
(K,Na)NbO_(3)(KNN)基无铅压电陶瓷作为一种环境友好型材料,兼具较高的居里温度和可调控的相界结构,在压电器件领域展示出潜在的应用前景,引起了广泛关注和大量研究。对其物相组成、制备工艺、性能调控等方面的研究进展进行了评述,并重点介绍了其在压电器件领域的实际应用,最后对KNN及其在器件应用方面未来的研究和发展方向进行了总结展望。
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江平;
张静;
褚涛;
李政权;
钟敏;
郭亚雄
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摘要:
采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.09)Ti_(0.91-2x)Sn_(x)Ge_(x))O_(3)(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时,该体系的居里温度最高(为122°C)。
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江平;
张静;
燕周民;
褚涛;
张元松;
李正权;
李慧琴
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摘要:
为了获得高性能无铅压电陶瓷材料,本文采用传统固相烧结反应法制备了(1-x)(Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.08)Ti_(0.92))-x(K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)-LiNbO_(3))(简称(1-x)BCZT-xKNNLN)无铅压电陶瓷并系统地研究了KNN含量的增加,整体电学性能的变化。研究结果表明:制备的无铅压电陶瓷具有纯的钙钛矿结构;当KNN的含量为0.4mol时,晶粒尺寸趋于一致,致密性提高,且达到了最佳的电学性能d33~315pC/N,kp~0.46,εr~1357,tanδ~0.025。当KNN含量超过0.4mol时,整体性能逐渐下降。
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高雪儿
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摘要:
对比放电等离子烧结工艺(SPS)和传统固相法(CSS)制备的纳米级KNN陶瓷,并研究不同颗粒大小的粉料分别对于两种烧结方法制备的KNN陶瓷性能的影响.并对这些陶瓷的物相和微观结构,电学(介电、压电和铁电)性能进行研究.结果显示:放电等离子烧结工艺可以应用于纳米KNN基无铅压电陶瓷的低温烧结,可以烧制出晶粒尺寸均匀,气孔率小并且具有较好的压电性能的无铅压电陶瓷.
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朱建国
- 《第十四届全国金相与显微分析学术年会》
| 2014年
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摘要:
无铅压电陶瓷的开发与应用是当今压电陶瓷发展的必然趋势,本文综合分析了无铅压电陶瓷的研究背景,给出了钙钛矿型无铅压电陶瓷的主要体系,包括钛酸钡基、钛酸铋钠基、铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,也可按照结构来划分,无铅压电铁电陶瓷体系可分成钙钛矿结构(其化学通式为ABO3)、钨青铜结构、铋层状结构等。以铌酸钾钠(KNN)为例,KNN可看成是由正交晶系钙钛矿型结构的KNbO3(铁电体)和NaNbO3(反铁电体)结合而成的化合物,KNN的居里温度Tc~420°C,剩余极化强度Pr~33μC/cm2,压电常数d33~80pC/N。由于KNN的相结构比较复杂,因而在很长的一段时间内KNN基压电陶瓷的研究很少。直到进入21世纪,随着对环境保护的要求,人们重新重视KNN压电陶瓷的研究,2004年Saito等以RTGG方法制备了KNN-LiTaO3(-LiSbO3)陶瓷,其压电常数d33可达416pC/N,平面机电耦合系数kP达61%,其主要性能已达到某些铅基压电陶瓷(如PZT4)的水平。通过掺杂改性、多元复合等方法,具有准同型相界(MPB)组成的KNN基陶瓷的压电性能较纯KNN陶瓷均有较大提高,同时具有较高的居里温度。随着温度的降低,KNN基陶瓷的晶体结构经历从立方→四方→正交→三方的转变。本课题组利用相界调控,成功研制了压电常数d33超过450pC/N的KNN基压电陶瓷。
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黄腾飞;
谢阿梅;
汪清;
赵娣芳;
高淑静;
马俊涵
- 《陕西省环境科学学会2014年年会》
| 2014年
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摘要:
本实验采用传统陶瓷工艺技术制备了无铅压电陶瓷(Bi05Na0.5)0.94(Ba08Sr0.2)0.06TiO3-x(wt%)CeO2-1.5%mol Bi2O3(缩写为:BNBST-x).研究表明:本实验所研究体系的压电陶瓷具有良好的压电及介电性能。对于掺杂CeO2不同量的BNBST-x系压电陶瓷,在CeO2的掺杂含量为0.2wt%时,陶瓷性能最佳,其中压电常数d33=91pC/N、平面机电耦合系数kp=0.31、介电常数εr=1666及介质损耗tanδ=0.042;极化电压为4.5kV/mm、极化温度为70°C、极化时间为40min是合适的极化条件.
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朱志雯;
黄新友;
花海堂;
高春华
- 《江苏省硅酸盐学会第八次代表大会暨江苏省硅酸盐学会五十周年纪念大会》
| 2013年
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摘要:
采用传统固相法制备了碱式碳酸钴掺杂不同量的Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3(简称BCZT)系列无铅压电陶瓷,借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等研究了不同碱式碳酸钴掺杂量(x=0,0.55,0.89,1.3,1.8wt.%)对BCZT无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构及压电性能和介电性能的影响.结果表明:碱式碳酸钴的加入并没有改变所制备陶瓷的相结构,仍为单一斜方相钙钛矿,当x=1.8wt.%时,出现杂相.随着碱式碳酸钴掺杂量(x)的增大,BCZT无铅压电陶瓷的压电系数(d33)、平面机电耦合系数(kp)先增大后减小,介质损耗(tanδ)先减小后增大,而相对介电常数(εr)一直增大.当碱式碳酸钴(x)为1.3wt.%时,BCZT无铅压电陶瓷的综合性能最佳;d33=135pC/N,εr=3399,kp=0.38,tanδ=0.029.
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BAO Shao-ming;
包绍明;
HUANG Tao;
黄涛
- 《2017年航空智能装备与试验测试技术峰会暨学术交流会》
| 2017年
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摘要:
采用传统固相法制备Ca0.95-x(Li,Ce)0.025SmxBi2Nb209系无铅压电陶瓷,研究了Sm离子的引入对CBN基无铅压电陶瓷相结构和电学性能的影响.研究结果表明,不同含量的Sm离子均能顺利地进入CBN陶瓷的晶格并与其形成良好的固溶,其对CBN陶瓷的压电常数影响比较明显,随着掺杂浓度增加d33数值呈现先增大后减小的趋势,对陶瓷进行退火时,400~900°C区间所有样品d33数值几乎保持不变,高温稳定性较好,其居里温度也保持在较高的数值.当x=0.04时,其压电性能最优:d33=15.3pC/N,kp=9.2%,TC=921°C,说明(Li,Ce,Sm)掺杂改性后的CBN陶瓷在高温领域具有潜在的应用前景.
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范周强;
刘彬;
黄玲艳;
艾韦明
- 《特种陶瓷行业发展及粉体制备研讨会》
| 2016年
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摘要:
采用传统陶瓷制备方法制备KNN-STO陶瓷,研究了SrTiO3对KNN陶瓷材料晶体结构和介电性能的影响.SrTiO3的加入极大地改善了KNN压电陶瓷的烧结性能,在常压条件下得到的陶瓷的实际密度占理论密度的97%以上.随着立方相SrTiO3的加入,KNN基陶瓷的相结构由正交相转变为假立方相,同时压电也使得KNN基压电陶瓷的介电性能大大提高,介电损耗降低,频率稳定性增强,并表现出驰豫性铁电体的特征.
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Pan Yongjun;
潘永军;
Wang Fenghui;
王锋会;
Liu Kun;
刘琨
- 《特种陶瓷行业发展及粉体制备研讨会》
| 2016年
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摘要:
采用传统陶瓷工艺制备了0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3无铅压电陶瓷.研究了烧结温度和极化工艺对陶瓷压电性能的影响.结果表明:随着烧结温度的提高,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的体积密度增大,在1170°C时达到最大值,同时d33和kp,在此温度也分别达到他们的最大值210pC/N和0.40.极化工艺对0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的压电性能有明显的影响,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的最佳极化温度是70°C,最佳极化电场是4kV/mm.
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Qiao Sha;
乔莎;
Lai Chongwei;
赖崇伟;
Chen Yaozhuang;
陈耀壮;
Li Jie;
李洁;
Tan Pinghua;
谭平华
- 《2015中国化工学会学术年会》
| 2015年
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摘要:
利用传统的电子陶瓷制备工艺制备了(K0.45Na0.55)(Nb0.95Sb0.05)O3(KNNS)无铅陶瓷.研究了该陶瓷的微结构,重点探讨了极化条件对其压电性能的影响.研究结果表明,KNNS陶瓷具有纯的钙钛矿结构,其三方-正交相、正交-四方相、四方-立方相转变温度分别为-52°C、125°C、299°C.该陶瓷具有好的铁电性能,其剩余极化强度Pr和矫顽场Ec分别为25.3μC/cm2和9.9kV/cm.更重要的发现是:当极化温度为20~80°C、极化电压大于1.5kV/mm、保压时间大于5min时,该陶瓷具有最优的压电性能,其d33值高达177pC/N.因此,通过对KNNS极化条件的研究有助于进一步优化其压电性能,为进一步提升KNN基无铅压电陶瓷提供一种新的路径.
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Zhang Xiaoyan;
张晓燕;
倪波;
Ni Bo;
Qi Xiwei;
齐西伟;
Wang Yanyan;
王艳艳;
Zhang Chengran;
张诚然;
Sun Guifang;
孙桂芳;
包立;
Zhong Ruixia;
Bao Li;
钟瑞霞
- 《第十八届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2014年
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摘要:
采用固相合成法制备了(1-x)LiNbO3-xBiAlO3 (x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)无铅压电陶瓷.研究了BiAlO3对LiNbO3陶瓷的物相结构、显微组织、介电及压电性能的影响.研究表明:当掺杂量为0.01时,所得陶瓷为纯相钙钛矿结构,当掺杂量超过0.03时出现杂相.所得陶瓷的相对密度均在96%以上,具有较好的致密度.随BiAlO3含量的增加,晶粒尺寸略有增大.BiAlO3的加入使复介电常数的共振峰有向低频方向移动的趋势.压电及介电性能的变化规律与晶粒尺寸变化一致,即随BiAlO3含量的增加,d33和复介电常数的实部ε均在x=0.07时出现最大值.因此,适量添加BiAlO3可以增加LiNbO3陶瓷的介电性能与压电性能.
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黄昭凱;
李英杰;
尚玠廷;
張莉毓;
汪睿凱
- 《第九届海峡两岸工程材料研讨会》
| 2014年
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摘要:
本研究针对无铅压电陶瓷(Na0.5Bi0.5)0.94B a0.06TiO3(以下简称NBBT6)添加不同含量的Ba(Zr0.05Ti0.95)O3(以下简称BZT),观察试片之压电性质与显微组织的变化.实验以XRD分析,确定煅烧完成之压电材料粉体,符合(Na0.5Bi0.5)TiO3组成,将压电材料粉体压模成锭片,并烧结在温度范围1100-1150°C持温4小时.从XRD分析结果得知,BZT的添加可以维持稳定NBBT6的钙钛矿结构.以SEM观察微观结构变化情形,在致密性方面,BZT的添加可使NBBT6陶瓷在1150°C烧结致密,观察其晶粒大小,BZT的添加可使NBBT6陶瓷晶粒在1150°C有成长的趋势.在本系统中最佳之电性结果为掺杂0.1mole%的BZT烧结温度1150°C且持温4小时之试片,d33约为120pC/N;Kp约为0.24;Qm约为115.9.
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