电力电子器件

摘要： 随着现代社会电力电子器件的发展,其使用范围越来越广。本文介绍了电力电子器件的类别及特点,分析了IGBT在新能源汽车中的使用以及保护措施,例如:器件的耐压选择、栅极与发射极电压的确定等。这对未来了解与研究IGBT这类电力电子器件提供了参考。

摘要： 半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。

摘要： 柔性直流输电技术在孤岛送电、海上风电直流送出等方面具有独特的优势,是未来直流输电发展的方向。总结了柔性直流输电的发展现状和应用前景。概述了电力电子器件、柔直换流阀、高压直流断路器、柔直变压器、直流电缆等关键设备的研究进展,介绍了国内标志性柔性直流输电工程。指出了柔性直流输电在大规模新能源消纳和海上风电直流接入、多端直流和直流电网、远距离大容量架空线路直流送出、直流配电网以及孤岛送电等方面的应用前景。

摘要： 在社会经济快速发展的今天,电力电子技术是我国电力行业经济效益的重要影响因素。为此,文章概述了电力电子技术的发展,分析了电力电子技术在电力系统中的作用,提出电力电子技术在电力系统中的应用存在的问题,并从电力系统节能、输电环节、发电环节等方面探讨电力电子技术在电力系统中的具体应用,希望可以为电力系统的可持续发展起到良好的推动作用。

摘要： 特高压直流输电系统含有大规模的电力电子器件,传统数字仿真无法真实模拟实际工程的多类型工况,必须使用物理实验的方式对相关拓扑、算法进行验证。此处提出了一种特高压直流输电数字物理混合实验平台的构建方案,在数字系统构建如风电场的交流系统仿真模型,在物理侧搭建特高压直流输电系统物理样机平台,并提出了新型功率接口算法以连接数字侧及物理侧。该平台可以有效模拟实际工程的动态特性,能够为相关设备及理论提供良好的工程适用性验证环境。

摘要： 打造强“芯”之路,一直是中国科技创新的追求和梦想。在中国集成电路产业的璀璨“星空”中,位于南京的中国电子科技集团公司第五十五研究所,就是其中熠熠生辉的一颗。中国电科五十五所展厅入口最醒目位置写着这样一句话:打造中国“芯”,确保核心芯片自主创新,五十五所在行动!

摘要： 针对直流断路器(direct current circuit breaker, DCCB)故障清除时间慢、限流能力弱以及容量设计小等问题,提出了一种具有限流能力的耦合型直流断路器(current-limiting coupled DCCB,CL-CDCCB)拓扑结构,首先介绍了CL-CDCCB拓扑结构与工作原理,对分断过程进行理论推导,然后给出主要器件参数的选择;最后,在PSCAD/EMTDC仿真平台,搭建直流系统接地短路仿真实验模型。仿真结果表明,CL-CDCCB可以有效地缩短故障分断时间,降低吸能元件的电气应力,能够达到直流故障开断的要求。

摘要： 在电力系统中,电力控制保护系统为确保电力用户安全用电发挥着重要的作用,如果电力系统出现故障,可以合理分析故障出现的原因,采取积极有效的解决策略,确保电力系统处于安全稳定的运行状态中.因电力系统本身具有的复杂性和特殊性,电力控制保护产品的质量严重影响整个电力系统的可靠运行.文章以电力电子器件故障对电网运行的影响研究为核心,简单介绍了电力电子器件所包含的内容,分析了电力电子器件在使用过程中可能发生的故障,探讨了电力电子器件故障对电网运行造成的不良影响,并就降低电力电子器件故障对电网运行影响的方式提出了建议,期望电力电子器件的研究能够得到更多的关注,帮助提升其使用质量的同时,也能够帮助电网系统的运行更加顺畅.

摘要： 电力电子器件的使用已经渗透到当今社会的各个领域,如何保障其可靠性是当前研究的热点.本文介绍了电力电子器件的失效机理,根据其失效机理分析了相关寿命预测方法,探讨了电力电子器件当今发展存在的机遇和挑战,仅供参考.

摘要： 为了更好地促进"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"相关技术的研究与应用,本刊拟将2021年第12期辟为"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"专辑,以期对国内外电力电子器件和电力电子可靠性的研发现状提供一个比较全面的展示平台。欲投稿的作者请在2021年9月30日前将论文发送到本刊编辑部(Email:dldzjstg@163.com),并注明"电力电子器件和电力电子系统的可靠性专辑"字样。本刊邀请西安交通大学雷万钧副教授和江苏宏微科技有限公司姚天保高工作为本专辑的特邀主编,所投论文将按本刊专辑审稿程序进行评审,评审结果将于2021年10月30日前通知作者。

摘要： 电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器件,包括功率半导体分立器件、模块和组件.电力电子器件经历了以晶闸管为核心的第一代器件,以及以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第二代器件.随着电力电子器件性能的不断提高,硅材料的物理局限性日益显现,严重制约了硅器件的工作电压、工作电流、工作频率、工作温度、耗散功率和抗辐射等性能的提高.近年来,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代(宽禁带)半导体材料迅速发展,开启了电力电子器件技术的新局面,电力电子器件技术和产业迎来了一个更大的发展机遇.在报告中首先讨论国内外碳化硅电力子器件的技术前沿和发展趋势;其次，讨论国内外碳化硅电力电子器件产业的发展现状;然后，讨论碳化硅器件在应用方面的应用前景。

摘要： 电力电子器件的小型化、集成化的发展与材料的开发息息相关.电容作为电力电子系统中的关键元件,其小体积大电容的实现需要依靠高介电常数材料的开发.本文论述了一种高介电常数材料钛酸铜钙(CCTO)的开发过程,研究了其物理化学特性,通过阻抗测试分析了介电常数与频率之间的关系.集成式滤波器发展的关键点之一是小体积大电容的集成,CCTO的高介电性能够满足集成式滤波器对电容的要求.本文通过对CCTO材料特性的分析,初步探究了其在集成式滤波器中的应用,为电力电子器件的小型化、集成化的发展奠定了一定的基础.

摘要： 传统硅半导体器件的性能已接近其理论极限，限制了电力电子装置性能的进一步提高。碳化硅半导体器件因其优良的电气性能而受到电力电子器件研究人员的关注，基于碳化硅的电力电子器件技术在过去的二十多年间迅速走向成熟，逐步由实验阶段实现了商业化。本文简要介绍了碳化硅电力电子器件的优势，阐述了目前商用碳化硅电力电子器件的最新研究进展和碳化硅器件在开关电源、光伏逆变器、电动汽车和电机驱动器中的应用研究进展。最后总结了商用碳化硅电力电子器件的发展和应用研究前景。

摘要： 基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050V的电力电子器件,此时器件的特征通态电阻为4.0 mΩ。cm2,是相同击穿电压SiMOSFET的电阻的二十分之一。本文结果证明了场板在提高器件击穿电压上有重要作用,也证明了AlGaN/GaN HEMT在功率电子应用领域必将成为最有潜力的电力电子器件之一。

摘要： 随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求,基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述,同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果,包括基于AlGaN/GaN异质结的电力电子材料设计与生长、器件设计以及工艺研究,这些成果也为中国在该领域进一步研制高性能新型GaN电力电子器件打下了一定基础。

摘要： 通过多物理场特征参数与状态特性的关联性反演实现电工装备的状态评估。介绍了大功率电力电子器件失效机理分析，包括功率半导体器件电-磁-热-力耦合。

摘要： There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.This paper presents the R&D of GaN-on-Silicon for blue/UV LED,laser diode,and high electron mobility transistors(HEMTs).The epitaxial integration of GaN on silicon was hindered by two major technical challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si(～17％)often causes a high density of dislocation defects,and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(～54％)results in crack network formation in the GaN epitaxial film.

摘要： 文中总结了目前金属软磁粉芯存在的问题，概述了金属软磁粉芯的应用，进一步介绍了金属软磁粉芯的研究进展.

摘要： 文中总结了目前金属软磁粉芯存在的问题，概述了金属软磁粉芯的应用，进一步介绍了金属软磁粉芯的研究进展.

摘要： 文中总结了目前金属软磁粉芯存在的问题，概述了金属软磁粉芯的应用，进一步介绍了金属软磁粉芯的研究进展.

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 提供了一种用于有机光电子器件的化合物、用于有机光电子器件的组合物、有机光电子器件及显示器件，所述化合物由化学式1表示，所述组合物包含所述化合物。化学式1的细节如说明书中所限定。

摘要： 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

摘要： 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

摘要： 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。