ZnO

摘要： 基于修饰的高分子网络凝胶法,通过简单的工艺流程制备出高效的ZnO/TiO_(2)纳米复合光催化剂,并调节复合物中成分的比例优化了光催化剂的性能。研究结果发现,微量的TiO_(2)添加和高浓度TiO_(2)复合均改善了颗粒状ZnO纳米光催化剂的催化活性,它们在模拟太阳光照下对甲基橙的降解效率更高,增强的性能分别归因于表面氧空位缺陷增多和多元异质结结构增强的界面电荷转移引起的高光生电子-空穴分离率。此外,ZnO和TiO_(2)对亚甲基蓝和甲基橙的光催化降解存在一定的选择性,这与催化剂表面带电性和污染物分子的离子性有关。抑制剂实验表明催化剂表面形成的活性物种羟基自由基、超氧自由基和光生空穴均参与亚甲基蓝和甲基橙的降解反应,在甲基橙的降解反应中超氧自由基起主导作用。循环实验证实所制备的光催化剂具有较高的稳定性。为探索可能的实际应用,进一步研究了催化剂用量和污染物溶液的pH值对催化剂的光催化性能的影响。结果表明,催化剂用量的增加为污染物分子和入射光提供了更多的活性位点,提高了污染物降解效率;因碱性溶液含高浓度强氧化性的羟基自由基,催化剂在碱性环境中光降解污染物的效率明显提高。

摘要： 本研究以玉米淀粉和壳聚糖为成膜基材,纳米ZnO颗粒为添加剂,采用流延法制备ZnO/壳聚糖/淀粉膜,并对纳米ZnO颗粒添加剂对膜材形貌、结构、热稳定性、阻隔性、抑菌活性和力学性能的影响进行测试。测试结果表明,ZnO添加剂没有影响壳聚糖/淀粉膜的相容性,ZnO/壳聚糖/淀粉膜的水蒸气透过率为0.86×10^(-10)g/(Pa·m·s),对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑菌圈直径分别为2.2mm和4.5mm,相比壳聚糖/淀粉膜具有更好的阻隔性和抑菌活性。ZnO/壳聚糖/淀粉膜的拉伸强度增加到17.75MPa。本研究制备的ZnO/壳聚糖/淀粉膜具有较好的阻隔性、抑菌活性以及力学性能,将有望在食品或药品包装行业得到广泛的应用。

摘要： 采用水热-煅烧法,以柚子皮内瓤、硝酸盐、尿素为起始物,制备出以多孔碳为框架、少量Co掺杂的C/Zn_(1-x)Co_(x)O复合材料,用作锂离子电池负极.XRD测试显示,Co掺杂未改变ZnO的晶型结构;SEM测试显示,样品为多孔薄片状碳框架包裹的Co掺杂ZnO纳米粒子.充放电、阻抗测试结果显示,相对于未掺杂Co的C/ZnO材料,少量Co的掺杂可以提高材料的导电性,从而提高材料的充放电容量和首圈库伦效率.0.1 A·g^(-1)时,C/Zn_(0.90)_(0.10)O样品容量可达400 mAh·g^(-1)以上并且可稳定运行100次以上.这一研究展示了资源化利用生物废弃物,并使之成为便宜、可持续应用的新能源材料的可能性.

摘要： 由于组分之间的协同作用,复合材料的性能得以有效提升,因此其相关研究近年来备受关注。论文综述了ZnO与Ag_(2)CO_(3)、AgI、AgBr、AgCl、Ag_(3)PO_(4)、Ag_(2)O、Ag_(2)S复合光催化剂的制备、光催化活性和稳定性及光催化机理等方面。相比于其单一组分催化剂,ZnO/含银化合物复合材料的光催化活性提高、稳定性增强、生产成本下降。本文还对复合光催化剂的发展方向和前景进行了讨论,便宜、高效的ZnO/含银化合物复合光催化剂有望用于工业废水处理领域。

摘要： 通过水热法制备合成了ZnO/氧化石墨烯复合材料,并对其降解甲基橙的效率进行研究。结果表明经6 h氙灯照射后,降解甲基橙效率高达86.25%,说明该复合材料可用于偶氮类有机染料的降解。

摘要： 离子激发发光(Ions beam induced luminescence,IBIL)可以实时原位分析不同温度、不同离子辐照条件下材料内部点缺陷的演变行为。本文利用2 MeV H^(+)研究了300,200,100 K温度下ZnO单晶内部点缺陷发光及其随注量的演变行为。实验中发现ZnO深能级发射和近带边发射,结合Voigt分峰与XPS实验结果,确定红光(1.75 eV)与V_(Zn)相关,橙红光(1.95 eV)来自Zn_(i)到O_(i)跃迁;对于与V_(O)相关的绿光(2.10 eV),其红移可能由于温度降低导致更多电子由导带释放到Zn_(i)。峰中心位于3.10 eV和3.20 eV近带边发射分别来自于Zn_(i)到价带的跃迁和激子复合,红移原因分别为Zn_(i)附近局域化能级和带隙收缩。利用单指数公式对发光强度进行拟合,获得的衰减速率常数(f)可以表征缺陷的辐射硬度,对比发现深能级发射峰在200 K时辐射硬度最大,而近带边发射峰在300 K时辐射硬度最大。

摘要： 采用水热法制备了三维分级微纳结构ZnO微球,研究了柠檬酸三钠的添加量对ZnO的结构和气敏性能的影响。结果表明,随着柠檬酸三钠添加量的增加,ZnO逐渐由纳米棒状变为分级结构微球,比表面积也随之显著增加。当柠檬酸三钠添加量为0.3 g时,ZnO微球在180°C的最佳工作温度下,对0.01%正丁醇气体的灵敏度高达209.8,且具有较快的响应速度和较好的气体选择性,并进一步对ZnO分级微球的气敏响应机制进行了讨论。

摘要： 以二水醋酸锌和氨水为原料,采用化学浴沉积法在平均孔径为250 nm的多孔SiC陶瓷表面构造花状ZnO微纳结构,并用正辛基三乙氧基硅烷接枝改性.考察了Zn^(2+)浓度、反应温度和反应时间对沉积在多孔陶瓷表面ZnO形貌的影响,进而考察其对多孔陶瓷表面超疏水性能的影响.对比了超疏水改性前后多孔陶瓷的表面性质及其油-固分离性能.结果表明,花状ZnO在多孔SiC陶瓷表面沉积的最佳条件是:Zn^(2+)浓度为75 mmol/L,反应温度为96°C,反应时间为3 h.此时硅烷接枝改性后多孔陶瓷表面超疏水效果最好,其表面水接触角和滚动接触角分别为173°±2.5°和2.5°±1°.在油-固分离实验中,超疏水多孔SiC陶瓷对固体炭黑具有良好的截留性能,当跨膜压差为0.25 MPa时,其稳态通量为498.3 L/(m^(2)·h).与空白样相比,通量提高了53.6%.

摘要： 以醋酸锌为原料,采用溶胶凝胶法制备纳米ZnO,分别以工业大麻枝叶、硫脲、尿素为碳源、硫源和氮源合成了氮硫掺杂碳量子点(N,S-CQDs),然后通过浸渍法合成了N,S-CQDs/ZnO复合材料.采用SEM,TEM,FT-IR,PL等分析方法对催化剂进行了表征.结果表明,N,S-CQDs/ZnO对染料罗丹明B(RhB)的降解效果明显高于单体S-CQDs与ZnO.

摘要： Ordered ZnO nanorod arrays were epitaxially grown on GaN substrates by a hydrothermal method.The patterned template was made by transferring a self-assembled close-packed monolayer of polystyrene(PS)nanospheres onto GaN substrates.Then magnetron sputtering of SiO_(2)was used to mediate the size of PS nanospheres by plasma etching and form periodic seed sites for the following ZnO growth.It was observed that the size of ZnO nanorods could be varied by changing the temperature of hydrothermal growth,and the relationship between height and diameter of nanorods versus growth temperature was studied.This work provides a potential low-cost hydrothermal method for the preparation of ordered semiconductor nanorod arrays.

摘要： we used computer to calculate the structure, bandgap and electronic density states of single-wallnanotube. We compared the correspond properties of nanotube and bulk material. We found that the bondlength decreased from 0.1973 nm to 0.1917 nm. The angle between the chemical bond changed from110.860 to 95.520 or 114.980. The changes of bond length and angle influence the properties of Zn0 nano-tube. From the calculation of bandgap, they were all the direct bandgap. The calculated results showed thatthe bandgap of Zn0 nanotube was 1.965 eV while the band gap of bulk Zn0 was 0.735 eV. The bandgapresults showed that Zn0 nanotube was more suitable for blue optical devices than Zn0 bulk material. Theelectronic density states of Zn0 nanotube mainly concentrated at the Fermi energy, the conductivity of Zn0was better than Zn0 bulk material. The better conductivity enhanced the field emission of Zn0 nanotube inan electronic field. Our calculation illustrated that the peaks of absorption coefficient located at 7.9 eV,which may come from the electronic transition from O2ptoZn3d.

摘要： we used computer to calculate the structure, bandgap and electronic density states of single-wallnanotube. We compared the correspond properties of nanotube and bulk material. We found that the bondlength decreased from 0.1973 nm to 0.1917 nm. The angle between the chemical bond changed from110.860 to 95.520 or 114.980. The changes of bond length and angle influence the properties of Zn0 nano-tube. From the calculation of bandgap, they were all the direct bandgap. The calculated results showed thatthe bandgap of Zn0 nanotube was 1.965 eV while the band gap of bulk Zn0 was 0.735 eV. The bandgapresults showed that Zn0 nanotube was more suitable for blue optical devices than Zn0 bulk material. Theelectronic density states of Zn0 nanotube mainly concentrated at the Fermi energy, the conductivity of Zn0was better than Zn0 bulk material. The better conductivity enhanced the field emission of Zn0 nanotube inan electronic field. Our calculation illustrated that the peaks of absorption coefficient located at 7.9 eV,which may come from the electronic transition from O2ptoZn3d.

摘要： we used computer to calculate the structure, bandgap and electronic density states of single-wallnanotube. We compared the correspond properties of nanotube and bulk material. We found that the bondlength decreased from 0.1973 nm to 0.1917 nm. The angle between the chemical bond changed from110.860 to 95.520 or 114.980. The changes of bond length and angle influence the properties of Zn0 nano-tube. From the calculation of bandgap, they were all the direct bandgap. The calculated results showed thatthe bandgap of Zn0 nanotube was 1.965 eV while the band gap of bulk Zn0 was 0.735 eV. The bandgapresults showed that Zn0 nanotube was more suitable for blue optical devices than Zn0 bulk material. Theelectronic density states of Zn0 nanotube mainly concentrated at the Fermi energy, the conductivity of Zn0was better than Zn0 bulk material. The better conductivity enhanced the field emission of Zn0 nanotube inan electronic field. Our calculation illustrated that the peaks of absorption coefficient located at 7.9 eV,which may come from the electronic transition from O2ptoZn3d.

摘要： we used computer to calculate the structure, bandgap and electronic density states of single-wallnanotube. We compared the correspond properties of nanotube and bulk material. We found that the bondlength decreased from 0.1973 nm to 0.1917 nm. The angle between the chemical bond changed from110.860 to 95.520 or 114.980. The changes of bond length and angle influence the properties of Zn0 nano-tube. From the calculation of bandgap, they were all the direct bandgap. The calculated results showed thatthe bandgap of Zn0 nanotube was 1.965 eV while the band gap of bulk Zn0 was 0.735 eV. The bandgapresults showed that Zn0 nanotube was more suitable for blue optical devices than Zn0 bulk material. Theelectronic density states of Zn0 nanotube mainly concentrated at the Fermi energy, the conductivity of Zn0was better than Zn0 bulk material. The better conductivity enhanced the field emission of Zn0 nanotube inan electronic field. Our calculation illustrated that the peaks of absorption coefficient located at 7.9 eV,which may come from the electronic transition from O2ptoZn3d.

摘要： ZnO压敏材料问世五十多年来，压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。此文根据本研究组的一些研究成果，结合有关文献报道对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一简述，指出随着科学技术的飞速发展，各种压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而，近年来国外在ZnO压敏材料的新发展和新应用，以及新型SnO2压敏材料的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： ZnO压敏材料问世五十多年来，压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。此文根据本研究组的一些研究成果，结合有关文献报道对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一简述，指出随着科学技术的飞速发展，各种压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而，近年来国外在ZnO压敏材料的新发展和新应用，以及新型SnO2压敏材料的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： ZnO压敏材料问世五十多年来，压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。此文根据本研究组的一些研究成果，结合有关文献报道对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一简述，指出随着科学技术的飞速发展，各种压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而，近年来国外在ZnO压敏材料的新发展和新应用，以及新型SnO2压敏材料的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： ZnO压敏材料问世五十多年来，压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。此文根据本研究组的一些研究成果，结合有关文献报道对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一简述，指出随着科学技术的飞速发展，各种压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而，近年来国外在ZnO压敏材料的新发展和新应用，以及新型SnO2压敏材料的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： 在水热条件下，以硝酸锌、氢氧化钠、六次甲基四胺等为原料合成球形、棒状、束状和花状等不同微观形貌的ZnO粒子.采用透射电镜(TEM)，扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等对其形貌和物相进行分析。利用IR-1红外发射率测量仪测量了不同形貌Zn0粒子在8-14μm波段的红外发射率。探讨了ZnO的形貌对其红外发射率性能的影响。结果表明，各产物均为六方纤锌矿结构的ZnO。微米ZnO的红外发射率值比纳米的小。棒状、束状ZnO的发射牢值比球形的要低。花状结构的ZnO的发射率值最低，可达O.673。

摘要： 在水热条件下，以硝酸锌、氢氧化钠、六次甲基四胺等为原料合成球形、棒状、束状和花状等不同微观形貌的ZnO粒子.采用透射电镜(TEM)，扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等对其形貌和物相进行分析。利用IR-1红外发射率测量仪测量了不同形貌Zn0粒子在8-14μm波段的红外发射率。探讨了ZnO的形貌对其红外发射率性能的影响。结果表明，各产物均为六方纤锌矿结构的ZnO。微米ZnO的红外发射率值比纳米的小。棒状、束状ZnO的发射牢值比球形的要低。花状结构的ZnO的发射率值最低，可达O.673。

摘要： 本发明公开了一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；所述的在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al异质结。本发明经过基于半导体能带工程的光谱调制，实现了490nm的主发光峰，能提供更为优秀的光生物效应。本发明制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。

摘要： 本发明公开了一种柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管，该结构为从上到下依次为发射极、基极、集电极、柔性导电衬底；所述的柔性导电衬底为柔性衬底上设有导电层；所述的发射极材料为ZnO，所述的基极材料为NiO，所述的集电材料为ZnO，所述的发射极、基极、集电极的一侧对齐，所述的发射极和柔性衬底的导电层上设有电极。本发明通过压电效应与半导体能带工程的耦合作用实现该晶体管在光电探测，力电传感以及纳米发电等多种功能化应用。

摘要： 本发明公开了一种基于N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法，二极管包括：N‑ZnO微米线、N型GaN薄膜、PMMA保护层和合金电极；方法包括如下步骤：将两根N‑ZnO微米线平铺在N‑GaN薄膜上，旋涂PMMA保护层固定N‑ZnO微米线，至PMMA保护层漫过N‑ZnO微米线，在烘干台上使PMMA保护层凝固，然后利用O2将PMMA保护层刻蚀至N‑ZnO微米线露出，分别在不同的N‑ZnO微米线上制备合金电极，构建N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO型异质结，构成完整的器件。本发明构建了N/N/N对称结构，器件正反向发光总量相同；器件由N型ZnO和N型GaN组成，器件发光位置为紫外区域，器件开启电压较小；N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结发光二极管发光中心位于371nm和385nm，紫外发光占比高于80％，器件可在交流电驱动下正常工作。

摘要： 将作为溶质的ZnO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板，从而通过液相外延生长法可将ZnO单晶生长在前述种晶基板上。此外，将作为溶质的ZnO和MgO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板以通过液相外延生长法使含Mg的ZnO系混合单晶生长，其后，通过研磨或蚀刻除去基板，研磨或蚀刻前述单晶的液相外延生长的-c面侧，从而可得到上述自支撑含Mg的ZnO系混合单晶晶片。

摘要： 本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。

摘要： 本发明公开了一种ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器及制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在干净的玻璃片上沉积一层ZnO薄膜；多次旋涂，将ZnO量子点溶液旋涂在磁控溅射ZnO层上，生成样品；对样品进行退火；在退火后的样品上镀金电极。本发明提供的ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器的制备方法具有操作简便、产品安全无毒的优点。本发明制备得到的ZnO量子点/磁控溅射ZnO同质结紫外光电探测器具有光吸收性好，载流子传输速率高的优点。

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。

摘要： 本发明涉及一种不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻及其制备方法，其目的是解决现有ZnO压敏电阻电位梯度较低，在高浪涌冲击下通流能力弱，且二者不能同时提高的技术问题。由于氧化铬和氧化硅的价格均高于氧化锌，本发明去除了ZnO压敏电阻原料中的氧化铬和氧化硅，并寻找到了一个无氧化铬和氧化硅掺杂的原料配比以降低生产成本，通过减少组分和设置特定含量的方式，实现了电位梯度和通流能力的同时提高，所制备的无氧化铬和氧化硅掺杂的ZnO压敏电阻，稳定性较好，电位梯度提高到了220～240V/mm，10kA 8/20μs雷电波残压比范围为1.75～1.80，方波和4/10大电流通流能力强，还可通过重复转移电荷0.5C测试，能量吸收参数达到280～300J/cm3，可以满足更多场合的应用要求。

摘要： 本发明涉及一种以碳布为衬底的ZnO/MoS2(CC/ZnO/MoS2)复合材料光催化剂的制备方法，通过两步水热法将MoS2纳米片固定在ZnO纳米棒上，得到一种廉价高效的光催化剂。第一步水热法以Zn(NO)3·6H2O和HMT(六次甲基四胺)为前驱体在导电碳布(CC)上生成了ZnO纳米棒；第二步水热法，以二水合钼酸钠和硫脲为钼源和硫源，在CC/ZnO上生长了MoS2纳米片，即可获得CC/ZnO/MoS2复合材料光催化剂。本发明CC/ZnO/MoS2复合材料光催化剂，MoS2的窄带隙增强了复合材料的光吸收范围，纳米片状的MoS2为光催化反应提供了大量的活性位点，大量的ZnO/MoS2界面提供了载流子分离的场所，棒状的ZnO促进了载流子的传输，最终提高了复合材料的光催化效率。