MoS2

摘要： TiO_(2)is the dominant and most widely researched photocatalyst for environmental remediation,however,the drawbacks,such as only responding to UV light(<5%of sunlight),low charge separation efficiency,and difficulties in recycling,have severely hindered its practical application.Herein,we synthesized magnetically separable Fe_(3)O_(4)@MoS_(2)@mesoporous TiO_(2)(FMmT)photocatalysts via a simple,green,and template-free solvothermal method combined with ultrasonic hydrolysis.It is found that FMmT possesses a high specific surface area(55.09 m2·g−1),enhanced visible-light responsiveness(~521 nm),and remarkable photogenerated charge separation efficiency.In addition,the photocatalytic degradation efficiencies of FMmT for methylene blue(MB),rhodamine B(RhB),and tetracycline(TC)are 99.4%,98.5%,and 89.3%within 300 min,respectively.The corresponding degradation rates are 4.5,4.3,and 3.1 times higher than those of pure TiO_(2)separately.Owing to the high saturation magnetization(43.1 A·m^(2)·kg^(−1)),FMmT can achieve effective recycling with an applied magnetic field.The improved photocatalytic activity is closely related to the effective transport of photogenerated electrons by the active interlayer MoS_(2) and the electron–hole separation caused by the MoS_(2)@TiO_(2)heterojunction.Meanwhile,the excellent light-harvesting ability and abundant reactive sites of the mesoporous TiO_(2)shell further boost the photocatalytic efficiency of FMmT.This work provides a new approach and some experimental basis for the design and performance improvement of magnetic photocatalysts by innovatively incorporating MoS2 as the active interlayer and integrating it with a mesoporous shell.

摘要： 采用密度泛函理论方法对MoS_(2)完整表面、吸附式掺杂和替换掺杂缺陷MoS_(2)表面(Fe-MoS_(2)、Ir-MoS_(2))的构型、电子结构进行了研究.结果表明:通过比较Fe、Ir原子吸附的吸附能,发现Ir比Fe在表面的吸附性更强,且在Mo原子的上方吸附最强,电子态密度分析说明了在Z方向上,Mo原子的4d_(yz)、4d_(z)^(2)、4d_(xz)轨道与Ir原子的5d_(yz)、5d_(z)^(2)、5d_(xz)态密度峰存在不同程度的混合,特别是d_(z)^(2)轨道之间存在明显混合;Fe、Ir金属原子掺杂替换本征表面MoS_(2)的S、Mo原子的计算结果显示,单层MoS_(2)的S位置更容易被替换形成掺杂体系,S位掺杂体系稳定性强于在Mo位掺杂体系,且电子态密度计算显示掺杂替换S原子后金属Ir有效调控了MoS_(2)的电子结构,激活了替换原子Ir附近Mo的反应活性.

摘要： 以钼酸钠、硫脲和三聚氰胺为原料,采用水热合成法制备了g-C_(3)N_(4)-MoS_(2)异质结复合材料,研究了g-C_(3)N_(4)-MoS_(2)作为催化剂降解废水中盐酸四环素(TC)的性能,考察了m(C_(3)N_(4))∶m(MoS_(2))、TC模拟废水质量浓度及催化剂用量对降解TC的影响。实验结果表明,无需光照,g-C_(3)N_(4)-MoS_(2)作为催化剂对TC表现出良好的降解性能,黑暗条件下降解60 min,添加25 mg g-C_(3)N_(4)-MoS_(2)(m(C_(3)N_(4))∶m(MoS_(2))=1∶3)催化剂,对50 mL质量浓度为10 mg/L的模拟废水中TC的降解率达到65%。

摘要： NH_(3)是一种重要的化工原料,广泛应用于合成各种化工产品.然而,传统还原N_(2)制备NH_(3)的Haber-Bosch工艺执行条件苛刻,在消耗大量化石能源的同时产生严重环境污染.在环境条件下的电化学氮还原反应(NRR)是一种最具前景的可持续、清洁生产NH_(3)的能源技术,其实际应用的核心是开发高效、价格低廉和易制备的NRR电催化剂.过渡金属二硫族化合物(TMDCs)储量丰富并且价格低廉,具有多变的晶体结构和相组成、可控的形貌、缺陷设计可调节等特点,呈现出优异的电催化活性,是用来替代贵金属的理想选择.MoS_(2)和SnS_(2)都可作为电催化剂应用于NRR.由于金属1T-MoS_(2)和1T’-MoS_(2)对与NRR竞争的析氢反应(HER)具有极好的电化学活性,其NRR法拉第效率较低;尽管具有半导体特性的SnS_(2)能够通过限制表面电子可及性来抑制HER,但是高过电位和较低氨产率仍不能令人满意.据报道,在碳布上原位生长Mo掺杂SnS_(2)具有丰富的S空位,由于杂原子掺杂和空位工程形成了Mo-Sn-Sn三元催化位点,其NRR活性显著增强.因此,为了抑制竞争反应以提高NRR的法拉第效率,本文设计并制备了一种独特的无机/有机分级纳米结构用于电催化NRR.选用一种独特的聚两性离子液体,即侧链同时含有咪唑盐和磺酸基团的聚1-乙烯基-3-丙烷磺酸基咪唑盐(PVIPS),作为界面诱导剂,利用离子交换作用吸附作为前驱体的Mo7O246‒和Sn^(4+),诱导1T’-MoS_(2)和2T型六方SnS_(2)同时生长,形成独特的MoS_(2)-SnS_(2)异质纳米片负载于PVIPS功能化的聚吡咯/氧化石墨烯(PVIPS/PPy/GO)表面.由于各组分的协同效应,得到的MoS_(2)-SnS_(2)/PVIPS/PPy/GO纳米片表现出较好的NRR活性,其在‒0.5 V(vs.RHE)时氨产率最佳,为16.74μg h^(‒1)mg^(‒1)act.,其相应的法拉第效率为4.07%.具有半导体特性的SnS_(2)能够限制表面电子的可及性,进而抑制1T’-MoS_(2)的HER过程,而具有金属性的1T’-MoS_(2)可与SnS_(2)形成Mo-Sn-Sn三元催化活性位点,提高SnS2的NRR电催化活性.此外,高分辨透射电镜,X射线衍射和X射线光电子能谱结果表明,MoS_(2)-SnS_(2)/PVIPS/PPy/GO在NRR使用前后存在显著差异,这主要归因于在NRR过程中MoS_(2)-SnS2异质纳米片发生了不可逆的晶体相变.部分1T’-MoS_(2)和SnS_(2)与N_(2)发生电化学反应形成Mo‒N和Sn‒N键,不可逆地相转变为Mo_(2)N和SnxNz;部分SnS_(2)由于电化学体系中电源的还原作用而不可逆地演化为SnS.本文为优化TMDCs的制备方法及其电催化活性提供了新的设计思路.

摘要： 通过室温下自组装法制备g-C_(3)N_(4)二元复合物,再用水热法制备花状的g-C_(3)N_(4)@ZIF-8@MoS_(2)复合光催化剂。运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能谱仪对g-C_(3)N_(4)@ZIF-8@MoS_(2)复合材料进行结构表征,并通过光催化降解亚甲基蓝考察了其光催化性能。结果表明,g-C_(3)N_(4)@ZIF-8@MoS_(2)复合材料在水中具备良好的稳定性和较高的催化效率,对亚甲基蓝有很好的降解效果(90 min降解99%)。

摘要： 采用模板法制备MOF衍生CoS2-NiS-MoS2/Ti,利用MOF衍生结构来提升MoS2活性位点数目以及各组分协同作用的同时,研究刻蚀温度对制备出的CoS2-NiS-MoS2/Ti润湿性的影响。

摘要： 二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题。文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO_(3))的方法实现大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜材料的制备。区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO_(3)作为Mo源,以固定MoS_(2)薄膜的成核位点。研究结果表明,该方法可实现双层的大面积MoS_(2)薄膜。进一步,将制备的双层大面积MoS_(2)薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究,在532 nm的激光照射下,实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度。预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中。

摘要： 本文应用Materials Studio软件对MoS_(2)分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS_(2)材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS_(2)-H_(2)、MoS_(2)-H_(2)、N-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2),即O-MoS_(2)-H_(2)的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS_(2)电子结构,MoS_(2)-H_(2)、O-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2)能隙值处于0~2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS_(2)-H_(2)能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是S、Mo态电子贡献,掺杂原子相比S、Mo态电子贡献很少,且O、N、Si态电子贡献程度依次降低。

摘要： High valence state species are significant in the energy-relevant electrochemical oxidation reactions.Herein,the high active state of Ni^(3+)formation induced by Mo^(6+)and their efficient synergism in NiS_(2)-MoS_(2)hetero-nanorods powder catalyst with the rough layered structure are demonstrated,as proof of concept,for the urea-assisted water electrolysis.This catalyst can be derived from the sulfidation of NiMoO_(4) nanorods that can realize individual metal sulfides sufficiently mixing at a domain size in the nanoscale which creates lots of active sites and nanointerfaces.The high valence state of Mo^(6+)and Ni^(3+)formation and increased conductive phase of 1 T MoS_(2)in the hetero-nanorods compared to the counterpart pure phases are revealed by spectral study and microscopic analysis;high electrochemical surface area and active site exposure are found due to the nano-interface formation and layered rough nanosheets over the surface of nanorods.They show much higher catalytic performance than their pure phases for urea oxidation,including high catalytic activity,stability,charge transfer ability and catalytic kinetics resulting from more active Ni^(3+)species formation and electronic synergism of high valence metals.Transformation of 1 T MoS_(2)to Mo^(6+)and increased amount of Mo^(6+)and Ni^(3+)after stability test indicate their involvement and synergism for the catalysis reaction.The current work offers a novel understanding of the synergistic effect based on the high valence state synergism for heterogeneous catalysts in electrocatalysis.

摘要： 为了探究酸性溶液对含MoS_(2)/无水CaCl_(2)润滑脂添加剂的轴承性能的影响,依据电机轴承运转机理和失效特征进行了电机轴承运转试验,选用质量分数为35%的硝酸、盐酸分别与MoS_(2)、无水CaCl_(2)两种润滑脂按照一定的配比进行混合,再将混合物添加到电机轴承中运行一定时间,计算轴承温度升高值与润滑脂损失量,考察酸的类型、酸与润滑脂的配比对电机轴承性能的影响,评价两种润滑脂添加剂的耐酸腐蚀性能,为轴承润滑脂添加剂的选择提供技术参考。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 利用密度泛函理论研究了H2在MoS2及CoMos两种催化剂团簇上产生不饱和活性中心(CUS)的反应过程，明确了助剂Co对H2活化过程的影响。通过比较两种团簇边缘上H2的反应路径，发现Co原子取代后各中间体的能量及总反应热均有不同程度的下降;Co对MoS2催化剂上H原子的转移过程具有显著的促进作用，但对于H2解离和H2S脱附过程，Co并未体现出助剂作用。实际的总反应过程应是由H2解离、H原子转移及H2S脱附三个步骤中能垒最低的各基元反应组合而成。

摘要： 以水热法合成了纳米花状MoS2，以MoS2为主体，用直接反应法一步合成了L-赖氨酸／MoS2夹层复合材料，采用TG、FT-IR及XRD对复合材料进行了表征，结果表明，MoS2与L-赖氨酸发生了相互作用，形成(Lys)0.23MoS2·(H2O)1.1夹层化合物．

摘要： 以水热法合成了纳米花状MoS2，以MoS2为主体，用直接反应法一步合成了L-赖氨酸／MoS2夹层复合材料，采用TG、FT-IR及XRD对复合材料进行了表征，结果表明，MoS2与L-赖氨酸发生了相互作用，形成(Lys)0.23MoS2·(H2O)1.1夹层化合物．

摘要： 以水热法合成了纳米花状MoS2，以MoS2为主体，用直接反应法一步合成了L-赖氨酸／MoS2夹层复合材料，采用TG、FT-IR及XRD对复合材料进行了表征，结果表明，MoS2与L-赖氨酸发生了相互作用，形成(Lys)0.23MoS2·(H2O)1.1夹层化合物．

摘要： 以水热法合成了纳米花状MoS2，以MoS2为主体，用直接反应法一步合成了L-赖氨酸／MoS2夹层复合材料，采用TG、FT-IR及XRD对复合材料进行了表征，结果表明，MoS2与L-赖氨酸发生了相互作用，形成(Lys)0.23MoS2·(H2O)1.1夹层化合物．

摘要： 一种含α-二亚胺的Mo-Mo单键配合物，其结构式为

摘要： 本发明涉及催化剂领域，具体公开了一种二维MoS2催化剂在催化马来酸酐选择性加氢制备丁二酸酐中的应用，该二维MoS2催化剂的制备方法为：将钼酸铵与硫脲进于水中进行混合，在180～240°C下反应12～24h，反应结束后收集产物，经多次洗涤后干燥，得所述二维MoS2催化剂。本发明的二维MoS2催化剂，对马来酸酐选择性加氢制备丁二酸酐具有高转化率和高选择性。

摘要： 本发明公开了一种暴露(00L)晶面的共生孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片的合成方法，采用离子插入法限制Ni离子位于Mo基化合物的晶格矩阵中，形成Ni‑Mo键合的前驱体，通过精确调控硫气氛浓度，利用Ni元素在Mo基化合物晶格矩阵中的重构作用，形成双核金属硫化物Ni2Mo6S6O2，同时利用限域生长单晶方法精确调控Ni2Mo6S6O2的生长方向，以单晶MoS2为生长模板，沿单晶MoS2的(110)晶面与单晶MoS2交替生长，形成Ni2Mo6S6O2与MoS2双晶共生的孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片，可以作为高效催化剂直接应用于电催化水分解析氢反应。

摘要： 一种含α-二亚胺的Mo-Mo单键配合物，其结构式为

摘要： 本发明涉及催化剂领域，具体公开了一种二维MoS2催化剂在催化马来酸酐选择性加氢制备丁二酸酐中的应用，该二维MoS2催化剂的制备方法为：将钼酸铵与硫脲进于水中进行混合，在180～240°C下反应12～24h，反应结束后收集产物，经多次洗涤后干燥，得所述二维MoS2催化剂。本发明的二维MoS2催化剂，对马来酸酐选择性加氢制备丁二酸酐具有高转化率和高选择性。

摘要： 公开了具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底以及多个晶体管单元。每个晶体管单元包括：栅极沟槽结构，形成在半导体衬底中并且围绕晶体管单元；针形场电极沟槽结构，形成在半导体衬底中并且向内与栅极沟槽结构分隔开；第一导电类型的源极区，形成在相邻于栅极沟槽结构的半导体衬底中；与第一导电类型相反的第二导电类型的体区，形成在源极区下方的半导体衬底中；以及第一导电类型的漂移区带，形成在体区下方的半导体衬底中。半导体器件进一步包括多个MOS选通的二极管或肖特基二极管，每个二极管形成在四个相邻的晶体管单元的交叉处的半导体衬底中。还描述了对应的制造方法。

摘要： 金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本发明中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本发明的产品速度快，频率高。

摘要： 本发明属于高温金属结构材料技术领域，尤其是涉及一种新型非平衡态Mo+Mo5SiB2+Mo5Si3基合金及其制备方法。其制备工艺是：首先采用熔炼法或粉末冶金法制备Mo5SiB2+Mo5Si3合金块体，经机械破碎后获得对应粉末，然后根据拟制备合金的总成分将Mo5SiB2+Mo5Si3合金粉与Mo粉按合适比例混合均匀，最后将混合粉末经放电等离子烧结制得Mo+Mo5SiB2+Mo5Si3基合金块体。本发明优点在于可通过不添加Ti、Nb、W、Ta等严重损害合金抗氧化性能的合金化元素来成功制备该类合金，进而实现合金力学性能与抗氧化性能的协同提升。

摘要： 本申请涉及二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管。公开了一种具有减小的寄生电容的二极管。特别地，公开了用于提供RF电路对诸如ESD、电压尖峰、电涌或其他噪声之类的高功率噪声事件的快速响应保护的二极管。与现有技术相比，所公开的电路中的寄生电容大大减小，因此显著地增加了用于消散所有高功率噪声事件的响应的速度。

摘要： 金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本实用新型中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本实用新型的产品速度快，频率高。