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磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置

摘要

一种磁控溅射装置包括屏蔽罩、基板承载座以及磁控溅射靶,屏蔽罩形成有一第一腔体,基板承载座、基板以及磁控溅射靶位于第一腔体内。基板承载座与磁控溅射靶正对设置,基板安装于基板承载座上,磁控溅射靶枢接在所述屏蔽罩内壁上。磁控溅射靶包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构,靶材固定在所述靶座上,多个磁芯固定在磁芯平移机构上。每两个相邻磁芯的磁性相反。磁芯平移机构包括支撑板、多个辊轴以及传动条,支撑板边缘固定在所述靶座上且与所述靶材平行,多个辊轴设置在该支撑板上并能够相对该支撑板旋转,传动条环绕该多个辊轴以及支撑板设置,磁芯平移机构能够带动多个磁芯相对靶材平移。本发明还提供一种磁控溅射靶。

著录项

  • 公开/公告号CN101988189B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200910305378.1

  • 发明设计人 裴绍凯;

    申请日2009-08-07

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20121010 终止日期:20150807 申请日:20090807

    专利权的终止

  • 2012-10-10

    授权

    授权

  • 2012-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20090807

    实质审查的生效

  • 2011-03-23

    公开

    公开

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