晶体管

摘要： 近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。。这一成果3月10日以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题,在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。

摘要： 国内新闻清华大学集成电路学院团队首次实现亚1nm栅极长度晶体管近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。据悉,为进一步突破1nm以下栅长晶体管的瓶颈,该研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极.

摘要： 2022年3月15日,记者从清华大学获悉,该校集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展。首次实现了具有亚1 nm栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。2022年3月10日,相关成果以“具有亚1 nm栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题在线发表在国际学术期刊《自然》上。

摘要： 科学家用锗生产最灵活自适应晶体管奥地利维也纳工业大学利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。这种新型自适应晶体管可以在运行时动态切换,能执行不同的逻辑任务。维也纳工业大学固态电子研究所博士后研究员马西亚尔·西斯塔尼解释道:“通过极其干净的高质量接口,我们用一根由锗制成的极细的导线连接2个电极。在锗的上方,我们放置了1个栅电极。具有决定性的1步是,我们的晶体管具有另1个控制电极,该电极放置在锗和金属之间的界面上。它可以对晶体管的功能进行动态编程。”

摘要： 几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和卓越的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。问题是,化合物半导体更难制造,也更贵。然而,与硅相比,它们具有显著的优势。新的更高要求的应用,如汽车电气系统和电动汽车(EVs),正发现化合物半导体能更好地满足其严格的规格要求。

摘要： 近六十年来,以硅为核心材料的半导体技术,特别是CMOS集成电路技术推动了人类信息社会的深刻变革,但也逐渐接近其物理极限和工程极限,全球半导体产业已经进入后摩尔时代.半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性,因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选.基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展,在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得了根本性突破,其产业化进程从原理上看已经没有不可逾越的障碍.因此,本文着重介绍了碳基电子技术在后摩尔时代的本征优势,综述了碳基电子技术的基础性问题、进展和下一步的优化方向,及其在数字集成电路、射频电子、传感器、三维集成和特种芯片等领域的应用前景.最后,本文还分析了碳基电子技术产业化进程中的综合性挑战,并对其未来发展做出预测和展望.

摘要： 各种电子通讯、互连及储存等,均可用光子取代电子。若将电子传输改为光子传输时则立刻又可加速发展,亦即所谓的“铜退光进”时代了。本文将对光通讯与光模块进行纲要整理。一、前言大系统间远距的沟通称为通讯(信);机箱内各PCBA之间或PCBA板内各零组件的沟通称为互连;缩小到芯片内众多晶体管间的沟通也还是互连。各种电子通讯、互连及储存等,均可用光子取代电子。

摘要： Aurorasound(曙光)在日本音响界近年来发展迅猛,不少产品都得到发烧友的认同和爱戴。例如,他们一直专注开发的VID A系列唱放,以及深受耳机用家欢迎的Heada纯A类耳放等,都是市场畅销的音响产品。主理人唐木志延夫在前级研发方面,也一丝不苟,务求要吸纳更多用家的追随,不惜工本,精益求精地进行改良。

摘要： 美国华盛顿州立大学工程师在《物理学杂志D》上发表论文称,他们利用蜂蜜研制出了一款忆阻器。这是一种类似于晶体管的组件,不仅可处理数据,还可存储数据。未来,他们或许能将数以百万计或数十亿计的蜂蜜忆阻器整合在一起,创建出一款功能与人脑非常相似的神经形态计算机系统。

摘要： 美国能存储并处理数据的蜂蜜忆阻器问世日前,美国华盛顿州立大学工程师利用蜂蜜研制出了一款忆阻器。这是一种类似于晶体管的组件,不仅可处理数据,还可存储数据。未来,他们或许能将数以百万计或数十亿计的蜂蜜忆阻器整合在一起,创建出一款功能与人脑非常相似的神经形态计算机系统。

摘要： 使用有机半导体材料制备的薄膜晶体管是当下研究的热点,本文研究的是利用有机半导体材料酞菁氧钒(V0Pc)制作出的有机异质结V0Pc/C60双极型晶体管,通过改变酞菁氧钒膜厚,对晶体管性能表征和测试数据的分析,得到在不同条件下器件性能的变化.实验结果表明,酞菁氧钒薄膜厚度为5nm时,能得到载流子平衡性能更佳的双极型晶体管器件.

摘要： 从晶体管直流增益与受照中子注量呈线性关系出发,使用晶体管作为辐照效应参数在线测量探测器,研制了以计算机、矩阵开关、多通道同步采集卡、任意波形发生器以及测试转接板等硬件为基础,基于LabVIEW平台的辐照效应测试系统.在CFBR-Ⅱ堆和钴源上,分别利用“瞬态和稳态不同辐照模式的损伤异同性试验”和“中子、γ不同辐照顺序的损伤等效性试验”进行了测试系统验证,实现了瞬态和稳态辐照下样品效应参数的实时测量.结果表明,研制的辐照效应在线测试系统可同时满足瞬态和稳态效应测量的指标要求,具有较高的可靠性和稳定性.

摘要： 近年来,宽禁带半导体功率器件发展迅猛.在高开关频率,高阻断电压和高温工作环境中相比于传统硅材料,表现出杰出的性能.在本文中,以单端反激电源变换器为研究平台,研究硅基绝缘栅双极晶体管(IGW25N120H3),超结温硅基晶体管(FCP16N60N)和碳化硅晶体管(C2M0080120D)性能的差异.结果表明宽禁带半导体功率器件相对于硅基材料能更多的降低功率损耗,提高效率.尤其是降低导通损耗.

摘要： 接收整流天线是微波无线能量传输系统的核心,主要由接收天线、低通滤波器、整流电路和匹配电路等部分组成.本文采用GaAs晶体管芯片设计了整流电路及整流天线阵,实现了大功率条件下高效整流.在发射天线与整流天线阵距离0.4m,输入功率10W,负载为50Ω时,输出直流功率达2.28W.本文所设计的整流电路及整流天线阵具有较大的应用前景.

摘要： 采用砷化镓工艺,基于赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种Ka波段的宽带低噪声放大器,可应用于对通频带和噪声系数要求较高的毫米波通信领域.放大器由四级电路构成,前两级采用叉指数多的晶体管来降低噪声,后两级采用栅级宽度较大的晶体管获得高增益并使用反馈电路拓宽频带.仿真设计结果表明,在28-36GHz的通频带内,增益大于23dB,噪声系数小于3dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,电路在通频带内无条件稳定.该低噪声放大器的设计满足了实际需求.

摘要： 逆E类功率放大器是一种高效率的开关类功率放大器.在通信领域采用逆E类功放,可以实现高效率、宽频带的设计.设计采用了基于Cree的CGH40010氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT).栅压为-2.9V,漏压为28V.利用电磁仿真软件进行了仿真设计,在500MHz的带宽内实现最大功率附加效率到达78％、输出功率为40dBm、增益达到16dB的逆E类功率放大器.

摘要： 本文采用1um InP HBT工艺设计了一款压控振荡器.该压控振荡器采用的晶体管的特征频率大于160GHz,电路由差分形式的负阻LC振荡回路和输出缓冲结构组成,这种结构的优势在于具有宽频调谐范围、低相位噪声和较高的输出功率等特性.仿真结果表明设计的压控振荡器工作调谐频率为93～98GHz,偏离载波100KHz时最小相位噪声-56.05dBc/Hz,单端输出功率为-0.45dBm.

摘要： 本文针对IGBT模块的外部热管理提出了一种考虑实时结温反馈的散热器优化设计的数值算法,并将该方法应用于功率循环老化系统,优化了功率循环效率.通过建立老化系统热网络模型,将每个功率循环周期等效为全响应和零输入响应,采用实时结温反馈数值算法得到老化系统热网络的全响应和零输入响应曲线,以及结温与热网络参数的数值计算关系,从而寻找到影响功率循环的关键因素为散热器的动态热响应特性和热交换介质主要参数.并通过实验测试对文中提出的数值仿真模型进行验证,利用所建立的热网络数值计算模型指导功率循环老化系统设计.

摘要： 本文针对IGBT模块的外部热管理提出了一种考虑实时结温反馈的散热器优化设计的数值算法,并将该方法应用于功率循环老化系统,优化了功率循环效率.通过建立老化系统热网络模型,将每个功率循环周期等效为全响应和零输入响应,采用实时结温反馈数值算法得到老化系统热网络的全响应和零输入响应曲线,以及结温与热网络参数的数值计算关系,从而寻找到影响功率循环的关键因素为散热器的动态热响应特性和热交换介质主要参数.并通过实验测试对文中提出的数值仿真模型进行验证,利用所建立的热网络数值计算模型指导功率循环老化系统设计.

摘要： 本文针对IGBT模块的外部热管理提出了一种考虑实时结温反馈的散热器优化设计的数值算法,并将该方法应用于功率循环老化系统,优化了功率循环效率.通过建立老化系统热网络模型,将每个功率循环周期等效为全响应和零输入响应,采用实时结温反馈数值算法得到老化系统热网络的全响应和零输入响应曲线,以及结温与热网络参数的数值计算关系,从而寻找到影响功率循环的关键因素为散热器的动态热响应特性和热交换介质主要参数.并通过实验测试对文中提出的数值仿真模型进行验证,利用所建立的热网络数值计算模型指导功率循环老化系统设计.

摘要： 晶体管具有在半导体主体层(10)的与栅电极(4)相对的侧上的源电极(22)，栅电极通过栅绝缘体(8)与主体层(10)绝缘。源电极(22)具有到半导体主体层(10)的电势势垒，例如肖特基势垒。至少一个漏电极(54)也连接到半导体主体层(10)。合适的源-漏电压和栅电压耗尽邻近源电极(22)的半导体主体层的区域，然后通过栅电压控制源-漏电流。

摘要： 提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。

摘要： 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成各层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包含：绝缘性的基板；形成在绝缘性的基板上的栅电极；形成在基板及栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上相互分开地形成的源电极及漏电极；在栅绝缘层上连接于源电极及漏电极而形成的半导体层；形成在半导体层上的半导体保护层；形成在源电极、漏电极及半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上的上部电极。

摘要： 本发明揭示一种晶体管，其包括在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底的半导体材料。所述杆的所述半导体材料包括上源极/漏极区域及在其下方的沟道区域。所述晶体管包括(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：所述杆的所述半导体材料包括在所述沟道区域下方的下源极/漏极区域，及(b)：所述基底的所述半导体材料包括下源极/漏极区域。栅极可操作地横向邻近所述杆的所述沟道区域。揭示其它实施例，其包含个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列。揭示方法。

摘要： 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。

摘要： 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括：有源层；与有源层间隔开并且与有源层部分地重叠的栅极电极；以及在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜，其中有源层包括：与栅极电极重叠的沟道部分；不与栅极电极重叠的导电化部分；以及在沟道部分与导电化部分之间且不与栅极电极重叠的梯度部分，有源层的导电化部分和梯度部分掺杂有掺杂剂，栅极绝缘膜在有源层的掺杂期间覆盖有源层的朝向栅极电极的上表面，并且在梯度部分中，掺杂剂的浓度沿着从沟道部分朝向导电化部分的方向增加。还公开了一种包括薄膜晶体管的显示装置。

摘要： 提供了一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括第一栅电极、与第一栅电极隔开并包含沟道部分的有源层以及与有源层隔开并基于有源层设置在第一栅电极的相反侧的第二栅电极，其中第一栅电极的至少一部分与第二栅电极不重叠，且第二栅电极的至少一部分与第一栅电极不重叠，沟道部分与第一和第二栅电极中的至少一个重叠，沟道部分的一部分仅与第一和第二栅电极中的一个重叠，而所述沟道部分的另一部分仅与第一和第二栅电极中的另一个重叠，有源层包含第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层，第一和第二有源层中的任意一个具有比两者中的另一个更高的氢浓度和更低的氧浓度。

摘要： 提供一种垂直鳍式场效应晶体管(100)。垂直鳍式场效应晶体管具有：半导体鳍(14)；n掺杂源极区(30)；n掺杂漂移区(10)；在所述半导体鳍(14)中垂直地在所述源极区(30)与所述漂移区(10)之间布置的n掺杂沟道区；与所述沟道区水平相邻的至少一个栅极区(24)；栅极电介质(32)，所述栅极电介质使所述栅极区(24)与所述沟道区电绝缘，其中，所述栅极电介质(32)与所述沟道区之间的界面具有负界面电荷；p掺杂栅极屏蔽区，所述栅极屏蔽区如此布置在所述栅极区(24)下方，使得在垂直投影的情况下，所述栅极屏蔽区位于由所述栅极电介质(32)限界的面积内；源极接触部(28)，所述源极接触部与所述源极区(30)导电连接；以及在所述栅极区(24)与所述n掺杂栅极屏蔽区之间的导电区(18，20)；其中，所述p掺杂栅极屏蔽区借助所述导电区(18，20)与所述源极接触部(28)导电连接。

摘要： 多栅极晶体管以及含有此类多栅极晶体管的设备及形成此类多栅极晶体管的方法可促进门控集成电路装置中的电压。此类多栅极晶体管可包含有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分，且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。

摘要： 本发明揭示一种装置，其包含阵列，所述阵列包含高度上延伸的晶体管的行及列。存取线使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连。所述晶体管个别地包含上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与下源极/漏极区域之间的沟道区域。所述沟道区域包含氧化物半导体。晶体管栅极可操作地横向上接近所述沟道区域且包含所述存取线中的个别者的一部分。行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间。行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间。所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。本发明揭示包括方法实施例的其它实施例。