薄膜材料

摘要： 试题带电粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制备的关键技术之一。带电粒子流(每个粒子的质量为m、电荷量为+q)以初速度v垂直进入磁场,不计重力及带电粒子之间的相互作用。

摘要： 磨损量是评定材料耐磨性、控制产品质量和研究摩擦磨损机理的一个重要指标,鉴于目前已有的各种确定材料磨损量测量方法应用的局限性,不适合精准确定两种不同薄膜耐磨性的微小差异。为了准确比较两种不同薄膜材料的耐磨性,本文研发一种新型原位精准测量材料磨损量的摩擦磨损试验机,可以在同一设备上同时对两种不同材料进行摩擦磨损实验及磨损量的测试,大大减小因移动而产生的测量误差,特别适用于精准比较两种不同薄膜材料耐磨性的微小差异,可广泛适用于对金属材料、陶瓷材料、工程塑料等复合材料固体材料表面耐磨性的测试。

摘要： 专利申请号:CN201811121638公开号:CN109182979A申请日:2018.09.26公开日:2019.01.11申请人:中国计量大学本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应,制得钕掺杂二硒化钼的多晶体;接着通过压制及烧结,制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶;将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔,通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶,控制频率、时间、功率等因素,获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。

摘要： 设计了一种快速测量薄膜R-T曲线的简易装置。该装置由样品台、探针架、温度传感器与电阻测量系统以及控温系统组成。探针架安装多组探针可以同时实现多个样品的温阻特性的测量。通过对VO_(2)纳米薄膜R-T曲线的测量,能很好地反映该材料的相变特性;同时,发现适当降低加热功率可以有效减小热滞后的影响,显著提高测量精度。该装置具有结构简单、操作方便和测量效率高等优点。

摘要： 近日,东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组展示了一种全新溶液法制备的透明导电薄膜材料,明确了薄膜的导电机制,并使用该薄膜材料作有机光伏器件的阴极,实现器件的“免氧化铟锡(ITO)”发展,为促进有机光伏技术市场化提供新思路。相关研究成果已发表于《自然—通讯》。有机光伏器件的透明电极材料主要是ITO,而铟元素是稀有元素,因此,ITO的使用会大幅提高有机光伏器件的制造成本,阻碍其市场化发展。目前常见的ITO替代材料有导电聚合物、金属纳米线、掺杂金属氧化物等。

摘要： 重庆和泰润佳股份有限公司成立于2006年,2014年在新三板挂牌。公司自成立以来,一直专注于透气膜、PE流延膜、复合膜、包装袋等卫生用品材料的生产与销售,具有年产透气膜2万t、非透气膜1万t、复合膜5,000t,包装袋6亿只的生产能力,目前在国内同类企业中,规模位居前列。在第29届生活用纸国际科技展览会(CIDPEX2022)现场,《生活用纸》杂志记者采访了重庆和泰润佳股份有限公司经营管理中心总裁桑志强,了解和泰公司的经营之道与薄膜材料的发展趋势。

摘要： 高直链玉米淀粉的直链淀粉含量在50%以上,具有独特的理化性质,被广泛应用于食品、包装、医药、造纸和纺织等领域。与普通、蜡质玉米淀粉相比,高直链玉米淀粉具有独特的热性能、结晶结构以及优良的力学特性,这使得它在低升糖功能性食品、活性成分包埋基材以及可降解材料领域具有较大的应用潜力。本文通过综述高直链玉米淀粉的结构、主要性质,追踪归纳近年来国内外高直链玉米淀粉在食品原料、食品加工材料、医疗保健食品上的应用进展,并对其发展趋势进行展望,旨在为今后高直链玉米淀粉在食品领域的产品研发和应用提供一定的理论参考。

摘要： 采用优化的先浓硫酸氧化插层、再稀硫酸二次氧化插层的两步电化学氧化方法,将石墨纸电极剥离成缺陷较少、水平尺寸较大的氧化石墨烯薄片;利用平板刮涂的方式将氧化石墨烯的N-甲基吡咯烷酮分散浆料组装成氧化石墨烯薄膜,经由3 000°C的高温石墨化热处理过程和后续辊压操作,获得了性能优异的石墨烯导热薄膜材料,导热系数达到了3 090 W/(m·K)。讨论了氧化石墨烯前驱体的氧含量、中值粒径数据及薄膜厚度对石墨烯薄膜导热性能的影响,并分析了其作用机理,可为石墨烯在导热领域的商业化应用提供参考。

摘要： 以陈秀华教授为骨干的云南大学能源材料技术研发团队,主要从事新能源环境材料、新型太阳能电池材料、半导体超大规模集成电路布线材料的研究。围绕信息产业半导体ULSI硅基布线及互连薄膜材料、光伏产业太阳能硅基材料及器件、纳米多孔硅制备及在重金属环境治理方面的应用开展相关研究工作。主要研究方向1光伏产业:太阳能硅基材料及器件的研究。

摘要： 多功能、多频段、高性价比、小型化的可重构射频器件在现代无线通信系统有着广泛应用,在未来也有极大的需求。本文介绍了基于先进薄膜材料和微加工技术设计制备的多频段、可重构射频器件。对表面微加工和体微加工技术等制造工艺的射频应用,特别是在射频微机电系统和电可调射频器件中的应用着重进行了探讨。此外,本文还综述了利用铁电和铁磁薄膜材料集成设计制备的连续可调、小型化、高性能射频器件,探讨了利用纳米图案结构工艺来增强铁磁薄膜的高频性能(例如:铁磁共振频率和损耗)的设计方法和策略,并示范了基于此实现的全电学可调的射频器件。

摘要： 液晶聚合物的超分结构受到多方面因素的影响,如液晶基元本身的性质、柔性间隔基的长度、聚合物主链的性质及其等规度大小、分子量的大小及其分布宽度等等.在诸多因素中,通过改变液晶基元末端尾链的性质,如使用不同极性的尾链、调节尾链烷链烃长度等,也能有效地调控液晶聚合物的液晶性质和超分子结构.在该工作中，考察了侧链液晶基元的尾链长度对主/侧链结合型液晶高分子(Pms，m=1,2,3,4,5,6,7,8,9,10)超分子结构的影响，并对其在薄膜中的自发取向行为进行了考察。 结合偏光显维镜和广角X衍射研究结果表明，该类聚合物的超分子有序结构强烈依赖于其尾链长度，对于尾链的Pms (m≤4)表现出在纳米和次级纳米的多级有序结构，而较长尾链的Pms(m≥5-10)形成了近晶C结构。进一步掠入广角X散射(GI-WARS)结果表明，由于侧链液晶基元具有自发垂直于界面的性能，因此，近晶相和多层次有序结构均能在薄膜中形成规整的取向排列，这有利于进一步制备功能性聚合物薄膜材料。

摘要： The high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) discharge is a recent addition to plasma based sputtering technology.The HiPIMS discharge is now an established ionized physical vaporde position technique, which is easily xalable and has been successfully introduced into various industrial applications-Recently, we fabricated the Zr-based, Ti-based and Fe-based thin filmmetallic glasses using magnetron sputtering technique and investigated the mechanical propenies enhancemem by different dapants and concentration control of by component-The test trials of TFMGs as the biomedical tools (surgical blade Vermatome and dental rotary instruments were successfully achieved and showed promising application potential.

摘要： TBBPA是国际上使用量最大的几种溴化阻燃剂之一,主要作为反应型阻燃剂添加于环氧树脂、聚氨酯树脂等,近年来的大量生产和广泛使用,使其环境行为和毒性效应被广泛研究.由于其具有环境持久性和生物累积性,对水生生物的毒性较大,有可能被列入斯德哥尔摩公约并限制其生产与使用.

摘要： TBBPA是国际上使用量最大的几种溴化阻燃剂之一,主要作为反应型阻燃剂添加于环氧树脂、聚氨酯树脂等,近年来的大量生产和广泛使用,使其环境行为和毒性效应被广泛研究.由于其具有环境持久性和生物累积性,对水生生物的毒性较大,有可能被列入斯德哥尔摩公约并限制其生产与使用.

摘要： TBBPA是国际上使用量最大的几种溴化阻燃剂之一,主要作为反应型阻燃剂添加于环氧树脂、聚氨酯树脂等,近年来的大量生产和广泛使用,使其环境行为和毒性效应被广泛研究.由于其具有环境持久性和生物累积性,对水生生物的毒性较大,有可能被列入斯德哥尔摩公约并限制其生产与使用.

摘要： TBBPA是国际上使用量最大的几种溴化阻燃剂之一,主要作为反应型阻燃剂添加于环氧树脂、聚氨酯树脂等,近年来的大量生产和广泛使用,使其环境行为和毒性效应被广泛研究.由于其具有环境持久性和生物累积性,对水生生物的毒性较大,有可能被列入斯德哥尔摩公约并限制其生产与使用.

摘要： 通过"稳定过渡膜"制备高致密、全覆盖的CsPbIBr2钙钛矿薄膜,MoOX阴极缓冲层有效改善电极与CsPbIBr2钙钛矿薄膜接触，降低肖特基势垒，进而提升太阳电池光伏性能，器件表现出良好的热稳定性及保存稳定性。

摘要： 通过"稳定过渡膜"制备高致密、全覆盖的CsPbIBr2钙钛矿薄膜,MoOX阴极缓冲层有效改善电极与CsPbIBr2钙钛矿薄膜接触，降低肖特基势垒，进而提升太阳电池光伏性能，器件表现出良好的热稳定性及保存稳定性。

摘要： 通过"稳定过渡膜"制备高致密、全覆盖的CsPbIBr2钙钛矿薄膜,MoOX阴极缓冲层有效改善电极与CsPbIBr2钙钛矿薄膜接触，降低肖特基势垒，进而提升太阳电池光伏性能，器件表现出良好的热稳定性及保存稳定性。

摘要： 通过"稳定过渡膜"制备高致密、全覆盖的CsPbIBr2钙钛矿薄膜,MoOX阴极缓冲层有效改善电极与CsPbIBr2钙钛矿薄膜接触，降低肖特基势垒，进而提升太阳电池光伏性能，器件表现出良好的热稳定性及保存稳定性。

摘要： 本发明提供一种不使用有机系粘接剂、而是在低温下以低成本将高分子薄膜牢固地接合在其他高分子薄膜或玻璃基板上的方法。一种接合高分子薄膜的方法，其中，该方法包括以下步骤：在第一高分子薄膜上的局部或整个第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤(S1)；在第二高分子薄膜上的局部或整个第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤(S3)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S2)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S4)；以及使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤(S5)。

摘要： 本发明属二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，包括如下步骤：基板预处理；在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案；在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装技术制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，然后浸泡在MoS2水溶液中，这个过程可多次重复；将基板上得到的薄膜在丙酮中浸泡去除光刻胶，最终得到目标MoS2图案。本发明的有益效果在于制备方法简单，可以在任何基板上操作；薄膜厚度可控，而且可以实现图案化；反应条件温和，在高性能二维半导体薄膜电子器件领域具有广阔的应用空间。

摘要： 本发明提供一种不使用有机系粘接剂、而是在低温下以低成本将高分子薄膜牢固地接合在其他高分子薄膜或玻璃基板上的方法。一种接合高分子薄膜的方法，其中，该方法包括以下步骤：在第一高分子薄膜上的局部或整个第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤(S1)；在第二高分子薄膜上的局部或整个第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤(S3)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S2)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S4)；以及使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤(S5)。

摘要： 本发明提供带载体薄膜的导电性薄膜转印材料、及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料的制造方法。带载体薄膜的导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备载体薄膜(20)、临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)的剥离力比载体薄膜(20)与临时支撑体(2)的剥离力小。

摘要： 本发明涉及导电性薄膜转印材料及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料。导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备：临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。固化树脂层(3)的厚度为1.0μm以上且3.0μm以下。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)的厚度方向一个面的表面自由能超过20mN/m且不足40mN/m。

摘要： 本发明提供在用于有机EL元件的电子注入层的情况下可得到优异的电子注入性、电子传输性的有机薄膜；能够适合在制造该有机薄膜时使用的涂料组合物；以及作为这些有机薄膜、涂料组合物的原料的有机EL元件用材料。本发明涉及一种有机薄膜，其特征在于，其是包含作为具有下述通式(1)所表示的结构的化合物的第1材料和传输电子的第2材料的单层膜、或者是包含上述第1材料的膜与包含上述第2材料的膜的层积膜。(下述通式(1)中，X1、X2相同或不同，表示具有或不具有取代基的氮原子、氧原子、硫原子或2价连接基团。L表示直接键合或p价连接基团。n表示0或1的数，p表示1～4的数。q表示0或1的数，p为1时，q为0。R1～R3相同或不同，表示1价取代基。m1～m3相同或不同，表示0～3的数。)[化1]

摘要： 本发明提供在用于有机EL元件的电子注入层的情况下可得到优异的电子注入性、电子传输性的有机薄膜。本发明涉及一种有机薄膜，其特征在于，其是包含作为具有下述通式(1)所表示的结构的六氢嘧啶并嘧啶化合物的第1材料和传输电子的第2材料的单层膜、或者是包含上述第1材料的膜与包含上述第2材料的膜的层积膜。(通式(1)中，R1表示具有或不具有取代基的芳香族烃基、芳香族杂环基、芳基亚烷基、2～4价的链状或环状烃基、或者将这些基团两个以上组合而得到的基团、将这些基团中的一个或两个以上与氮原子组合而得到的基团。n为1～4的整数。)[化1]

摘要： 提供一种包含MXene和金属材料的导电性材料，其能够表现出存在于MXene的表面的修饰或末端T的效果，并且MXene的厚度方向上的导电性提高。所述导电性材料包含层状材料和金属材料，所述层状材料包含一个层或多个层，上述层包含由式MmXn表示的层主体和存在于该层主体的表面的修饰或末端T，式MmXn中，M为至少1种第3、4、5、6、7族金属，X为碳原子、氮原子或它们的组合，n为1以上且4以下，m大于n且为5以下，T为选自羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子中的至少1种，上述金属材料部分地被覆上述层状材料而构成多个粒子。

摘要： 本发明提供在对工件的整个面进行按压并粘贴薄膜的结构中能够将薄膜材料高效且精度良好地粘贴于该工件的薄膜材料粘贴装置和薄膜材料粘贴方法。通过在保持台(39)保持着基板(W)和干膜(DF)的状态下使具有该保持台(39)的第1加压机构(35)和与第1加压机构(35)相面对地配置的第2加压机构(36)相对地靠近并相互按压，从而将干膜(DF)粘贴于基板(W)。第2加压机构(36)具备：弹性构件(47)，其配设为，在使第1加压机构(35)和第2加压机构(36)相互按压之际使按压力作用于基板(W)的整个面和干膜(DF)的整个面；以及保护片(49)，其至少保护弹性构件(47)中的与保持台(39)相面对的面。

摘要： 本发明提供Sb2O3薄膜材料及基于溶胶‑凝胶法制备Sb2O3薄膜材料的方法和应用，属于电子材料与元器件领域。制备方法是将Sb2O3前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在80‑120°C下蒸干10‑15min，然后在300‑400°C下热处理5‑15min，取出冷却至室温，得到一层未完全晶化的Sb2O3薄膜；重复以上步骤多次，得到多层未完全晶化的Sb2O3薄膜；将薄膜在450‑600°C于空气氛围中晶化0.5‑2h，得到完全晶化的Sb2O3薄膜，即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电子迁移率高等优点的薄膜。