功率晶体管

摘要： 空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。

摘要： 4.IGBT功率晶体管电机控制器具有内置的驱动电机控制模块,驱动电机控制模块控制和监视电驱动系统。IGBT功率模块由一个三相桥式电路组成,在IGBT中使用6个功率晶体管和6个二极管(图17)。功率晶体管是一种用于控制大功率电子电路的半导体元件。由于连接并阻挡了大量电流,会产生大量热量。因此使用冷却剂进行冷却,以减小因过热引起的部件损坏和功率损失。功率晶体管根据来自栅极驱动器的驱动信号进行操作,并从动力蓄电池向定子线圈供电或阻止其供电。

摘要： 意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个对称的225mΩRDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

摘要： GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。随着全球众多消费者,企业和工业市场客户的产量提高,GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会进一步降低。

摘要： 未来,电力半导体器件想要得到更好的发展与应用,则需要在熟悉晶闸管、整流管、功率晶体管等各类电力半导体器件发展现状的同时,准确把握其低成本、高性能的发展趋势电力半导体器件的出现与发展,虽然使整流器、逆变器、斩波器等各类装置的整体性能得到了显著提升,但由于电力半导体器件的应用范围十分广泛,而当前各应用领域又处于高速发展之中,对电力半导体器件的应用要求已经变得越来越高,因此要想满足工业生产、农业生产等各方面的应用需求,就必须要对电力半导体器件进行持续开发与更新换代。

摘要： ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.MASTERGAN5在低和高驱动部分具有UVLO功能,以防止功率开关工作在低效率或危险条件,而互锁功率避免了交叉导通的出现.输入引脚的扩展范围很容易和微控制器.

摘要： ST公司的MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON)为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.

摘要： 埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布,在其第9代高性能50VSi LDMOS高效率射频功率晶体管产品系列中新增两款产品——BLF978P和BLF974P。这两款产品专为超高功率射频功率放大器而设计,可提供数百千瓦功率,并具有很高的效率和高增益特性。在AB类工作条件下,这两款功率晶体管在225MHz时均可提供高达80%的工作效率。在千瓦级输出的射频系统中,由于高效热管理的需求是项关键的设计考虑因素,因此能源效率成为一个极其重要的方面。同样,为了提高系统的可靠性并提供节能、节省成本的射频性能,工业和科学应用也将热设计视为一项关键要素而优先考虑。

摘要： 在连续三年创下销售新高后,由于全球新冠疫情带来的经济影响,导致了广泛系统的需求下降,预计2020年功率晶体管市场将下降7%。根据IC Insights的《2020O-S-D报告》,功率晶体管的复苏预计将在2021年出现,其全球销售额将增长7%,达到169亿美元,出货量将增长9%,达到590亿美元。2020年版的0-S-D报告显示,功率晶体管市场将在2022年重新回到历史最高水平,届时销售额预计将增长5%,达到177亿美元,这将超过2019年创下的171亿美元的当前年度峰值。

摘要： GaN Systems(一家无晶圆厂的氮化铢功率开关供应商)推出了下一代绝缘金属衬底(IMS3)平台,该平台可用于其GaN增强模式高功率晶体管,应用于高效率汽车,数据中心和工业应用中。IMS3平台具有显着改善的传热特性,从而降低了温度温度并提高了功率密度,使其成为在相同功率水平下实施更小,成本更低的系统的参考,或者在相同尺寸下将输出功率提高30%。

摘要： SOI LDMOS功率晶体管中的自加热效应是沟道中电流产生的热量导致器件特性漂移的现象；其产生的机理主要是热传导率相对较低的埋氧层存在,导致产生的热量无法耗散。阐述了在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。模拟表明,采用图形化SOI(PSOI)结构可以有效的减弱自加热效应(最高温度降低约10%)。

摘要： 本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT、HEMT、SiC电子器件、真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况，提出了发展微波功率晶体管的几点想法,并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距进行了概述与展望。

摘要： 阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。

摘要： 本文设计了一种新型结构的双极型微波功率晶体管.该器件采用掺砷发射极多晶硅工艺,多晶硅条长度采用线性变化的方式从边缘到中心按比例减少,以获得均匀一致的发射结结温.为提高功率器件BC结的反向击穿电压,器件引入了深槽隔离工艺,与采用隔离环技术的功率器件相比,将反向击穿电压提高了25-30V左右.在S波段脉冲输出功率大于20W(32V),脉宽l00μs,占空比10﹪,增益大于10dB,效率大于41﹪,器件表现出良好的微波特性和较高的可靠性.

摘要： 长期以来,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻,以及PTC,CTR热敏电阻等无源器件.区别于前者,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案,采用传感器探测结温,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流MOS管,来完成微波功率晶体管的过温保护,和常温解除功能,最终实现对功率器件的实时有效保护,使器件同时具备更高的可靠性,更优的电学性能.

摘要： 以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电压电流值的增加,电流崩塌现象,即AlGaN/GaN HEMT器件在动态下工作时输出电流降低的现象,成为影响AlGaN/GaN HEMT在大功率开关领域应用的重要因素,严重影响着器件的实际应用.研究表明,场板结构对电流崩塌有较好的抑制作用.有较好的抑制作用。本实验采用MIS-HEMT结构，使用LPCVD淀积的SiNx为栅下介质层，使用PECVD淀积的SiNx为场板下介质层，采用了3个厚度(213/430/631nm)，并使用Agilent B1505A电流崩塌模块对器件的电流崩塌进行测定，以对比不同厚度的场板下介质层对电流崩塌影响，其测试原理如Fig.l所示。实验发现场板结构对电流崩塌有明显的抑制作用，且介质层最厚(631nm)的场板结构对电流崩塌有最优的抑制效果。

摘要： 随着半导体技术的发展,三极管的封装和技术同样快速向前发展.为了减小成本,降低环境污染和能源消耗,三极管的生产制造工艺一直进行着不断的革新,如半导体芯片特征尺寸的缩小、引入大量的新材料、新工艺和新器件结构.在新的工艺、新材料的条件下,出现新的问题对三极管的可靠性带来影响,必须要对三极管可靠性进行分析,主要包括其工艺加工制程可靠性,封装可靠性和产品可靠性,保证工艺材料等变更对三极管的性能不会在使用上造成影响.针对此类问题,本论文主要对晶体管在封装中框架变薄,对晶体管特性的影响进行研究,在开发新材料的同时,减小成本,引进新工艺,改进新设备,实现晶体管加工工艺改进,并把新技术和工艺改进对三极管的性能影响,降低到最小.

摘要： 本文针对现代宽带无线通信系统中由于非恒包络线性调制方式所引起的射频功率放大器效率较低的问题,研究了采用Doherty功放技术以提高其效率的方法。并针对Doherty功率放大器线性度较差的弱点,利用补偿线技术、不均匀驱动、匹配和偏置优化等方法,从而使设计得到的射频功率放大器工作在线性高效状态.文中采用美国飞思卡尔公司的LDMOS功率晶体管MRF6S21100H设计了一个适合于TD-SCDMA、WCDMA等宽带无线通信系统的射频功率放大器.与传统的AB类放大器相比,该功率放大器附加功率效率(PAE)最大提高8.5％,最大输出功率增加3.5分贝,同时其线性度没有明显下降.

摘要： 本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的良好结果.

摘要： 本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的良好结果.

摘要： 本申请公开了一种功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片。其中，该制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，半导体基体的正面形成有功率晶体管；在半导体基体的背面形成金属层；在金属层上形成保护膜，以阻隔水汽与金属层接触。该制作方法通过在金属层上形成保护膜，且该保护膜用于阻隔水汽与金属层接触，从而减少了功率晶体管芯片中由于金属层被空气中的水汽氧化而形成的白斑缺陷，进而提高了功率晶体管芯片的性能。

摘要： 本发明提供了一种功率晶体管的制造方法和一种功率晶体管，其中，功率晶体管的制造方法包括：在形成有外延层的衬底的上表面生长第一氧化层；向外延层的顶部注入第一掺杂离子，形成体区层；向体区的顶部注入第二掺杂离子，形成N+区层，得到衬底结构；在衬底结构上的多个第一预设区域进行刻蚀，以形成多个沟槽；刻蚀掉剩余的第一氧化层，并在形成有沟槽的衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层的表面生长多晶硅层，并在多晶硅层的表面生长第二氧化层；在第二氧化层和多晶硅层上刻蚀掉多个第二预设区域之外的第二氧化层和多晶硅层，以形成多个凸起；沿每两个相邻凸起之间的侧壁进行刻蚀，以形成接触孔。通过本发明的技术方案，提高了功率晶体管的集成度。

摘要： 一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法。功率晶体管具有半导体本体，其具有底面以及在垂直方向上与该底面远离隔开的顶面。该半导体本体包括多个晶体管单元、第一导电类型的源极区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的漂移区、漏极区和具有在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结的温度传感器二极管。该功率晶体管还具有顶面上的漏极接触端子、底面上的源极接触端子、栅极接触端子、和顶面上的温度感测接触端子。根据第一和第二导电类型，阳极或阴极区电连接到源极接触端子并且另一二极管区被电连接到温度感测接触端子。

摘要： 各种实施例提供一种功率晶体管装置。功率晶体管装置可以包括载体；第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；以及第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极。第一功率晶体管和第二功率晶体管可以彼此紧邻地布置在载体上，使得第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极面向载体。

摘要： 本发明涉及一种电气设备的电子控制电路(1)，尤其是设计为EC电机(M)的整流电子系统(2)，其具有多个在工作模式下被控制用来控制所述设备的功率晶体管(T1-T6)。一个附加的、类似的、在所述功率晶体管(T1-T6)的工作模式下不带电的参考晶体管(T

摘要： 一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导体材料形成，并邻近所述半绝缘层（108）设置。多层堆叠（116）还包括：第二层（112），其由第二III-V族半导体材料形成，并邻近所述第一层（110）设置；和异质结，其形成在第一层和第二层的界面处。

摘要： 一种具有层布置(101，201，301，401，501，601)的功率晶体管单元(100，200，300，400，500，600)，该层布置具有前侧和后侧，其中，该前侧与该后侧相对置，其中，沟槽(104，204，304，404，504，604)自该前侧起并垂直于该前侧沿着第一方向(105，205，305，405，505，605)延伸至该层布置(101，201，301，401，501，601)中，并且该沟槽(104，204，304，404，504，604)至少到达电流扩散层(106，206，306，406，506，606)中，其中，该沟槽(104，204，304，404，504，604)沿着垂直于该第一方向(105，205，305，405，505，605)布置的第二方向(107，207，307，407，507，607)延展，并且场屏蔽区(108，208，308，408，508，608)至少局部地布置在该电流扩散层(106，206，306，406，506，606)中，其特征在于，源极区域(109，209，309，409，509，609)和场屏蔽接触区(111，211，311，411，511，611)沿着该第二方向(107，207，307，407，507，607)交替地布置，其中，在每个源极区域(109，209，309，409，509，609)与每个场屏蔽接触区(111，211，311，411，511，611)之间分别布置有体区(110，210，310，410，510，610)的一部分，其中，该场屏蔽接触区(111，211，311，411，511，611)将该场屏蔽区(108，208，308，408，508，608)与该前侧(102，202，302，402，502，602)上的第一金属区(112，212，312，412，512，612)连接，并且该场屏蔽接触区(111，211，311，411，511，611)至少局部地触碰该沟槽(104，204，304，404，504，604)的侧面。

摘要： 本发明涉及一种具有半导体衬底(2)的垂直功率晶体管(1)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度(w2)，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域(13)包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域(13)与源接合部导电连接。

摘要： 本发明公开了一种功率晶体管的芯片固定方法，所述方法包括以下步骤：选取管壳并进行检验；对选取的所述管壳的底座的内腔、芯片安装位及电极安装位进行测量；选取陶瓷，并根据所述内腔的测量结果进行切割，从而形成与所述内腔对应的圆柱体；根据所述芯片安装位及所述电极安装位的测量结果对所述圆柱体进行切割；将二次切割后的所述圆柱体安装到所述管壳底座的内腔，并在所述电极固定位安装电极，在所述芯片固定位烧结芯片，从而完成所述芯片的固定。本发明可以使芯片烧结时的位置固定，以提升键合后的形貌，且可以准确键合到芯片的PAD区，进而提升键合的成品率，以减少制造成本。

摘要： 本申请公开了一种功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片。其中，该制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，半导体基体的正面形成有功率晶体管；在半导体基体的背面形成金属层；在金属层上形成保护膜，以阻隔水汽与金属层接触。该制作方法通过在金属层上形成保护膜，且该保护膜用于阻隔水汽与金属层接触，从而减少了功率晶体管芯片中由于金属层被空气中的水汽氧化而形成的白斑缺陷，进而提高了功率晶体管芯片的性能。