金属氧化物半导体

摘要： 金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力。综述了近些年针对提升金属氧化物半导体气体传感器性能的改性研究进展,从对本体材料掺杂、修饰以及复合等多方面探讨改性措施对金属氧化物半导体气体传感器性能的改善提升作用,并展望了金属氧化物半导体气体传感器未来的发展方向。

摘要： 通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备.研究了N_(2)O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究.结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性.高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以有效抵抗铝酸的刻蚀,未发现明显的成分偏析现象.进一步的X射线光电能谱测试表明,N_(2)O等离子体处理能在界面处形成一个富氧、低载流子浓度的界面层.其一方面可以有效抵抗器件在沉积氧化硅钝化层时等离子体对背沟道的损伤;另一方面作为氢的钝化体,抑制了低能级施主态氢的产生,为低成本、高效的薄膜晶体管性能优化方式提供了重要参考.

摘要： 具有体积小、功耗低、灵敏度高、硅工艺兼容性好等优点的金属氧化物半导体(MOS)气体传感器现已广泛地应用于军事、科研和国民经济的各个领域。然而MOS传感器的低选择性阻碍了其在物联网(IoT)时代的应用前景。为此,本文综述了解决MOS传感器选择性的研究进展,主要介绍了敏感材料性能提升、电子鼻和热调制三种改善MOS传感器选择性的技术方法,阐述了三种方法目前所存在的问题及其未来的发展趋势。同时,本文还对比介绍了机器嗅觉领域主流的主成分分析(PCA)、线性判别分析(LDA)和神经网络(NN)模式识别/机器学习算法。最后,本综述展望了具有数据降维、特征提取和鲁棒性识别分类性能的卷积神经网络(CNN)深度学习算法在气体识别领域的应用前景。基于敏感材料性能的提升、多种调制手段与阵列技术的结合以及人工智能(AI)领域深度学习算法的最新进展,将会极大地增强非选择性MOS传感器的挥发性有机化合物(VOCs)分子识别能力。

摘要： 甲醛是一种无色有刺激性气味的有毒气体,危害公众健康,实现对甲醛现场快速监测具有重要的意义。基于金属氧化物半导体的气体传感器具有灵敏度高、响应快及可实时监测等优点被应用于有毒有害气体的检测,但其仍存在工作温度过高,受湿度影响大,选择性差的缺点。主要简述了常见的检测甲醛的金属氧化物半导体传感材料及传感机理,总结了几种有效提高甲醛传感性能的方法。

摘要： 介绍了气敏机理,总结了近年来国内外基于金属氧化物半导体的SO2气敏材料的研究现状,指出了基于金属氧化物半导体SO2气体传感器的不足之处,提出设计复合材料、优化合成方法是提高SO2气敏材料敏感特性的研究方向.

摘要： 通过分析长周期光纤光栅(LPFG)透射波长与金属氧化物半导体材料电导率、折射率之间存在的关联性,针对性分析了温度对材料气敏性能的影响,综合讨论金属氧化物半导体材料应用于LPFG气敏传感的合理性.建立了金属氧化物半导体材料应用于LPFG气敏传感时各相关量之间对应的逻辑关系,并利用光纤光栅传感特性辅助分析系统做出理论计算进行验证.计算结果与理论分析呈现出良好的一致性,当还原性气体吸附导致外包层n型金属氧化物半导体材料折射率增大时,LPFG透射波长逐渐向短波方向移动,表现出了相应的气体敏感特性.

摘要： 金属氧化物(MOS)对挥发性有机化合物(VOCs)气体普遍存在着交叉敏感性问题,因此单个传感器无法准确做到对混合气体的定量分析.为解决这一问题,设计了基于多种金属氧化物半导体的传感器阵列,并搭建硬件系统平台,运用三种算法对实验采集到的35组苯和甲醛的混合气体数据进行对比分析与展现.实验结果表明:所提金属氧化物阵列结合随机森林算法进行后端数据处理对混合气体分类预测效果最好,整体预测准确率达到95％以上.

摘要： 三乙胺是一种应用广泛但对人体有毒副作用的挥发性有机物,需要长期有效的监测,开发一种性能稳定、安全可靠的三乙胺气敏传感器,实现对环境中三乙胺气体浓度实时检测,对于三乙胺的安全储存、运输和使用等环节是至关重要的.金属氧化物半导体基气敏传感器具有制备简单、价格低廉、响应值高等优点,在三乙胺气体的检测中具有不可替代的作用.重点介绍了基于金属氧化物半导体的三乙胺传感器最新研究进展.综述了近年来包括掺杂、异质结、有机金属骨架和氧化还原石墨烯在内的关于金属氧化物半导体基三乙胺气敏材料的制备和性能等方面的研究成果.论述了金属氧化物半导体基复合材料对三乙胺气敏性能的机理.展望了金属氧化物基三乙胺气敏材料的未来研究方向.

摘要： 纳米尺度的金属氧化物半导体由于其高的比表面积,作为高性能的气敏材料具有极大的优越性.本文综述了通过材料形貌及尺寸的调控以及活性中心的引入等方法来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能.分等级和中空纳米结构的氧化物半导体由于具有特殊的多孔结构,高的比表面积,可以使气体与敏感材料快速发生作用,从而提高元件的气敏特性.对其进行活性中心的引入,进一步改善材料的选择特性.通过ZnO材料的实验比对,证实了贵金属修饰的分等级和中空结构的纳米材料可以实现高敏感和选择性好的特性.

摘要： 针对易燃气体检测后的气源定位问题,本文研究了基于金属氧化物半导体气体传感器的烟羽搜寻方法.建立了连续点源在小风情况下的移动积分烟团模型,提出了多传感器融合分阶段逐步气源搜寻算法,利用风速传感器测量的风向信息和气体传感器测量的气体浓度信息融合后确定气源方向角.在此基础之上,设计了基于DSP的嗅觉机器人,将气源搜寻算法移植到机器人上的DSP中,在室内实验场地对汽油进行检测与搜寻.实验结果表明,所设计的嗅觉机器人系统具有较好的气源搜寻效果,气源搜寻成功率达到90％以上.

摘要： 本文提出了一种新型InP界面控制层技术来降低高K介质/InGaAsMOS结构的界面态密度。通过系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP界面控制层的InGaAsMOS结构的界面态密度比无界面控制层的MOS结构下降了一个数量级，达到4×1011cm-2eV-1的水平。采用此新型界面工程研制的20微米栅长高迁移率InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管显示出优越的器件特性，其最大饱和电流大于40mS/mm，跨导大于20mS/mm。

摘要： 分别采用水热和静电纺丝法制备出一维ZnO、TiO2、SnO2纳米材料,并对其气、湿敏特性进行了研究。结果表明一维纳米材料具有非常快的响应恢复速度：水热法制备的花状ZnO纳米棒束由11%RH到95%RH的响应时间约为5s,恢复时间约为10s；静电纺丝法制备的掺杂KCl的TiO2纳米纤维由11%RH到95%RH的响应时间为3s,恢复时间约为4s；静电纺丝法制备的SnO_2纳米纤维对50ppm(1ppm=10-6)甲苯气体的响应时间仅为1s,恢复时间约为5s。

摘要： 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

摘要： 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

摘要： 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

摘要： 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

摘要： 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机理,其次介绍了两种适应空间辐照环境的功率变换拓扑电路,然后进行这两种功率功率变换拓扑电路的电离总剂量试验,对试验结果进行分析并给出试验结论.

摘要： 通过对600V高压平面功率场效应管原胞和终端击穿电压的优化匹配设计,使得600V高压器件击穿始于器件原胞内部而不是终端,解决了击穿电压的walking in问题,提高了击穿电压的稳定性和可靠性,器件的非钳位电感(UIS)雪崩能量进一步提高.

摘要： 一种半导体传感器设备包括：衬底；非适合晶种层，位于衬底上方；至少一个电极，位于非适合晶种层上方；以及多孔感测层，直接由非适合晶种层支持并且与至少一个电极电通信，多孔感测层定义使用原子层沉积通过在非适合晶种层上的间隔开的成核而形成的多个晶界。

摘要： p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。

摘要： 本发明涉及的金属氮氧化物半导体膜的制造方法中，将选自锌及锡中的至少1种金属元素的氧化物溅射靶材在包含80体积％以上的氮气的气氛气体中在1.5Pa以下的压力条件下供于溅射。

摘要： 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。

摘要： 本发明提供一种金属氧化物半导体层形成用组合物，所述金属氧化物半导体层形成用组合物包含通式[1]表示的溶剂、和无机金属盐。(式中，R

摘要： 本发明提供了一种金属氧化物半导体器件制作方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，金属氧化物半导体器件制作方法包括：在硅半导体衬底上生长硅半导体外延层之后，对硅半导体外延层上的预定区域进行刻蚀，形成凹槽；向凹槽注入P型掺杂离子，在硅半导体外延层上生成P型体区；在形成有P型体区的硅半导体衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；将P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，在P型体区的上方形成多晶硅窗口；通过多晶硅窗口向P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域。本发明通过以P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，提高了多晶硅层相对P型体区的套准精度，从而提高沟道长度的制作精度，同时优化了制作工艺。

摘要： 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。

摘要： 本发明提供一种金属氧化物半导体层形成用组合物，所述金属氧化物半导体层形成用组合物包含通式[1]表示的溶剂、和无机金属盐。(式中，R

摘要： 公开了用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管。一种用于制造MOSFET半导体器件的方法，包括提供晶片，晶片包括：半导体本体，该半导体本体包括第一侧、与第一侧相邻的第一半导体区、与第一侧相邻并且与第一半导体区形成第一pn结的第二半导体区、以及与第一侧相邻并且与第二半导体区形成第二pn结的第三半导体区；布置在第一侧上的第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的栅极电极；和布置在第一电介质层上的第二电介质层。在栅极电极旁边形成通过第一电介质层和第二电介质层的沟槽。在沟槽的侧壁处形成电介质间隔壁。沟槽延伸到半导体本体中以形成接触沟槽。

摘要： 本发明提供了一种金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体，金属氧化物半导体的制备方法包括：在P型衬底上依次形成N型肼区和P型肼区；在N型肼区的中心区域进行N型离子注入，以形成N型漂移区；在N型漂移区的边界区域形成场氧化层，以暴露出N型漂移区的中心区域；在N型肼区和P型肼区的交接区域形成栅极，栅极的一侧边缘覆盖场氧化层的边缘；靠近栅极的另一侧边缘的P型肼区的指定区域中形成第一N+型掺杂区，以及在N型漂移区的中心区域内形成第二N+型掺杂区；在第一N+型掺杂区域远离栅极的一侧P型肼区中形成P+型掺杂区，以形成块接触。通过本发明技术方案，在保证PN结耐压性高的同时，减小了导通电阻和功耗，提升了器件可靠性。