栅极

摘要： 近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。。这一成果3月10日以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题,在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。

摘要： 国内新闻清华大学集成电路学院团队首次实现亚1nm栅极长度晶体管近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据悉,为进一步突破1nm以下栅长晶体管的瓶颈,该研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极.

摘要： 2022年3月15日,记者从清华大学获悉,该校集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展。首次实现了具有亚1 nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。2022年3月10日,相关成果以“具有亚1 nm栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题在线发表在国际学术期刊《自然》上。

摘要： 阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理,工艺流程改进,控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷,探讨锗硅沟槽刻蚀的调整和调整栅极氮化硅掩模层厚度来增加栅极氮化硅掩模层的残留量,使栅极顶部边缘得以充分保护,在锗硅外延工艺中不产生冗余生长物。

摘要： 一、Intel5nm工艺转向GAA环绕栅极晶体管Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺,首发产品是数据中心使用的PonteVecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了,因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。随着制程工艺的升级,晶体管的制作也面临着困难,Intel最早在22nm节点上首发了FinFET工艺,当时叫做3D晶体管,就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管,提高了性能,降低了功耗。

摘要： 大功率电子管应用在广播、工业、科学实验、军用通讯等领域,由于其生产制造工艺复杂导致生产检验设备昂贵利用率低运输贮存困难,不同领域不同频段不同功率等级应用导致产品品种多产量低因此无论进口还是国产此类电子管价格都很贵,价格要几万到上百万人民币/只.所以无论从保证电子管正常工作延长使用寿命降低设备的运行成本,都必须在电子管出厂到使用寿命终结整个周期内把它维护好.

摘要： 根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备.该设备的液压系统由合模液压系统与成型油压系统组成.合模液压系统在1.0 ～16.0 MPa范围内控制精度为±0.1 MPa,且连续可调;成型油压系统工作区油温在80～88°C,在0.3～5.0 MPa范围内控制精度为±0.1 MPa,且连续可调.经实验验证,该液压系统工作可靠,满足生产要求.

摘要： 根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备.该设备由机械系统、液压系统和控制系统组成.该设备的成功研制,满足了航天使用栅极成型的工艺要求,实现了栅极成型的自动化生产,为栅极成型工艺提供更加直观的数据,为工艺的进一步优化提供设备保障.经实验验证,该设备工作可靠,满足生产要求.%According to the needs of the aerospace industry,the first grid hydraulic molding equipment was designed.The equipment is composed of mechanical system,hydraulic system and control system.The successful development of the equipment meets the requirements of the grid forming technology,realize the automatic production of grid forming,providing more intuitive data for grid forming process.It provides equipment support for further optimization of the process.Experimental results show that the equipment works reliably and meets the production requirements.

摘要： 推力器栅极部分是影响推力器寿命的主要关键部件之一。本文对太空背景中的推力器栅极部分建立物理数学模型,并分别求解推力器位于地球阴面和亮面时,推力器栅极表面的温度分布。分析影响推力器栅极热平衡温度的因素.

摘要： Bright Pixel(亮点)是TFT-LCD制造过程中的最常见的多发不良,传统维修方法对常白模式TFT-LCD面板,采用激光焊接栅极和漏极的方法维修.但随着人们对显示品质的要求提高,特别是ADS常黑模式TFT-LCD面板的迅速发展,传统的维修方法已经不再适用.本文结合生产情况对新型的BM(Black Matrix)Repair维修方法进行研究,主要对生产中最重要的2个指标:维修成功率的提升和Tact Time(节拍时间)的降低进行优化,根据实验表明:对不同颜色Pixel维修时,划定不同的最优激光能量范围,可以提高维修成功率;对不同要求规格的产品,通过对维修面积的定制化调整,可以达到降低Tact Time的目的,通过这两方面的改善,提高了生产中的维修效率和产品品质.

摘要： 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1～1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而指数上升,此外,当栅氧化层薄到一定程度后,其可靠性问题,尤其是与时间相关的击穿及栅电极中的杂质向衬底的扩散等问题,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找一种具有高介电常数的新型栅介质材料来替代SiO2,在对沟道具有相同控制能力的条件下(栅极电容相等),利用具有高介电常数的介质材料(一般称为高k材料)作为栅介质层可以增加介质层的物理厚度,这将有效减少穿过栅介质层的直接隧穿电流,并提高栅介质的可靠性.本文介绍了高k栅介质薄膜材料的制备方法,综述了高k栅介质薄膜材料研究的应用要求及其研究发展动态.

摘要： 本发明涉及一种阶梯栅极、栅极结构、阶梯栅极参数确定方法及系统，将栅极设计成阶梯状结构，阶梯栅极沿径向划分为中心区、过渡区和边缘区，中心区、过渡区和边缘区的厚度依次减小，中心区、过渡区和边缘区到另一个栅极的间距依次增大，实现栅极沿径向的间距变化，不同区域的栅极间距不同，使得不同径向位置的等离子体鞘有合适强度的加速电场，能够保证在不同位置离子束都能实现良好的聚焦。

摘要： 本发明提供一种栅极驱动单元、栅极驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。所述栅极驱动单元包括反相栅极驱动信号输出端、正相栅极驱动信号输出端、输入电路、输出控制电路、输入节点控制电路和输出电路，其中，输入电路在第一时钟信号的控制下，控制输入端与输入节点之间连通；输出控制电路在所述输入节点的电位和第二时钟信号的控制下，控制输出节点的电位；输入节点控制电路在第二时钟信号的控制下，根据输出节点的电位，控制输入节点的电位；输出电路根据输出节点的电位，控制输出反相栅极驱动信号，并控制输出正相栅极驱动信号。本发明能方便的同时提供正相栅极驱动信号和反相栅极驱动信号，并能提升充放电速度。

摘要： 本发明提供一种栅极驱动单元、栅极驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。所述栅极驱动单元包括上拉节点复位电路、上拉节点下拉电路和控制电路；所述控制电路用于在输出阶段，控制所述上拉节点复位电路中的与上拉节点连接的晶体管的栅源电压在第一预定电压范围内，并控制所述上拉节点下拉电路中的与上拉节点连接的晶体管的栅源电压在第二预定电压范围内。本发明能够在输出阶段很好的保持上拉节点的电位，保证栅极驱动单元的驱动能力。

摘要： 本发明提供一种栅极驱动单元、栅极驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。栅极驱动单元包括输入端、锁存节点控制电路、第一节点电位维持电路和锁存节点复位电路，锁存节点控制电路在输入端提供的输入信号的控制下，通过所述锁存充电端输入的充电电压，控制所述锁存节点的电压；第一节点电位维持电路在锁存节点的电压的控制下，控制第一节点与锁存使能端之间连通，维持第一节点的电位；锁存节点复位电路在锁存节点复位端输入的锁存节点复位信号的控制下，控制对锁存节点的电位进行复位。本发明在锁存时间段能够维持第一节点的电位，在锁存时间段之后的显示时间段能够实现正常显示。

摘要： 本发明提供一种栅极驱动单元、栅极驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。栅极驱动单元包括上拉控制节点控制电路、通断控制电路和输出电路，其中，所述上拉控制节点控制电路用于控制上拉控制节点的电位；所述通断控制电路用于在通断控制端输入的通断控制信号的控制下，导通或断开所述上拉控制节点与上拉节点之间的连接；所述输出电路用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制通过栅极驱动信号输出端输出栅极驱动信号。本发明改善在做信赖性测试后显示面板出现的横纹分屏不良现象。

摘要： 描述了具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括：水平纳米线的第一垂直布置以及水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠处于水平纳米线的第一垂直布置之上，第一栅极堆叠具有在第一栅极电介质之上的P型导电层，第一栅极电介质包括在第一偶极材料层上的高k电介质层。第二栅极堆叠处于水平纳米线的第二垂直布置之上，第二栅极堆叠具有在第二栅极电介质之上的N型导电层，第二栅极电介质包括在第二偶极材料层上的高k电介质层。

摘要： 一种3D半导体器件的制造方法，该方法包括：形成第一目标结构，该第一目标结构包括至少一个上部栅极、至少一个底部栅极以及电介质分离层，该电介质分离层设置在该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极之间并且将该至少一个上部栅极与该至少一个底部栅极分离；去除该第一目标结构中的多个材料去除区域中的材料，该多个材料去除区域包括穿过该至少一个上部栅极延伸到该电介质分离层的顶部的至少一个材料去除区域；以及形成建立与该上部栅极的第一电连接的第一接触件和建立与该至少一个底部栅极的第二电连接的第二接触件，使得该第一接触件和该第二接触件是彼此独立的。

摘要： 本发明提供一种栅极驱动单元、栅极驱动电路、栅极驱动方法和显示装置。栅极驱动单包括上拉节点去噪电路、下拉节点控制电路、上拉节点控制电路和储能电路；上拉节点去噪电路分别在下拉节点的电位的控制下，控制第一上拉节点与输入端之间连通或断开；上拉节点控制电路在防漏电控制端提供的防漏电控制电压的控制下，控制第一上拉节点和第二上拉节点之间连通或断开，并用于维持第二上拉节点的电位；储能电路与第二上拉节点电连接，用于储存电能。本发明解决现有技术中在输入阶段为上拉节点的充电能力不足，并在输入阶段和输出阶段之间的时间段无法拉低下拉节点的电位的问题。

摘要： 一种栅极驱动单元、栅极驱动电路、栅极驱动方法和显示装置。所述栅极驱动单元包括第一输出电路(11)和第二输出电路；所述第二输出电路包括第一输出子电路(121)；第一输出电路(11)分别与第一节点(N1)、第二节点(N2)和第一栅极驱动信号输出端(OUT_P)电连接，用于在第一节点(N1)的电位和第二节点(N2)的电位的控制下，控制第一栅极驱动信号输出端(OUT_P)输出第一栅极驱动信号；第一输出子电路(121)分别与所述第一节点(N1)、第二栅极驱动信号输出端(OUT_N)和第一时钟信号端电连接，用于在所述第一节点(N1)的电位的控制下，控制第二栅极驱动信号输出端(OUT_N)与所述第一时钟信号端之间连通。

摘要： 多栅极晶体管以及含有此类多栅极晶体管的设备及形成此类多栅极晶体管的方法可促进门控集成电路装置中的电压。此类多栅极晶体管可包含有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分，且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。