氧化锌压敏电阻

摘要： 为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4),研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4)后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO_(4)和Zn_(2)SiO_(4)掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g·cm^(-3),压敏电位梯度达到425 V·mm^(-1),非线性系数为70,漏电流为1.2×10^(-7)A·cm^(-2),能量耐受能力达到334.21 J·cm^(-3),残压比为2.5.

摘要： 采用传统烧结工艺以纳米ZnO粉末为原料制备ZnO压敏电阻.通过在配方中引入La2O3、CeO2、 Sm2O3、Y2O3等稀土氧化物对其进行掺杂改性,研究不同稀土氧化物掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响.利用XRD、SEM、压敏电阻直流参数仪对样品进行表征分析.研究结果表明,稀土氧化物掺杂能够抑制ZnO晶粒的生长,提升ZnO压敏电阻的电压梯度与非线性系数,有效降低样品的漏电电流.当使用0.7 mol％的Y2O3进行掺杂改性时,所制样品的综合电性能最佳,其电压梯度为613 V/mm,漏电流IL为0.26 μA,非线性系数α为60.4.

摘要： 用铜导电浆料替代传统的贵金属银浆料是电子浆料发展的重要方向之一.根据氧化锌压敏电阻器对导电浆料的工艺技术要求(烧结温度不能高于600°C,否则会造成器件压敏电性能降低),在铜导电浆料中添加适量银粉,制备了新型铜导电浆料,并将其印在氧化锌压敏基片表面,通过烧结处理得到导电铜膜.采用扫描电子显微镜观察导电铜膜的显微组织,采用四探针法测定导电铜膜的电阻,考察了铜粉种类、银添加量、银粉添加方式和烧结温度对导电铜膜性能的影响.结果 表明,在铜导电浆料中添加质量分数4.5％的银粉,有助于提高浆料中铜粉的烧结活性,在烧结温度为600°C时可获得结合力和导电性良好的导电铜膜.银添加量一定时,与银粉相比,银包铜粉在浆料中的分布均匀性和连结性更好.

摘要： 本研究制备了用于氧化锌压敏电阻银浆,浆料使用D50粒径为0.12μm近球形银粉作为导电功能相,加入软化点在450°C左右的Bi-B-Zn玻璃作为无机粘结剂。使用丝网印刷的方式,将浆料印在氧化锌压敏电阻瓷片上制备电极层,在440-520°C下烧成。研究了玻璃粉含量及烧成温度对电极层性能的影响,测试了银层方阻,焊接引线拉力,耐流能力。结果发现:玻璃含量在l-2wt%,烧成温度低至460°C时均能获得理想的方阻、引线拉力及耐流能力。

摘要： 本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50°C。有效提高了性能,降低了生产成本。

摘要： 为了确定氧化锌压敏陶瓷常规烧结的最佳工艺,采用正交实验法,综合考虑升温速度、烧结温度、保温时间、降温速度这四个因素对氧化锌压敏陶瓷电性能和密度的影响.经论证,最佳的氧化锌压敏陶瓷烧结工艺条件和各影响因素主次顺序为烧结温度1 150°C,保温时间4h,降温速度60°C/h,升温速度30°C/h.经实验验证,应用该工艺条件烧制而成的氧化锌压敏陶瓷的各项指标均优于各个实验样本.

摘要： 为了将频域介电响应法(FDS)用于氧化锌压敏电阻老化状态的无损检测,在实验室环境下对氧化锌压敏电阻进行冲击老化试验,测量其介电频谱,并引入了带直流电导的多驰豫Cole-Cole模型拟合分析氧化锌压敏电阻的介电频谱。通过双驰豫Cole-Cole模型拟合常温下的介电谱发现,其中存在α驰豫过程和β驰豫过程,其对应的活化能约为0.68 eV和0.34 eV,对应着非本征晶间相缺陷驰豫和本征氧空位缺陷驰豫,α驰豫强度Δε_α随冲击次数的增加而增强,而β驰豫过程不受冲击老化的影响;在拟合高温下(393 K)的介电频谱时新发现γ驰豫过程,其活化能约为0.73 eV,对应着非本征晶界面缺陷驰豫,随着老化程度的加深,驰豫强度Δε_γ、形状参数γ增大,驰豫时间τ_γ和活化能减小;直流电导σDC随着冲击次数的增加而变大,其对应的活化能约为0.72 eV,随着冲击次数的增加而减小。因此,可通过修正的多驰豫Cole-Cole模型参数σ——(DC)、Δε_α、Δε_γ、τ_γ、γ和直流电导活化能、γ驰豫活化能综合评估氧化锌压敏电阻的老化状态。

摘要： 针对氧化锌压敏电阻在8/20μs电流波冲击下的老化、劣化问题,采用8/20μs对压敏电阻多个参数进行冲击试验,进行氧化锌压敏电阻劣化的理论分析.分析得出,当压敏电压值大于其初始值±8.6％、漏电流的值大于17.2 μA时,非线性系数α的值减小到12～11或变化率达到68％左右.残压比K的变化率超过8.5％时,可以认为该试验样品已经劣化.该研究结果在生产氧化锌压敏片或测试其性能以及日常使用MOV型SPD时都具有一定的参考价值.

摘要： 本文针对电子通信过电压保护等应用需求,建立了氧化锌压敏电阻过电压保护器的交流加速老化的测试平台,进行了氧化锌压敏电阻在荷电率和温度两种加速因素作用下的实验研究和压敏电阻老化特性的分析,获得了荷电率和环境温度对压敏电阻阻性电流、功率损耗的影响规律和压敏电阻老化过程的演变规律.在此基础上,提出了氧化锌压敏电阻交流加速老化的寿命终止判据,能够对压敏电阻的热电加速老化试验进行有效的寿命评估,研究结果对压敏电阻配方、工艺的研究及性能提升提供了高性能的测试手段和评价方法,具有一定的理论价值和工程实用价值.

摘要： 氧化锌压敏电阻的寿命特性服从阿累尼乌斯定律,文章介绍了阿累尼乌斯方程式.在进行加速老化试验时,测试性能的选择应优先采用压敏电阻在实际应用中有实际意义的性能进行测试.试验方法尽可能采用符合有关国家标准规定的测试方法.应用阿累尼乌斯图,推算了压敏电阻的寿命和最高使用温度,写出试验报告,做出试验评价,试验的结果能接受复现的检验.

摘要： 文章介绍了金属氧化物压敏电阻(MOV)阀片并联使用测试结果,在大电流(3000～10000A)冲击下,即使MOV阀片性能不太一致,多片并联使用时,每片MOV阀片吸收雷电能量基本一致.

摘要： 本文研究了压敏电阻在施加不同的AC电压源,或者施加电源相同但加压方式不同时,压敏电阻失效时所能承受的最大电压倍率.

摘要： 本文研究了压敏电阻在施加不同的AC电压源,或者施加电源相同但加压方式不同时,压敏电阻失效时所能承受的最大电压倍率.

摘要： 本文研究了压敏电阻在施加不同的AC电压源,或者施加电源相同但加压方式不同时,压敏电阻失效时所能承受的最大电压倍率.

摘要： 本文研究了压敏电阻在施加不同的AC电压源,或者施加电源相同但加压方式不同时,压敏电阻失效时所能承受的最大电压倍率.

摘要： ZnO压敏电阻具有非线性特性好和无续流等优点,目前已被广泛地应用于电子电气设备的雷电防护.本文采用20脉冲雷电测试系统对不同恶劣环境处理后的ZnO压敏电阻进行冲击试验,此试验现象接近于ZnO压敏电阻在实际应用中遭受雷击时表现出的性能.本文试验采用的是国内最先进的20脉冲雷电冲击测试设备，可以输出1 -20个连续8/20μs闪击波形，用以模拟在然界真实雷电波形。环境处理用到的设备为盐雾试验仪和高低温交变湿热箱。本次试验波形选取为时间间隔为50 ms的5脉冲8/20μs短路电流波形，电流幅值选取为压敏电阻标称放电电流。

摘要： ZnO压敏电阻具有非线性特性好和无续流等优点,目前已被广泛地应用于电子电气设备的雷电防护.本文采用20脉冲雷电测试系统对不同恶劣环境处理后的ZnO压敏电阻进行冲击试验,此试验现象接近于ZnO压敏电阻在实际应用中遭受雷击时表现出的性能.本文试验采用的是国内最先进的20脉冲雷电冲击测试设备，可以输出1 -20个连续8/20μs闪击波形，用以模拟在然界真实雷电波形。环境处理用到的设备为盐雾试验仪和高低温交变湿热箱。本次试验波形选取为时间间隔为50 ms的5脉冲8/20μs短路电流波形，电流幅值选取为压敏电阻标称放电电流。

摘要： ZnO压敏电阻具有非线性特性好和无续流等优点,目前已被广泛地应用于电子电气设备的雷电防护.本文采用20脉冲雷电测试系统对不同恶劣环境处理后的ZnO压敏电阻进行冲击试验,此试验现象接近于ZnO压敏电阻在实际应用中遭受雷击时表现出的性能.本文试验采用的是国内最先进的20脉冲雷电冲击测试设备，可以输出1 -20个连续8/20μs闪击波形，用以模拟在然界真实雷电波形。环境处理用到的设备为盐雾试验仪和高低温交变湿热箱。本次试验波形选取为时间间隔为50 ms的5脉冲8/20μs短路电流波形，电流幅值选取为压敏电阻标称放电电流。

摘要： 本发明提供了一种氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和氧化锌压敏电阻及其制备方法，其基体组分包括ZnO、Bi2O3和Co2O3，通过助溶剂V2O5、CaF2和玻璃化剂Ba(NO3)2的添加，降低了陶瓷烧结温度，有效地促进烧结过程中的晶粒生长，从而降低压敏电压阈值；通过界面优化剂Na2WO4和Li2MoO4的添加，优化了晶界组成和结构，提高了材料压敏系数和性能，提高非线性系数，降低漏电流密度。

摘要： 本发明涉及一种氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器。该氧化锌压敏电阻生料按摩尔百分比计，包括氧化锌91.48～98.03%、三氧化二铋0.5～2.0%、二氧化硅0.5～2.5%、四氧化三钴0.35～1.5%、碳酸锰0.5～1.0%、三氧化二铬0.1～0.5%、三氧化二钇0.01～2.0%及硝酸铝0.0001～0.001%。该生料不含锑，且二氧化硅改善压敏电阻特性，增加表面态密度，提高电压梯度、势垒高度和非线性系数，降低泄漏电流和增强抗电流的冲击能力；三氧化二钇提高电导率、抗电流的冲击能力、非线性系数及电压梯度，降低限制电压比和泄漏电流，抑制晶粒生长，使压敏电阻器具有较高电压梯度和优异的电性能。

摘要： 本发明公开了一种高能型氧化锌压敏电阻复合粉体，是在亚微米级的氧化锌粉末中按一定摩尔百分比掺入二氧化钛、五氧化二锑、三氧化二铋、三氧化二钴、碳酸锰、三氧化二镍、硝酸铝，其中，二氧化钛和五氧化二锑均为单分散的纳米级颗粒。纳米五氧化二锑在烧结过程中可与三氧化二铋和氧化锌反应转变为尖晶石相并均匀分布于晶界中，通过晶界扎钉效应抑制氧化锌晶粒异向生长。五氧化二锑的加入还可用来控制晶粒的平均粒径，使得最终产品的能量密度大、残压比低、漏电流小、电压梯度调节范围大、批量生产一致性好。本发明还公开了上述高能型氧化锌压敏电阻的制造方法，该方法将纳米二氧化钛颗粒和纳米五氧化二锑颗粒先后以水溶胶的形式掺入复合粉体中。

摘要： 本发明公开了一种通过调控氧化铋晶体形态提升氧化锌压敏电阻通流能力的方法与氧化锌电阻片及其制备方法，通过对氧化锌电阻片原料配方、烧结降温速率和烧结后热处理的温度及升降温速率进行优化，实现了对氧化锌电阻片中氧化铋晶体形态的调控，减少了氧化铋晶体中β‑Bi2O3与δ‑Bi2O3两种结构的比例，并增加了氧化铋晶体中α‑Bi2O3以及γ‑Bi2O3两种晶体结构的占比，从而有效提升了氧化锌电阻片微观晶界结构的均匀性，减少了晶界层空白，使晶体结构分布更加均匀，进而提升了电阻片通流能力。经电气性能测试，利用本发明所述方法制备氧化锌电阻片，相对于传统氧化锌电阻片，在冲击电流作用下更加稳定。

摘要： 本发明提供了一种氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和氧化锌压敏电阻及其制备方法，其基体组分包括ZnO、Bi2O3和Co2O3，通过助溶剂V2O5、CaF2和玻璃化剂Ba(NO3)2的添加，降低了陶瓷烧结温度，有效地促进烧结过程中的晶粒生长，从而降低压敏电压阈值；通过界面优化剂Na2WO4和Li2MoO4的添加，优化了晶界组成和结构，提高了材料压敏系数和性能，提高非线性系数，降低漏电流密度。

摘要： 本发明涉及一种氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器。该氧化锌压敏电阻生料按摩尔百分比计，包括氧化锌91.48～98.03%、三氧化二铋0.5～2.0%、二氧化硅0.5～2.5%、四氧化三钴0.35～1.5%、碳酸锰0.5～1.0%、三氧化二铬0.1～0.5%、三氧化二钇0.01～2.0%及硝酸铝0.0001～0.001%。该生料不含锑，且二氧化硅改善压敏电阻特性，增加表面态密度，提高电压梯度、势垒高度和非线性系数，降低泄漏电流和增强抗电流的冲击能力；三氧化二钇提高电导率、抗电流的冲击能力、非线性系数及电压梯度，降低限制电压比和泄漏电流，抑制晶粒生长，使压敏电阻器具有较高电压梯度和优异的电性能。

摘要： 本发明公开了一种高能型氧化锌压敏电阻复合粉体，是在亚微米级的氧化锌粉末中按一定摩尔百分比掺入二氧化钛、五氧化二锑、三氧化二铋、三氧化二钴、碳酸锰、三氧化二镍、硝酸铝，其中，二氧化钛和五氧化二锑均为单分散的纳米级颗粒。纳米五氧化二锑在烧结过程中可与三氧化二铋和氧化锌反应转变为尖晶石相并均匀分布于晶界中，通过晶界扎钉效应抑制氧化锌晶粒异向生长。五氧化二锑的加入还可用来控制晶粒的平均粒径，使得最终产品的能量密度大、残压比低、漏电流小、电压梯度调节范围大、批量生产一致性好。本发明还公开了上述高能型氧化锌压敏电阻的制造方法，该方法将纳米二氧化钛颗粒和纳米五氧化二锑颗粒先后以水溶胶的形式掺入复合粉体中。

摘要： 本发明公开了一种低电阻率的氧化锌压敏电阻及其制备方法，其中，所述低电阻率的氧化锌压敏电阻的制备方法通过在制备原料中加入去离子水进行砂磨处理后得到辅助添加浆料，其中，所述制备原料包括氧化钴、三氧化二锑、四氧化三锰、氧化铟、氧化铋、三氧化二镍、硝酸铝和硝酸银；之后，在所述辅助添加浆料中添加氧化锌搅拌后得到粉体浆料；再将所述粉体浆料进行造粒处理后得到粉体；然后将所述粉体进行压片成型处理后得到氧化锌压敏坯片；最后，将所述氧化锌压敏坯片进行烧结处理后得到氧化锌压敏电阻，通过添加氧化铟能够有效降低氧化锌压敏电阻的电阻率，提高氧化锌压敏电阻的保护水平。

摘要： 本发明公开了大通流容量氧化锌压敏电阻陶瓷材料，包括主材料和改性剂，所述的主材料由以下摩尔百分比的原料组成：氧化锌92～95 mol%，氧化铋0.8～1.5 mol%，氧化锑1.2～1.5 mol%，三氧化二钴1.0～1.5 mol%，碳酸锰1.0～1.5 mol%，三氧化二镍0.5～1.0 mol%，氧化铬0.5～1.0 mol%，改性剂为由占主材料的质量百分比为以下比例的原料组成：钨酸盐0.2～1%，铟化物0.2～0.5%，九水合销酸铝0.01～0.05%。本发明还公开了大通流容量氧化锌压敏电阻陶瓷材料的制备方法，以及大通流容量氧化锌压敏电阻器的制备方法，本发明通过在氧化锌压敏电阻陶瓷材料的主材料内添加改性剂，形成了晶粒分布均匀，完整致密的陶瓷结构，极大的提高了通流容量，提升了产品的可靠性和安全性。

摘要： 本发明公开了低温烧结氧化锌压敏电阻陶瓷材料，包括主材料及助烧剂，主材料由以下摩尔百分比的原料组成：氧化锌93～96mol%，氧化铋1～1.5 mol%，氧化锑1～1.5 mol%，三氧化二钴0.8～1.5 mol%，碳酸锰0.7～1.0 mol%，三氧化二镍0.5～1.5 mol%。助烧剂为由占主材料的质量百分比为以下比例的原料组成：硼酸锌0.2～1%。本发明还公开了低温烧结氧化锌压敏电阻陶瓷材料的制备方法，以及低温烧结氧化锌压敏电阻器的制备方法，本发明通过在氧化锌压敏电阻陶瓷材料的主材料内添加助烧剂，以实现在低温烧结时保证烧结的致密度，减少挥发，提高产品的性能。