IGBT

摘要： 常用的大功率变流拓扑电路包括整流电路、逆变电路及衍生电路等。在这些电路中需要用到一定容值的电容来储存能量,以支撑直流电压稳定,这些电容通常被称为支撑电容。为了实现电能转换,如直流变交流,或交流变直流,就需要使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)。当IGBT或负载发生失效后,会导致短路,短路回路中电容能量流过IGBT会导致其失效炸损,少数情况下可能导致整个变流系统瘫痪停机。

摘要： 随着现代社会电力电子器件的发展,其使用范围越来越广。本文介绍了电力电子器件的类别及特点,分析了IGBT在新能源汽车中的使用以及保护措施,例如:器件的耐压选择、栅极与发射极电压的确定等。这对未来了解与研究IGBT这类电力电子器件提供了参考。

摘要： 阐述IGBT功耗的产生原因,功耗的定义和计算方法,考虑IGBT续流二极管的功耗以及调制控制方法,提出一种更加精准的IGBT功耗计算方法,根据IGBT数据手册估算IGBT的功耗。

摘要： 阐述IGBT的特点、产品分类、产业链、市场应用、竞争格局、面临挑战,从专利数据库提取数据分析了IGBT投资趋势、权利人、技术热点等发展现状。

摘要： 车用功率模块应用过程中,现有设计方法存在视在容量的浪费。结温在线监测可以增加可靠性,以大电流导通压降为状态量的热敏感电参数法最有可能实现结温在线监测。面对大电流导通压降法存在的标定困难、采样准确度低、验证困难等问题,建立了合理的热电耦合模型是基础手段,并以高准确性、高稳定性的结温在线监测为目标,从标定、采样、验证三方面进行综述和讨论。

摘要： IGBT作为功率设备的核心器件,在电力电子工业领域应用广泛。为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响,本文搭建了实验样机(选用3代IGBT采用T型三电平拓扑,额定输出线电压315 V,电流230 A,设计输入电压范围500~1 000 V),通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行性。

摘要： 例1:一台迪奥德DV6000系列315kW变频器,上电后面板显示为“E03”故障代码,不能复位。分析检修:“E03”故障代码表示逆变单元W相保护。拆机检查,发现W相逆变模块输出短路,本机W.U.V相均由3只IGBT(FF450R12KT4)管并联组成,实物如图1所示。拆掉母线铜插排后,取掉w相逆变模组,测量发现其中一只IGBT已损坏。

摘要： IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极,使门极电压抬升,可能导致原本处于关断状态的IGBT开通,如图1所示。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的电感产生电压,影响门极,如图2。

摘要： 随着近年来IGBT驱动技术的快速发展,其在新能源汽车、国防军事、智能电网等领域的应用越来越广泛。中国制造业发展环境鼓励传统制造业转型升级,带动IGBT的应用需求不断增加,IGBT行业迎来新的发展空间。IGBT智能驱动通过不同的驱动策略,使得IGBT工作在最佳状态。介绍了IGBT在开通和关断阶段的详细变化过程,重点描述了门极电压、集电极电流和集射电压的动态关系,通过单级驱动方式和多级驱动方式说明了改善开关特性的方法和原理。

摘要： 随着新能源汽车的快速发展,IGBT的用量随之激增,但上游产业链扩产速度明显跟不上市场需求,在今年2月,行业即发出预警,认为IGBT或将成为今年下半年汽车生产的瓶颈。事实上,车规级IGBT的市场缺货情况远比此前预估要严峻。时隔2个月,供应链消息认为,目前IGBT缺货已高达50周以上,供需缺口已经拉长到50%以上;笔者查询也发现,市场部分料号供货周期更是拉到了60周。

摘要： 介绍了一种高性能16位的数字信号处理器一TMs320LF2407A控制的IGBT逆变焊接电源的主电路结构、控制系统硬件电路的基本原理、软件设计和联机调试.实验表明:研制的DSP控制的IGBT逆变CO2焊接电源,能够精确控制输出恒压并配备等速送丝,控制系统简单可靠.

摘要： 介绍了一种高性能16位的数字信号处理器一TMs320LF2407A控制的IGBT逆变焊接电源的主电路结构、控制系统硬件电路的基本原理、软件设计和联机调试.实验表明:研制的DSP控制的IGBT逆变CO2焊接电源,能够精确控制输出恒压并配备等速送丝,控制系统简单可靠.

摘要： 介绍了一种高性能16位的数字信号处理器一TMs320LF2407A控制的IGBT逆变焊接电源的主电路结构、控制系统硬件电路的基本原理、软件设计和联机调试.实验表明:研制的DSP控制的IGBT逆变CO2焊接电源,能够精确控制输出恒压并配备等速送丝,控制系统简单可靠.

摘要： 介绍了一种高性能16位的数字信号处理器一TMs320LF2407A控制的IGBT逆变焊接电源的主电路结构、控制系统硬件电路的基本原理、软件设计和联机调试.实验表明:研制的DSP控制的IGBT逆变CO2焊接电源,能够精确控制输出恒压并配备等速送丝,控制系统简单可靠.

摘要： IGBT绝缘栅双极型晶体管已广泛应用于电力电子设备,现有商用IGBT器件的电压和电流容量还很有限,不能满足电力电子应用技术发展的需要,高压领域的许多应用,往往需要通过IGBT高压串联等技术来实现.本问介绍IGBT特性和一般应用,详细分析它在CINRAD/SC天气雷达中的应用和两个故障实例,给出采用普通万用表检测IGBT的方法以及在储藏、测试和维修使用时的注意事项.

摘要： IGBT绝缘栅双极型晶体管已广泛应用于电力电子设备,现有商用IGBT器件的电压和电流容量还很有限,不能满足电力电子应用技术发展的需要,高压领域的许多应用,往往需要通过IGBT高压串联等技术来实现.本问介绍IGBT特性和一般应用,详细分析它在CINRAD/SC天气雷达中的应用和两个故障实例,给出采用普通万用表检测IGBT的方法以及在储藏、测试和维修使用时的注意事项.

摘要： IGBT绝缘栅双极型晶体管已广泛应用于电力电子设备,现有商用IGBT器件的电压和电流容量还很有限,不能满足电力电子应用技术发展的需要,高压领域的许多应用,往往需要通过IGBT高压串联等技术来实现.本问介绍IGBT特性和一般应用,详细分析它在CINRAD/SC天气雷达中的应用和两个故障实例,给出采用普通万用表检测IGBT的方法以及在储藏、测试和维修使用时的注意事项.

摘要： IGBT绝缘栅双极型晶体管已广泛应用于电力电子设备,现有商用IGBT器件的电压和电流容量还很有限,不能满足电力电子应用技术发展的需要,高压领域的许多应用,往往需要通过IGBT高压串联等技术来实现.本问介绍IGBT特性和一般应用,详细分析它在CINRAD/SC天气雷达中的应用和两个故障实例,给出采用普通万用表检测IGBT的方法以及在储藏、测试和维修使用时的注意事项.

摘要： 介绍了斩波内反馈调速技术在攀枝花钢钒公司发电厂2台100MW机组的4台710kW锅炉引风机上应用情况，重点介绍了斩波内馈调速的系统结构、运行控制、节电效果、主要特点及运行维护注意事项，提供了一种高效的有别于高压变频调速节能技术的实践应用。

摘要： 介绍了斩波内反馈调速技术在攀枝花钢钒公司发电厂2台100MW机组的4台710kW锅炉引风机上应用情况，重点介绍了斩波内馈调速的系统结构、运行控制、节电效果、主要特点及运行维护注意事项，提供了一种高效的有别于高压变频调速节能技术的实践应用。

摘要： 本发明提供一种IGBT短路保护电路及方法、IGBT驱动器以及IGBT电路。所述的IGBT短路保护电路，包括：驱动电流检测单元，用于检测流经IGBT栅极的驱动电流；比较单元，用于将该驱动电流与一参考电流进行比较，并输出比较结果；以及保护单元，用于根据所述比较结果确定是否启动对IGBT的短路保护。根据本发明的上述方案，通过检测流经IGBT的驱动电流来控制IGBT驱动电路的自锁，以提高对IGBT的短路保护的可靠性。

摘要： 本申请实施例涉及一种IGBT器件及IGBT器件的制备方法，其中，IGBT器件包括元胞区，在元胞区内设置有多个沟槽栅，多个沟槽栅至少包括第一沟槽栅和第二沟槽栅，第一沟槽栅的横截面积和第二沟槽栅的横截面积不同，第一沟槽栅的深度和第二沟槽栅的深度相同；第一沟槽栅和第二沟槽栅均连接至栅极电位；如此，从而有利于调节器件的反馈电容，改善器件的开关特性，避免电流震荡问题，提高器件工作的稳定性。

摘要： 本申请提供了一种RC‑IGBT元胞的制备方法及RC‑IGBT芯片，该制备方法包括：对半导体基板进行处理并在其上形成由氧化层和多晶硅组成的栅极；在所述栅极的中部刻蚀出多个孔洞区；通过一具有预设结构的光刻版在所述孔洞区进行N+发射极的注入，其中注入有所述N+发射极的区域为IGBT区，未注入所述N+发射极的区域为FRD区。本申请提供的制备方法通过对条形栅极分段，通过在栅极的中部刻蚀出多个孔洞区，并利用有预设结构的光刻版在孔洞区合理布局N+发射极的位置，让没有被沟道短路的二极管部分率先进入电导调制状态，能有效降低VF，优化了VF‑shift。

摘要： 本发明提供一种均热沟槽栅IGBT结构，包括：一个有效IGBT元胞和一个栅极热敏控制单元；所述有效IGBT元胞设置为沟槽栅型IGBT元胞；所述栅极热敏控制单元包括两个热敏电阻和两个二极管；其中一个热敏电阻和一个二极管串联形成第一串联支路用于控制栅极开通速度，第一串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属；其中另一个热敏电阻和另一个二极管反向串联形成第二串联支路用于控制栅极关断速度，第二串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属。本发明通过独立设置的沟槽栅以及热敏栅电阻，实现了单个元胞根据自身温度自行调节开关速度，使温度高的元胞降低损耗，从而达到降低自身结温的目的。对于整个IGBT芯片来说实现了热均衡。

摘要： RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法。一种RC IGBT（1）包括具有IGBT区段（1‑21）和二极管区段（1‑22）的有源区（1‑2）。在RC IGBT（1）的多个控制沟槽（14、15）中，存在多个IGBT控制电极（141）和与IGBT控制电极（141）电绝缘的多个等离子体控制电极（151），IGBT控制电极（141）和等离子体控制电极（151）中的每个与RC IGBT（1）的两个负载端子（11、12）电隔离。IGBT区段（1‑21）包括IGBT控制电极（141）的第一子集和等离子体控制电极（151）的第一子集。二极管区段（1‑22）包括等离子体控制电极（151）的第二子集。

摘要： 本申请公开了一种沟槽型IGBT器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型IGBT器件的制作方法包括在IGBT终端区对应的衬底中形成场限环；在IGBT终端区对应的衬底中形成场氧；在终端区对应的衬底中形成沟槽场板，沟槽场板与IGBT有源区之间为场限环；在衬底表面形成介质层；在衬底的正面制作接触孔及正面金属层；解决了目前小元胞尺寸沟槽型IGBT器件的制作过程中接触孔和沟槽栅容易出现对准偏差的问题；达到了优化接触孔和沟槽栅的对准效果，提升小元胞尺寸沟槽型IGBT器件的性能的效果。

摘要： 本发明一个或多个实施例提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。本发明能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。

摘要： 本发明公开一种IGBT双脉冲试验方法及系统、IGBT控制方法及逆变器控制器。该IGBT双脉冲试验方法包括：从原始SOA曲线中获取待验证数据，所述待验证数据包括待测电流和与所述待测电流相对应的原始阈值电压；基于所述待测电流和所述原始阈值电压，对待测IGBT进行双脉冲试验，获取与所述待测电流相对应的试验安全电压；基于所述待测电流和所述试验安全电压，构建与所述待测IGBT相对应的验证SOA曲线。该方法可以保证验证SOA曲线的构建具有足够的试验数据支撑，具有客观性，可以基于验证SOA曲线较好评估IGBT的输出能力，并控制IGBT进行安全工作。

摘要： 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100°C，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。

摘要： 本实用新型公开了一种单管IGBT、IGBT模块、桥式IGBT模块，单管IGBT包括IGBT芯片，其特征在于：IGBT芯片基极和发射极分别从芯片表面直接引出，连接到两个驱动端子上，该结构简单，减少功率回路对驱动电路的耦合影响，开通损耗小，可靠性高。