介电性能

摘要： 将钛酸钡(BT)粒子与聚酰胺酸溶液共混,亚胺化后得到聚酰亚胺(PI)包覆的BT(PI@BT)粒子。分别以BT粒子和PI@BT粒子为改性填料,通过原位聚合法制备了PI/BT和PI/PI@BT复合薄膜,对比了两种复合薄膜的结构与性能。结果表明:PI@BT粒子具有明显的核壳结构,较BT在PI基体中分散更均匀,从而有效地提高了复合薄膜的介电常数与热稳定性;当填料质量分数为55%,且频率为100 Hz时,PI/PI@BT复合薄膜的介电常数为14.98,较PI/BT复合薄膜提高了26%,约为纯PI薄膜的5倍;PI/PI@BT复合薄膜质量损失10%的温度提升至631.47°C。

摘要： 为了研究长期服役对硅橡胶(SIR)和三元乙丙橡胶(EPDM)绝缘高压电缆附件的理化性能和电气特性的影响,对退役110 kV电缆附件绝缘的材料特性、热学性能、介电性能和陷阱分布特性进行了测试和分析。结果表明:附件绝缘的介电性能受材料理化特性影响,老化使SIR绝缘分子主链Si-O-Si和侧链Si-CH_(3)发生断裂,放电事故导致EPDM绝缘出现C=O、-OH和含Si基团,介电性能下降;分子链被破坏导致绝缘的结晶性能被抑制,SIR熔点温度降低;运行初期,重结晶现象使EPDM绝缘的聚集态发生改变,部分无定型态向结晶态转变,对附件绝缘的击穿强度和体积电阻率有一定提升作用;EPDM的电气强度优于SIR;SIR绝缘陷阱电荷密度大于EPDM,表面电荷消散速度也快于EPDM绝缘。

摘要： 为了提高填料分散性以改善聚合物基复合介电材料的性能,进而扩展其在电子电气领域的应用,采用乳液聚合法在钛酸钡(BT)粒子表面包覆聚苯胺(PANI),制得PANI@BT粒子,然后与氮化硼(hBN)共混得到多维杂化填料PANI@BT-hBN,将PANI@BT和PANI@BT-hBN分别与聚偏氟乙烯(PVDF)溶液共混获得复合材料,对比研究两种填料的结构形貌、在PVDF中的分散性以及复合材料的力学性能、介电性能和击穿场强。结果表明,PANI@BT粒子具有核壳结构,hBN的引入能够明显改善PANI@BT在聚合物基体内的分散性。随着填料含量的增加,复合材料的介电常数增大,当填料质量分数为50%时,PVDF/PANI@BT-hBN的介电常数在100 Hz时达到169,较PVDF/PANI@BT复合材料提高了103.6%。当填料质量分数为10%时,PVDF/PANI@BT-hBN复合材料的击穿场强达到最大值145.2 kV/mm,比PVDF/PANI@BT复合材料提高66.9%。PVDF/PANI@BT-hBN复合材料的拉伸强度和断裂伸长率随填料含量的增加而先增大后减小,且相较于PVDF/PANI@BT复合材料均有所提高。

摘要： 以液体硅橡胶DC 186为基体,通过控制交联体系的用量制备了不同的硅橡胶薄膜材料,研究了交联程度对硅橡胶材料力学性能影响,研究了预拉伸程度和持续时间对硅橡胶材料介电性能的影响。结果表明,交联程度的增加会降低硅橡胶分子链运动中的能量损耗;由于预拉伸使得分子链上的极性基团活性降低,发生取向极化的概率减小,因此预拉伸程度越高、预拉伸持续时间越长,硅橡胶材料的介电常数越小,低频下的介电损耗越大。

摘要： 服务于国家“碳达峰·碳中和”双碳战略目标,未来电力系统将呈现规模化新能源分布式接入、多态能源互济与互通以及多电压等级交直流互联等独有特征,这对电力电子变压器、能源路由器、交直流输电管道等新能源电力系统装备提出了更高电压等级、大容量化和紧凑型的发展要求。与传统直流和工频环境下的运行装备相比,新能源电力系统装备的大规模电力电子拓扑使其绝缘系统需要面临更加复杂的类正弦、方波和脉冲等复杂电应力条件,导致绝缘容易出现快速劣化和老化问题,直接制约装备的安全可靠工作。因此,准确测试和表征复杂应力下新能源电力系统装备绝缘的介电性能就成为保障其长期稳定运行的关键基础。

摘要： 航天器在空间环境中的运行稳定性与聚酰亚胺(PI)等航天介质材料绝缘性能息息相关,而其介质内部载流子陷阱是影响绝缘性能的重要因素之一,因此,探究陷阱分布对介质电气性能的影响对保障航天器介质安全使用具有重要意义。该文制备不同掺杂量(质量分数0.5%、1%、3%)的纳米PI/ZnO复合薄膜并进行介电性能测试,通过热刺激电流法和表面电位衰减法分别测量薄膜体陷阱和表面陷阱能级分布并计算其载流子迁移率,测量体积电阻率和击穿场强。该文基于多核模型对纳米ZnO的引入使聚合物的介电性能发生改变的现象进行解释;从陷阱能级的角度分析深、浅陷阱对极化离子的影响机制,讨论陷阱整体的分布对介电常数变化的影响。这些分析和研究为调控材料的绝缘性能、提高航天器的安全性提供了新的思路和方法。

摘要： 聚合物薄膜电容器具有功率密度超高、击穿场强高、易于生产和密度小等特点,因而被广泛地应用于电力电子设备中。但是由于聚合物本身低的介电常数而导致其能量密度较低,限制了其在新兴领域的应用。通过复合的方式向聚合物基体中加入不同形貌与特性的填料是提高聚合物能量密度的有效途径。本文综述了近年来国内外关于填充型聚合物基介电储能复合材料的研究现状,分类讨论了各种填料的优势与不足,探究了填料与聚合物基体间的界面及相互作用对复合材料介电性能的影响,阐述了填充型聚合物基介电储能复合材料存在的问题和未来的发展方向。

摘要： 随着我国高压直流输电线路规模的不断扩大,其安全稳定运行显得愈来愈重要。换流变压器是高压直流输电的重要设备,其运行情况很大程度上影响着高压支流线路的稳定运行。而换流变压器的工作环境较为复杂,在直流输电时,其内部油纸绝缘结构容易受到周围温度的影响,使油纸的介电性能发生变化,进而可能导致换流变压器发生故障,因此研究温度对油纸绝缘介电性能的影响规律具有重要意义。

摘要： 研制了一款适用于真空成型的中温透波环氧树脂,对树脂的流变性能、DSC和力学性能进行了测试。采用热熔两步法制备了2种高强玻璃纤维织物预浸料,通过真空袋成型制备复合材料层压板,对复合材料的介电性能和力学性能进行了测试。结果表明:树脂粘度适中,放热过程缓慢,固化工艺窗口宽,其浇注体的断裂伸长率高,综合性能优异;与采用传统热压罐成型并广泛应用于航空透波领域的3218/SW280A复合材料相比,采用真空成型的ACTECH■1203/SW280复合材料的介电性能和力学性能与其基本相当,ACTECH■1203/S6W301F真空成型复合材料的介电性能和力学性能则更有优势。

摘要： 以五氧化二铌(Nb;O;)和四氧化三钴(Co;O;)为掺杂剂,通过固相反应对钛酸钡(barium titanate,BT)进行共掺杂改性。以高抗冲聚苯乙烯(HIPS)为基体,含Nb、Co的改性BT(BTNC)为填料,分别采用熔融共混法和溶液混合法制备复合材料BTNC/HIPS。扫描电镜结果显示,Nb和Co附着于BT表面可以形成具有核壳结构的BTNC,并能在HIPS中较好地分散。两种工艺制得的BTNC/HIPS复合材料在BTNC体积分数为0%~50%时,介电常数均随BTNC的增加而增大。在BTNC体积分数为50%、频率为10;Hz时,熔融共混法和溶液混合法制得的BTNC/HIPS复合材料的介电常数分别达到39和51,显示出较好的介电性能,且溶液混合法制备的BTNC/HIPS复合材料介电性能更优。

摘要： 高频高速是印制线路板基材发展的方向,刚挠结合板亟需具有优异的介电性能.通过将高频高速覆铜板技术应用到不流动半固化片产品中,本文研制了一种具有低介电性能的不流动半固化片产品.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下电路板材料的性能开始受到广泛关注.介电性能作为电路板选材、研制过程中的重要参数,其在高频下的精确测试已成为工业生产中的必要环节.传统电路板介电性能检测多采用抽检、送样的方式,且测试方法多采用波导法、微带线法等,存在步骤繁琐、速度慢、测试结果不精确等缺点.针对以上问题,本文提出一种基于Fabry-Perot谐振法的微波介电性能测试系统解决方案,只需放入样品即可实现材料介电性能的自动化测试.首先,介绍了相关系统的测试原理和测试方法,并完成了工作频率为10GHz和60GHz的Fabry-Perot谐振腔的设计和加工;其次,完成了10GHz腔体的装配和调试;最后采用该腔体测试了PTFE的谐振频率和品质因数.测试结果表明:工作频率为10GHz的谐振腔可实现一腔多频、变腔变频测试,且空腔Q值高达8万.与传统方法相比,该测试方法更方便,精度更高,这为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要.毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注.业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的.本课题基于IPC2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化.对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍.与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 合成了几种常规苯并噁嗪树脂,对比了树脂在结构、反应活性、固化工艺参数以及浇注体介电性能、耐热性能等方面的差异,分析了造成性能差异的原因,为其在覆铜板领域的应用提供参考.

摘要： 5G移动通信的发展,推动了手机天线所用柔性印制电路(FPC)基材的材料创新.本文介绍了FPC绝缘基材的介电性能对高频信号传输的影响,综述了5G高频FPC所用聚酰亚胺基材MPI的结构设计和性能特点,并对聚酰亚胺基材MPI应用于更高频率毫米波传输进行了展望.

摘要： 介电弹性体是一种在外电场条件下能够产生很大应变,外电场撤销后又可以恢复到原始尺寸的电活性聚合物材料.介电弹性体由于快速响应、电致变形大、高机械能密度和感应位移等特点,在传感器、能量收集和驱动器等方面具有广泛的应用前景.介电弹性体的应用需要高介电常数、低介电损耗和低模量等性能要求.目前,硅橡胶、丁腈橡胶和聚氨酯弹性体以及其复合材料广泛应用于制备介电弹性体.其中,聚氨酯弹性体是分子主链上含有脲基链节(-NHCONH-)或氨基甲酸酯链节(-NHCOO-)的硬段和软段组成的一种高分子材料.聚氨酯弹性体具有易加工性、优异的化学和力学性能和结构易调控性.然而,到目前为止聚氨酯材料的微观结构与介电性能关系并不清楚.

摘要： 采用1,1-二(4-羟基苯基)-3,3,5-三甲基环己烷与环氧氯丙烷在碱性条件下反应,合成1,1-二(4-羟基苯基)-3,3,5-三甲基环己烷缩水甘油醚.对该环氧树脂固化物的热性能和介电性能进行了表征,结果表明,环氧树脂固化物,具有低的介电常数(Dk)、低的损耗因子(Df)、高的玻璃转变温度(Tg).

摘要： 随着通信产业的发展,电子设备的信号传输及处理趋向于高频化和高速化,这要求挠性覆铜板(FCCL)材料具有低介电常数以及低介质损耗因子.文章论述了目前高频高速挠性电路板所用的胶黏剂,着重分析了各类型胶黏剂的材料组成、介电性能以及所存在的不足.

摘要： 本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷一金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11Pa·m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求.还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.

摘要： 本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷一金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11Pa·m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求.还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO-bBaO-cRe

摘要： 可以获得具有介电常数(εr)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/°C)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体，并且可以通过表达式为(1-x)MeTiaO1+2a-xLn(Ma1/2Mb1/2)bO(3+3b)/2来表示，其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种，x为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。

摘要： 本发明提供的一种低介电聚酰亚胺。本发明还提供了上述高性能低介电聚酰亚胺的制备方法。本发明还提供了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括所述低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1‑2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5‑1％。本发明的聚酰亚胺薄膜，采用特殊的聚酰亚胺大大降低了介电常数，兼具优良的耐热稳定性、高玻璃化转变温度、高透明性以及优异的阻燃性能，同时通过添加含氟硅氧烷、多孔壳聚糖，获得一种具有低介电常数、高耐水性的聚酰亚胺薄膜，并且在改善上述性能的同时不会损伤聚酰亚胺薄膜自身的绝缘性能及各项力学性能。

摘要： 其目的在于提供一种提高多层印刷电路板的内置电容器电路的位置精度、且除去了除电容器电路部以外的不必要的电介质层的介电层构成材料及电容器电路形成部件等。为了达成该目的，而采用介电层构成材料的制造方法，其特征在于，作为制造该介电层构成材料的工艺，在实施工序a后实施工序b，其中：工序a为第一电极电路形成工序，对在介电层的两表面上具有导体层的覆金属箔电介体的单面上的导体层进行蚀刻加工而形成第一电极电路；工序b为介电层除去工序，除去从第一电极电路之间露出的介电层而形成介电层构成材料。然后，作为制造电容器电路形成部件的工艺，采用在上述得到的介电层构成材料，并实施在与第一电极对峙的位置形成第二电极的工序。

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 本发明公开了一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷，目的在于解决现有介电陶瓷材料，介电常数越高，耐电强度越低，且其温度稳定性和电场稳定性也越差的问题。本发明从ABO3型钙钛矿晶体结构、介电微观机制出发，优化了高介电性能钛酸锶钡陶瓷的成分设计，通过改进原料粉末的制备方法、陶瓷试样的显微组织调控与性能优化，实现了制备的原料粉末均质、细晶，具备了较高的烧结活性。本发明提供兼具高的介电常数、低的介质损耗的BST介电陶瓷及其制备方法，其制备工艺简单，成本较低，周期短，适合大批量生产，能够满足工业化应用的需求，其提供的材料能够用于高功率微波器件系统中，满足实际应用需要，具有较为广阔的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种提高臭氧发生器的搪瓷介电体介电性能的方法，在搪瓷介电体表面生成一层玻璃钝化保护膜。所述生成玻璃钝化保护膜的方法包括步骤：S1、制备玻璃粉；S2、将玻璃粉电泳到搪瓷介电体表面；S3、将电泳玻璃钝化保护膜后的搪瓷介电体进行高温烧成。本发明所述的提高臭氧发生器的搪瓷介电体介电性能的方法，在搪瓷体表面生成一层玻璃钝化保护膜，将搪瓷体用一层致密的玻璃膜保护起来，隔绝搪瓷体与外部的接触，这层玻璃膜填平了搪瓷体表面的气泡形成的坑洼和孔洞以及微细裂纹，提高了介电性能。

摘要： 本发明公开了一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷，目的在于解决现有介电陶瓷材料，介电常数越高，耐电强度越低，且其温度稳定性和电场稳定性也越差的问题。本发明从ABO3型钙钛矿晶体结构、介电微观机制出发，优化了高介电性能钛酸锶钡陶瓷的成分设计，通过改进原料粉末的制备方法、陶瓷试样的显微组织调控与性能优化，实现了制备的原料粉末均质、细晶，具备了较高的烧结活性。本发明提供兼具高的介电常数、低的介质损耗的BST介电陶瓷及其制备方法，其制备工艺简单，成本较低，周期短，适合大批量生产，能够满足工业化应用的需求，其提供的材料能够用于高功率微波器件系统中，满足实际应用需要，具有较为广阔的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种提高臭氧发生器的搪瓷介电体介电性能的方法，在搪瓷介电体表面生成一层玻璃钝化保护膜。所述生成玻璃钝化保护膜的方法包括步骤： S1 、制备玻璃粉； S2 、将玻璃粉电泳到搪瓷介电体表面； S3 、将电泳玻璃钝化保护膜后的搪瓷介电体进行高温烧成。本发明所述的提高臭氧发生器的搪瓷介电体介电性能的方法，在搪瓷体表面生成一层玻璃钝化保护膜，将搪瓷体用一层致密的玻璃膜保护起来，隔绝搪瓷体与外部的接触，这层玻璃膜填平了搪瓷体表面的气泡形成的坑洼和孔洞以及微细裂纹，提高了介电性能。