掺杂

摘要： 以价格低廉的杉木屑为原料,与尿素和FeCl_(3)·6H_(2)O按照质量比1∶1∶2混合,在700~1000°C下炭化制备负载铁的氮掺杂多孔炭材料(Fe-N-C)。对不同温度下所制备炭材料的元素组成、结构和表面化学等进行分析,并考察其对硝基苯的催化还原性能。研究结果表明:炭化温度对负载铁和掺杂氮物种有显著影响,700°C时制备的多孔炭材料(Fe-N-C-700)中铁物种主要为Fe_(3)O_(4),氮物种主要为吡啶氮和吡咯氮,随着温度升高铁物种主要以金属铁为主,同时部分吡啶氮转变为石墨氮。当温度为900°C时,所制备的多孔炭材料(Fe-N-C-900)含铁量为43.42%,含氮量为2.19%,其中石墨氮37.7%,吡啶氮23.8%,吡咯氮22.9%,氧化氮15.6%,在55°C下反应2.5 h时催化还原硝基苯的转化率和选择性接近100%,这与Fe-N-C-900负载的金属铁和石墨氮之间的协同作用有关。当Fe-N-C-900催化还原带有给电子基团如甲基、氨基、羟基的硝基芳烃时,能够以较高的转化率和选择性得到相应产物。此外,当硝基芳烃上带有吸电子基团如氯、碘时,反应时间需要延长至4 h,反应物转化率可以达到97.3%以上,生成的产物选择性大于99%,表明Fe-N-C-900对不同底物表现出良好的普适性。此外,利用该催化剂的磁性对其进行回收,循环使用5次后,催化性能没有明显降低,硝基苯的转化率仍达到98.3%,产物选择性为96.5%,展现出良好的稳定性。

摘要： 制备性能优异的气敏材料对于设计高性能气体传感器具有重要意义。该文采用水热法制备了ZnO纳米片,利用石墨烯量子点(GQDs)对ZnO纳米片进行了掺杂,研究了GQDs掺杂量对材料气敏性能的影响。研究结果表明:与未掺杂ZnO纳米材料相比,复合材料气敏元件具有独特的响应和恢复特性,更有利于其实际应用。

摘要： 通过掺杂提高材料磁导率在磁场中的稳定性,对比得到掺杂Nb^(5+)时效果较好;分析材料参数与电感性能之间变化关系,得到材料性能随电流变化影响电感性能的关键因素之一,是电流变化引起外加磁场变化使得材料磁导率随之变化;基于以上所得,采用掺杂Nb^(5+)的铁氧体作为基板,再从结构设计方面降低磁场对材料性能的影响,最终制备得到0805型电感,额定电流为1.4 A。

摘要： 石墨烯因其独特的介电特性、高比表面积、低密度等性质,被认为是新一代吸波材料的有力候选。然而,单一组分的石墨烯吸波性能不佳,因此近年来石墨烯基吸波复合材料成为研究热点。本文介绍石墨烯及其复合材料的吸波机理与特性,指出介电型石墨烯作为极具发展潜力的吸波复合材料具有轻质、高强、宽频、薄层的特点。从石墨烯基体与掺杂体两方面综述了介电型石墨烯吸波复合材料的研究进展。最后指出,开发损耗能力强的新型介电掺杂体、构筑多组分吸波复合材料体系、建立通用的设计方法以及探索大批量的制备方法是未来的研究方向。

摘要： 利用溶剂热法构筑了CeDUT-52吸附剂,将其用于水中双酚A(BPA)、双酚F(BPF)和双酚AF(BPAF)3种双酚类化合物的分散固相萃取(DSPE),并结合高效液相色谱-紫外检测,建立了水中3种双酚类化合物的分析方法。采用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对构筑的CeDUT-52吸附剂进行表征,结果显示金属Ce成功掺杂于八面体结构的DUT-52中,掺杂后的吸附剂粒径变小。实验考察了吸附剂用量、吸附时间、洗脱溶剂种类以及洗脱体积对水中3种双酚类化合物萃取效率的影响。结果显示,40 mg吸附剂在20 min内即可实现对目标物的完全吸附。采用最优DSPE条件,BPA和BPF在0.3~300μg/L范围内,BPAF在0.6~600μg/L范围内线性关系良好(r≥0.999 8),检出限和定量下限分别为0.1~0.2μg/L和0.3~0.6μg/L,在1、5、10μg/L 3个加标水平下的回收率为82.5%~101%,相对标准偏差(RSD)不大于10%,富集因子为92~102。该方法快速、灵敏,能够满足水中双酚类化合物的分析要求。

摘要： 金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力。综述了近些年针对提升金属氧化物半导体气体传感器性能的改性研究进展,从对本体材料掺杂、修饰以及复合等多方面探讨改性措施对金属氧化物半导体气体传感器性能的改善提升作用,并展望了金属氧化物半导体气体传感器未来的发展方向。

摘要： 正极是锂-氧气(Li-O_(2))电池的电化学反应场所,其直接决定了电池性能。本研究采用泡桐木为原材料,在NaCl/CoCl_(2)混合熔融盐介质中,以三聚氰胺和硫脲为氮源和硫源,一步热解炭化制备出Co、N、S共掺杂的三维自支撑多孔炭材料(wd-NSC),并直接用作Li-O_(2)电池正极。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、氮气吸脱附、拉曼光谱、X射线光电子能谱等对所获三维自支撑多孔炭材料的形貌、晶体结构与化学成分进行了表征。研究结果表明,Co、N、S共掺杂的三维自支撑多孔炭材料表现出高比容量(在0.05mA/cm^(2)的电流密度下,放电比容量可达12.83mA·h/cm^(2))和出色的循环稳定性(在电流密度为0.1mA/cm^(2)和限定容量为0.5mA·h/cm^(2)下,循环寿命可达125次),优异的电池性能可归因于三维分级多孔结构及Co、N、S共掺杂的协同作用。

摘要： 使用第一性原理研究了纯(5,5)单壁碳纳米管(SWCNTs)和掺杂(Si,Ge,Sn)SWCNTs的电子结构和光学性质。研究发现,与其他体系的带隙值相比,Sn掺杂体系的带隙值最小,为0.034 eV,该体系显示出了良好的半导体性能。差分电荷密度图显示掺杂后原子周围的局域性降低,说明碳原子与掺杂原子之间的键强度减弱。布居值分析表明Sn原子与C原子成键的共价性最弱。在吸收光谱中,掺杂体系的峰值均略有减小,并出现蓝移现象。此外,与未掺杂体系相比,Sn掺杂体系的吸收谱与反射谱峰值明显减小,这可允许更多的光通过涂层然后被太阳能电池吸收,使其作为增透膜材料在太阳能电池领域有广阔的应用前景。

摘要： 铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响。本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量。结果表明,CLN晶体内偏置场最高(E_(int)=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration,VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5%(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7%(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一。最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析。

摘要： 采用密度泛函理论方法对MoS_(2)完整表面、吸附式掺杂和替换掺杂缺陷MoS_(2)表面(Fe-MoS_(2)、Ir-MoS_(2))的构型、电子结构进行了研究.结果表明:通过比较Fe、Ir原子吸附的吸附能,发现Ir比Fe在表面的吸附性更强,且在Mo原子的上方吸附最强,电子态密度分析说明了在Z方向上,Mo原子的4d_(yz)、4d_(z)^(2)、4d_(xz)轨道与Ir原子的5d_(yz)、5d_(z)^(2)、5d_(xz)态密度峰存在不同程度的混合,特别是d_(z)^(2)轨道之间存在明显混合;Fe、Ir金属原子掺杂替换本征表面MoS_(2)的S、Mo原子的计算结果显示,单层MoS_(2)的S位置更容易被替换形成掺杂体系,S位掺杂体系稳定性强于在Mo位掺杂体系,且电子态密度计算显示掺杂替换S原子后金属Ir有效调控了MoS_(2)的电子结构,激活了替换原子Ir附近Mo的反应活性.

摘要： 采用非平衡态分子动力学方法模拟了含有掺杂缺陷的碳管的导热系数,分析了不同缺陷原子、缺陷浓度、环境温度、碳管手性以及长度等对导热系数的影响.结果表明,掺杂硼、氮和钾原子导致碳管整体导热系数显著下降;由于掺杂原子的影响,碳管温度在掺杂缺陷处出现间断性跳跃;对于手性不同的碳管,扶手椅型碳管对掺杂缺陷最为敏感,导热系数下降幅度最大;当环境温度增加时,含有掺杂缺陷碳管导热系数先增大后减小;当碳管长度增加或管径减小时,含有掺杂缺陷碳管的导热系数随之增大.

摘要： 本文采用溶胶.凝胶法制备了系列Ru/TiO2和Ru/TiO2/SiO2光催化剂,通过XRD、UV-Vis漫反射对样品进行了表征。发现掺杂的Ru可以抑制TiO2的相转变和晶粒生长;Ru掺杂使TiO2和TiO2/SiO2对可见光的吸收强度增大,吸收光谱产生红移。当Ru在TiO2和TiO2/SiO2中的掺杂量分别为0.014wt%和为0.021wt%时,光催化剂的可见光活性最大。

摘要： @@在中药材市场，你会看到同一品名的药材除等级、品相、价格差异悬殊，有一些品种猛眼初看，貌似不错，但价格很奥妙。仔细观察你就会发现这是掺杂使假的中药材，饮片尤甚。我们在中药验收入库时也会发现这些问题。针对这一现象，我们在工作中总结了一些简便易行的方法，可以快速识别之，现进行总结报道。

摘要： 研究了不掺杂、单施主Nb掺杂Ti02压敏陶瓷的显微结构和化学组成，不掺杂TiO2陶瓷由于高温产生氧空位，氧空位的扩散和聚集使晶粒和晶界中存在大量气孔.掺杂离子的偏析致使TiO2压敏陶瓷生成第二相，Nb掺杂lmol%、5mOl％TiO2压敏陶瓷在高温烧结过程中均出现了Nb偏析，Nb掺杂5tool%TiO2样品中偏析较明显。结合XRD、SEM检测发现Nb掺杂lmol％样品中并没有出现第二相，Nb掺杂5Mol％样品中出现了TiNb2O7第二相。

摘要： 采用电子陶瓷传统工艺制备了TiO2压敏陶瓷样品，应用TEM和SAED方法测试了样品的显微形貌和晶粒取向。用ξ表法按非立方晶系标定了TiO2晶粒的衍射图样，并基于边-边匹配模型建立掺杂TiO2压敏陶瓷的界面结构模型。实验表明：掺杂对TiO2陶瓷界面结构是有影响的。

摘要： 本实验用谷胱甘肽(GSH)作为配位稳定剂,水相中快速合成稳定性良好的镉掺硒化锌(ZnSe:Cd)量子点。rn 基于ZnSe:Cd量子点与溶菌酶之间的相互作用,采用共振瑞利光散射法建立了简单快速检测溶菌酶的新方法。实验运用紫外-可见分光光度和荧光光谱方法研究了该量子点的发光特性,透射电镜(TEM)表征其形貌。在优化的实验条件下,利用ZnSe:Cd量子点与溶菌酶之间的相互作用,采用共振瑞利光散射法建立有效的检测体系,当溶菌酶浓度在0.08-2.0ug/mL范围内变化时,散射光强度与溶菌酶浓度间呈现良好的线性关系,相关系数R2为0.9988,此方法对溶菌酶的检出限为6.45×10.10g/mL,此方法选择性较好,常见离子、蛋白质及常见氨基酸对溶菌酶检测干扰较小,这种新方法已被成功用于合成样品中溶菌酶的检测,并取得较好结果。

摘要： 本文采用溶胶凝胶法合成了掺杂MgO、La2O3的复合钙基吸收剂,并在固定床反应器上分别对它们进行了30个循环的煅烧碳酸化实验,对其吸收CO2的活性及循环的稳定性进行了研究。结果表明,采用溶胶凝胶法合成掺杂MgO、La2O3的复合钙基吸收剂可以显著提高吸收剂的反应活性和抗烧结性能,从而提高其循环煅烧碳酸化反应过程中的稳定性。

摘要： 本文以飞灰,碳酸锂为反应原料,通过高温固相反应,添加不同比例的碳酸钾,合成出一系列可在高温下吸收CO2的飞灰-硅酸锂新型吸收剂，用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射仪(XRD)对材料的表面形貌和结构特征进行表征,并用热重分析仪(TG)研究了硅酸锂材料吸收CO2的特性以及固定床来测试捕获CO2的循环性能。实验结果表明,通过适量K元素的掺杂,飞灰-硅酸锂材料在吸收速度、容量和循环性能上都取得较好的效果,使综合利用飞灰合成硅酸锂材料捕获CO2成为一种可行的方法。

摘要： 采用溶胶-凝胶方法制备掺钛0.3％(wt)UO2微球，用金相显微镜观察微球微观结构、图像分析仪计算微球晶粒尺寸。对掺钛0.3％(wt)UO2微球晶粒长大机制进行了研究。经过计算得到在1250～1550°C之间掺钛UO2微球晶粒生长的平均活化能Ea=232.79kJ/mol，明显地低于UO2微球晶粒生长的平均活化能(Ea0=518.32kJ/mol)；掺钛UO2微球在烧结后期(1250°C之后)，微球部分区域形成高价态的U4O9相加快了U原子扩散速度，加速了晶粒生长。

摘要： 采用溶胶-凝胶方法制备掺钛0.3％(wt)UO2微球，用金相显微镜观察微球微观结构、图像分析仪计算微球晶粒尺寸。对掺钛0.3％(wt)UO2微球晶粒长大机制进行了研究。经过计算得到在1250～1550°C之间掺钛UO2微球晶粒生长的平均活化能Ea=232.79kJ/mol，明显地低于UO2微球晶粒生长的平均活化能(Ea0=518.32kJ/mol)；掺钛UO2微球在烧结后期(1250°C之后)，微球部分区域形成高价态的U4O9相加快了U原子扩散速度，加速了晶粒生长。

摘要： 本发明介绍了用于制造掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III-N大块晶体以及由其分割而成的III-N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

摘要： 本申请提供一种掺杂氧化锌标准样品及其制备方法和测量未知掺杂氧化锌样品中掺杂元素含量的方法，涉及电子探针分析领域。掺杂氧化锌标准样品的制备方法：将包括锌源化合物、掺杂元素化合物在内的原料使用水热法制备得到掺杂‑氧化锌纳米单晶；采用压片法将掺杂‑氧化锌纳米单晶压制成块状样品，烧结至单晶尺寸达到微米级别，然后进行回火处理。本申请提供的掺杂氧化锌标准样品的制备方法，制备出的标准样品填补了标准样品领域中特定元素掺杂氧化物标准样品的空白，尤其是能够提高低含量掺杂样品的定量分析测试精度。此类标准样品不仅适用于电子探针，还适用于二次离子质谱、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱、能谱等其它原位微束分析手段。

摘要： 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高效掺杂石墨烯的超强酸掺杂剂和掺杂方法，该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的p型掺杂。掺杂剂采用超强酸或者含有超强酸的混合物，将掺杂剂与未转移的石墨烯本征表面接触后，对石墨烯进行掺杂。本发明采用超强酸掺杂具有高效、稳定的特点，为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。

摘要： 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种稳定掺杂石墨烯的化学掺杂剂与掺杂方法。采用光固化型环氧胶作为稳定掺杂石墨烯的新型掺杂剂，具体掺杂方法为：首先在初始基体上的石墨烯表面形成光固化型环氧胶；然后将石墨烯、光固化型环氧胶和透明目标基体进行结合，对环氧胶进行光固化；最后通过对固化后的环氧胶进行加热或室温长期放置处理，实现对石墨烯的稳定掺杂。本发明在转移之前将光固化型环氧胶与初始基体上生长的石墨烯直接接触并固化，再通过加热或室温长期放置处理实现对石墨烯的稳定掺杂。由于石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免了杂质对两者之间界面的污染，可促进环氧胶的掺杂效果。

摘要： 本发明公开了制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。制备砷掺杂剂的方法：包括：将金属砷进行一次氧化和二次氧化处理，得到氧化砷颗粒。其中，一次氧化处理的温度为20～25摄氏度，湿度为不高于45％，二次氧化处理的温度为40～60摄氏度，湿度为45～65％。该方法通过将金属砷进行一次氧化和二次氧化，可以将金属砷完全转化为氧化砷颗粒，从而在其应用过程中，例如在制备砷掺杂生长单晶硅过程中作为砷掺杂剂加入到熔硅中，不会由于固体砷与氧发生氧化反应而产生气泡，从而可以有效避免熔硅飞溅而损坏部件和影响长晶成功率的问题，同时本申请可以显著降低气体砷掺杂而导致的砷的浪费(降低砷损失至少10％)。

摘要： 本发明介绍了用于制造掺杂的III－N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III－N层或者掺杂的III－N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III－N大块晶体以及由其分割而成的III－N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

摘要： 本申请提供一种掺杂氧化锌标准样品及其制备方法和测量未知掺杂氧化锌样品中掺杂元素含量的方法，涉及电子探针分析领域。掺杂氧化锌标准样品的制备方法：将包括锌源化合物、掺杂元素化合物在内的原料使用水热法制备得到掺杂‑氧化锌纳米单晶；采用压片法将掺杂‑氧化锌纳米单晶压制成块状样品，烧结至单晶尺寸达到微米级别，然后进行回火处理。本申请提供的掺杂氧化锌标准样品的制备方法，制备出的标准样品填补了标准样品领域中特定元素掺杂氧化物标准样品的空白，尤其是能够提高低含量掺杂样品的定量分析测试精度。此类标准样品不仅适用于电子探针，还适用于二次离子质谱、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱、能谱等其它原位微束分析手段。

摘要： 本发明公开了制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置及掺杂方法，装置包括气化系统、气相混合系统和气相沉降系统，气化系统包括多个加热气化单元，加热气化单元将原料加热气化并传输至气相混合系统，气相混合系统包括三路进气单元、稀土掺杂原料蒸发单元和气体混合区，气相沉降单元包括与稀土掺杂原料蒸发室的输出端连接并与气体混合区相通的石英玻璃衬底管和用于移动加热石英玻璃衬底管的第二加热炉，石英玻璃衬底管和稀土掺杂原料蒸发室分别通过旋转基座固定并且能够绕着各自的中心轴旋转。方法采用上述制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置进行稀土掺杂光纤的制备。本发明采用稀土螯合物作为掺杂原料并提高掺杂浓度、保证掺杂均匀性。

摘要： 本发明公开了制备稀土掺杂光纤预制棒的气相掺杂装置及掺杂方法，装置包括气化系统、气相传输系统和气相沉积系统，气化系统包括普通沉积原料供给单元、AlCl

摘要： 本实用新型提供一种用于生长掺杂直拉晶体的掺杂器定位装置，包括掺杂罩和定位件，定位件设于掺杂罩上，且定位件的一端与掺杂罩连接，定位件的另一端延伸出掺杂罩靠近硅溶液一端的端面，在掺杂时，定位件与硅溶液接触，对掺杂罩进行定位。本实用新型的有益效果是用于将低熔点元素(磷、砷)掺入硅溶液中的掺杂器使用，具有掺杂罩和定位件，对掺杂罩进行定位，使得掺杂效果一致性好。