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International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
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1.
Towards Carrier Profiling in Nanometer-wide Si Fins with Micro Four-Point Probe
机译:
微型四点探针实现纳米级硅鳍片的载流子分析
作者:
Steven Folkersma
;
Janusz Bogdanowicz
;
Andreas Schulze
;
Paola Favia
;
Alexis Franquet
;
Valentina Spampinato
;
Dirch H. Petersen
;
Ole Hansen
;
Henrik H. Henrichsen
;
Peter F. Nielsen
;
Lior Shiv
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Electrical resistance measurement;
Resistance;
Silicon;
Probes;
Sputtering;
Implants;
Semiconductor device measurement;
2.
Space Charge Neutralization by a Microwave Linear Antenna Plasma Flood Gun
机译:
微波线性天线等离子体溢流枪对空间电荷的中和
作者:
Takahito Arai
;
Yusuke Kuwata
;
Naoki Miyamoto
;
Toshiro Kasuya
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
hall thruster;
plasma flood gun;
space charge;
3.
Optimization of Microwave Injection at Compact ECR Ion Source
机译:
紧凑型ECR离子源的微波注入优化
作者:
Masayuki Muramatsu
;
Atsushi Kitagawa
;
Ken Katagiri
;
Satoru Hojo
;
Kouta Hamada
;
Yushi Kato
;
Taku Suzuki
;
Katsuyuki. Takahashi
;
Fumihisa Ouchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Argon;
Tuners;
Ions;
Electromagnetic heating;
Plasmas;
Microwave frequencies;
4.
Creation of Quantum Centers in Silicon using Spatial Selective Ion Implantation of high Lateral Resolution
机译:
使用高横向分辨率的空间选择性离子注入在硅中创建量子中心
作者:
Tobias Herzig
;
Paul Räcke
;
Nicole Raatz
;
Daniel Spemann
;
Walid Redjem
;
Jürgen W. Gerlach
;
Jan Meijer
;
Guillaume Cassabois
;
Marco Abbarchi
;
Sébastien Pezzagna
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Silicon;
Ion implantation;
Lattices;
Photonics;
Carbon;
Ion beams;
5.
Thickness Variance of Silicon Oxide with Nitrogen Ion Implant
机译:
氮离子注入氧化硅的厚度变化
作者:
Kazuhisa Ishibashi
;
Yoji Kawasaki
;
Shiro Ninomiya
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Nitrogen;
Implants;
Ions;
Silicon;
Oxidation;
Ion implantation;
Atomic layer deposition;
6.
Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence
机译:
高能离子入射在硅中产生的横向电荷分布的测量
作者:
Satoshi Abo
;
Kenichi Tani
;
Fujio Wakaya
;
Shinobu Onoda
;
Yuji Miyato
;
Hayato Yamashita
;
Masayuki Abe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Charge measurement;
Silicon;
Current measurement;
Solids;
Histograms;
Semiconductor device measurement;
7.
Next Generation Plasma Doping: First Results of a Heated E-chuck
机译:
下一代等离子体掺杂:加热电子卡盘的初步结果
作者:
Aseem Srivastava
;
Deven Raj
;
Vijay Parkhe
;
Steven Anella
;
Stacia Marcelynas
;
Yong Sun
;
Jung Chan Lee
;
Praket Jha
;
Jingmei Liang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
plasma doping;
PLAD;
hot implant;
precision materials modification;
PMM;
8.
The Defect Formation Mechanism Associated with Low Dose Implants into Si Fin Structures
机译:
低剂量植入硅鳍结构的缺陷形成机理
作者:
Kevin Jones
;
Emily Turner
;
Jae Young Lee
;
Hans van Meer
;
Naushad Variam
;
Ibrahim Avci
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Silicon;
Annealing;
Stacking;
Stress;
Ions;
Ion implantation;
9.
Characterization of Heated Ion Implantation for non Amorphizing Conditions and Correlation with Kinetic Monte Carlo Simulations
机译:
非非晶化条件下加热离子注入的表征及其与动力学蒙特卡洛模拟的相关性
作者:
Sylvain Joblot
;
Romain Duru
;
Nicolas Guitard
;
Vincent Lu
;
Thomas Nassiet
;
Rémi Beneyton
;
Fuccio Cristiano
;
Karen Dabertrand
;
Julien Borrel
;
Marc Juhel
;
Edwin Arevalo
;
Frédéric Monsieur
;
Céline Borowiak
;
Elodie Ghegin
;
Laurent Clement
;
Evan Oudot
;
Denis Rideau
;
Wei Zou
;
Luc
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Heating systems;
Annealing;
Phosphorus;
Ion implantation;
Photoluminescence;
Imaging;
10.
Profile Control of Donor Ions by Sn Co-implantation in Germanium
机译:
锗对锡共注入施主离子的形貌控制
作者:
Ryota Wada
;
Takahiro Higuchi
;
Naoki Miyamoto
;
Tsutomu Nagayama
;
Takashi Kuroi
;
Tadashi Ikejiri
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Germanium;
Junctions;
Annealing;
Ion implantation;
Temperature measurement;
Strain;
11.
Ion Beam Erosion of Commercial Graphite Materials, a Quantitative Comparison
机译:
商业石墨材料的离子束侵蚀,定量比较
作者:
Steve Walther
;
YiHsiang Su
;
ChiaChih Shieh
;
Chen Chuang
;
Nam Ngo
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Graphite;
Ion beams;
Ions;
Ion implantation;
Loss measurement;
Sputtering;
12.
Peter H. Rose - Father of Ion Implantation: The Early Years
机译:
Peter H. Rose-离子注入之父:早期
作者:
Andrew Wittkower
;
Geoffrey Ryding
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion implantation;
Ion sources;
Business;
Technological innovation;
Acceleration;
Particle beams;
13.
Review of Major Innovations in Beam Line Design
机译:
光束线设计的主要创新回顾
作者:
Hilton Glavish
;
Marvin Farley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion sources;
Magnetic analysis;
Particle beams;
Laboratories;
Semiconductor device modeling;
Magnetic resonance imaging;
14.
PLAD (Plasma Doping) for p-type Deep Trench Doping in Power Device Applications
机译:
用于功率器件应用中的p型深沟道掺杂的PLAD(等离子掺杂)
作者:
Deven Raj
;
Gordy Grivna
;
Gary Loechelt
;
Qi Gao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Plasmas;
Capacitance;
Ion implantation;
Process control;
MOSFET;
Roads;
15.
Arsenic Plasma Doping in Si Characterized by High Resolution Medium Energy Ion Scattering Depth Profile Analysis
机译:
高分辨率中能离子散射深度谱分析表征Si中的砷等离子体掺杂
作者:
J. A. Van den Berg
;
A. K. Rossall
;
J. England
会议名称:
《》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Annealing;
Ions;
Scattering;
Plasmas;
Implants;
Surface treatment;
16.
Next Generation Safe Delivery Source® (SDS4®) Dopant Material Storage and Delivery Package
机译:
下一代Safe DeliverySource®(SDS4®)掺杂剂材料存储和交付包装
作者:
Christopher Scannell
;
Edward Sturm
;
Oleg Byl
;
Joseph Despres
;
Kavita Murthi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Valves;
Metals;
Gases;
Carbon;
Ions;
Implants;
Safety;
17.
Enriched
11
Boron Trifluoride and Hydrogen Mixture for Performance Improvement on Applied Materials E-500 Implanter
机译:
浓缩的
11 sup>三氟化硼和氢气混合物可改善应用材料E-500植入机的性能
作者:
Barry Chambers
;
Francisco E. Cruz
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Tungsten;
Ions;
Tools;
Implants;
Hydrogen;
Production;
18.
Sb Implantation at High Dose and Medium Energy in SAion
机译:
中毒高剂量和中等能量的锑注入
作者:
Yoji Kawasaki
;
Hiroshi Kawaguchi
;
Takanori Yagita
;
Noriyuki Suetsugu
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Silicon;
Industries;
Ion implantation;
Implants;
Standards;
19.
Electrical Evaluation of Ion Implant, Liquid, and Gas Sources for Doping of Ultra-Thin Body SOI and Si Nanowire Structures
机译:
掺杂超薄体SOI和Si纳米线结构的离子注入,液体和气体源的电学评估
作者:
John MacHale
;
Fintan Meaney
;
Brendan Sheehan
;
Ray Duffy
;
Noel Kennedy
;
Brenda Long
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Silicon;
Conductivity;
Resistance;
Electrodes;
Ion implantation;
Electrical resistance measurement;
20.
The Role of Doping Technology in the CMOS Digital Revolution
机译:
掺杂技术在CMOS数字革命中的作用
作者:
Amitabh Jain
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Boron;
Ion implantation;
Doping;
Resists;
Rapid thermal annealing;
21.
Characterization Techniques for Ion-Implanted Layers in Silicon
机译:
硅中离子注入层的表征技术
作者:
Maria Luisa Polignano
;
Davide Codegoni
;
Amos Galbiati
;
Salvatore Grasso
;
Isabella Mica
;
Peter Basa
;
Anita Pongracz
;
Zoltan Tamas Kiss
;
Gyorgy Nadudvari
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Electrical resistance measurement;
Silicon;
Ions;
Pollution measurement;
Arsenic;
Crystals;
22.
Platinum in Silicon after Post-Implantation Annealing: From Experiments to Process and Device Simulations
机译:
植入后退火后硅中的铂:从实验到工艺和器件仿真
作者:
Moritz Hauf
;
Gerhard Schmidt
;
Franz-Josef Niedernostheide
;
Anna Johnsson
;
Peter Pichler
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Platinum;
Annealing;
Silicon;
Silicides;
Ion implantation;
Simulation;
Simulated annealing;
23.
Room Temperature Photoluminescence Characterization of Very Low Energy and Low Dose F
+
Implanted Silicon Wafers
机译:
低能量和低剂量F
+ sup>注入的硅晶片的室温光致发光特性
作者:
Woo Sik Yoo
;
Toshikazu Ishigaki
;
Jung Gon Kim
;
Kitaek Kang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Annealing;
Ion implantation;
Silicon;
Monitoring;
Ions;
FinFETs;
24.
Super Activation of Highly Surface Segregated Dopants in High Ge Content SiGe Obtained by Melt UV Laser Annealing
机译:
熔体紫外激光退火获得的高Ge含量SiGe中高表面偏析掺杂剂的超活化
作者:
Toshiyuki Tabata
;
Joris Aubin
;
Karim Huet
;
Fulvio Mazzamuto
;
Yoshihiro Mori
;
Antonino La Magna
;
Leonard M. Rubin
;
Petros Kopalidis
;
Hao-Cheng Tsai
;
Dwight Roh
;
Ronald Reece
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon germanium;
Germanium;
Solids;
Gallium;
Silicon;
Annealing;
Liquids;
25.
Re-crystallization Behavior of Amorphous Layer in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Region Using Flash Lamp Annealing
机译:
闪光灯退火技术在烃分子离子注入区非晶层的再结晶行为
作者:
Koji Kobayashi
;
Ryosuke Okuyama
;
Takeshi Kadono
;
Ayumi Onaka-Masada
;
Ryo Hirose
;
Satoshi Shigematsu
;
Akihiro Suzuki
;
Yoshihiro Koga
;
Kazunari Kurita
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Hydrocarbons;
Epitaxial growth;
Ions;
Hydrogen;
Epitaxial layers;
Stacking;
Annealing;
26.
Impact of Carbon on the Deactivation Behaviors of Boron and Phosphorus in Preamorphized Silicon
机译:
碳对非晶硅中硼和磷失活行为的影响
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Hsueh-Chun Liao
;
Jui-Chang Lin
;
Jung-Ruey Tsai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Boron;
Phosphorus;
Silicon;
Resistance;
Annealing;
Ion implantation;
27.
Ion Implantation of As, P, B, BF and BF
2
on Planar and Alkaline-Textured Si(001) Surfaces for Photovoltaic Applications
机译:
在平面和碱性纹理化的Si(001)表面上离子注入As,P,B,BF和BF
2 inf>以用于光伏应用
作者:
Jan Krügener
;
Fabian Kiefer
;
Robby Peibst
;
H. Jörg Osten
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Surface morphology;
Fluorine;
Ions;
Ion implantation;
Surface texture;
Boron;
28.
Prevention of Temperature-Induced Dewetting of Implanted SOI via Heated Ion Implantation
机译:
通过热离子注入防止温度引起的注入SOI的去湿
作者:
Julien Borrel
;
Alexis Gauthier
;
Fabien Deprat
;
Vincent Lu
;
Francesco Abbate
;
Sylvain Joblot
;
Laurent-Renaud Clément
;
Heloise Tupin
;
Wei Zou
;
Edwin Arevalo
;
Pascal Chevalier
;
Didier Dutartre
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon-on-insulator;
Ion implantation;
Heating systems;
Substrates;
Silicon;
BiCMOS integrated circuits;
29.
Advantages and Challenges of Plasma Immersion Ion Implantation for Power Devices Manufacturing on Si, SiC and GaN using PULSION
®
Tool
机译:
使用PULSION
® sup>工具在Si,SiC和GaN上制造功率器件的等离子注入离子注入的优势和挑战
作者:
Frank Torregrosa
;
Yohann Spiegel
;
Laurent Roux
;
Guillaume Sempere
;
Gael Borvon
;
Thomas Wuebben
;
Werner Schustereder
;
Moriz Jelinek
;
Frédéric Morancho
;
Philippe Godignon
;
Marcin Zielinski
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Gallium nitride;
HEMTs;
Silicon;
Logic gates;
Ion implantation;
Silicon carbide;
30.
Photomodulated Reflectance Measurement Technique for Implantation Tilt Angle Monitoring
机译:
植入式倾斜角监测的光调制反射率测量技术
作者:
Ádám Kun
;
János Szívós
;
Enikő Kis
;
Leonard M. Rubin
;
Tamás Szarvas
;
Anita Pongrácz
;
Orsolya Almási
;
John Byrnes
;
György Nádudvari
;
Szabolcs Spindler
;
Réka Piros
;
Ferenc Ujhelyi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Measurement by laser beam;
Optical variables measurement;
Tools;
Sensitivity;
Monitoring;
Ions;
31.
MARLOWE Simulation of High Energy Ions into Single Crystalline Silicon Substrates
机译:
高能离子在单晶硅衬底中的MARLOWE模拟
作者:
Haruka Sasaki
;
Yoji Kawasaki
;
Shiro Ninomiya
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Substrates;
Shape;
Ion implantation;
CMOS image sensors;
Silicon;
32.
Ultralow Energy, Elevated Temperature Implants of High Doses of Helium into Silicon
机译:
大剂量氦气向硅中的超低能量,高温注入
作者:
Katherine Haynes
;
Xunxiang Hu
;
Brian D. Wirth
;
Christopher Hatem
;
Kevin S. Jones
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Helium;
Cavity resonators;
Implants;
Silicon;
Positrons;
Scattering parameters;
Spectroscopy;
33.
Thermal evolution of H-related defects in H implanted Si: from nano-platelets to micro-cracks
机译:
氢注入硅中氢相关缺陷的热演化:从纳米片到微裂纹
作者:
Alain Claverie
;
Nicolas Daix
;
Fouad Okba
;
Nikolay Cherkashin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Sociology;
Statistics;
Surface cracks;
Ion implantation;
Microscopy;
34.
ECRIS Based Ion Beam Irradiation System for Estimating Damage of Satellites Components by Low Energy Xe Ion Beams
机译:
基于ECRIS的离子束辐照系统,用于估算低能Xe离子束对卫星组件的损害。
作者:
Tatsuto Takeda
;
Takuro Otsuka
;
Shogo Hagino
;
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
;
Yasutaka Inanaga
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion beams;
Radiation effects;
Satellites;
Xenon;
Current measurement;
Sputtering;
Ions;
35.
Optimum Conditions on Support Gases for Producing Fullerene Ions and Purifying on Electron Cyclotron Resonance Ion Source
机译:
产生富勒烯离子和电子回旋共振离子源净化的载气的最佳条件
作者:
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
;
Takashi Uchida
;
Masayuki Muramatsu
;
Atsushi Kitagawa
;
Yoshikazu Yoshida
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Fullerenes;
Iron;
Ion beams;
Gettering;
Xenon;
Ions;
Impurities;
36.
Channeled MeV B, P and As Profiles in Si(100): Monte-Carlo Models and SIMS
机译:
Si(100)中的通道MeV B,P和As轮廓:蒙特卡洛模型和SIMS
作者:
Michael Current
;
Yoji Kawasaki
;
Gerhard Hobler
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Silicon;
Histograms;
Monte Carlo methods;
Implants;
Semiconductor process modeling;
Arsenic;
37.
TRI3DYN Modelling and MEIS Measurements of Arsenic Dopant Profiles in FinFETS
机译:
FinFETS中砷掺杂分布的TRI3DYN建模和MEIS测量
作者:
Jonathan England
;
Lucio dos Santos Rosa
;
Won Ja Min
;
Jwasoon Kim
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Ions;
Doping profiles;
Semiconductor process modeling;
Arsenic;
Implants;
Scattering;
38.
Proximity Gettering Design of Silicon Wafers Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation Technique for Advanced CMOS Image Sensors
机译:
碳氢化合物分子离子注入技术用于高级CMOS图像传感器的硅晶圆接近吸气设计
作者:
Kazunari Kurita
;
Takeshi Kadono
;
Satoshi Shigematsu
;
Ryo Hirose
;
Ryosuke Okuyama
;
Ayumi Onaka-Masada
;
Hidehiko Okuda
;
Yoshihiro Koga
;
Jea-Gun Park
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Impurities;
CMOS image sensors;
Silicon;
Fabrication;
Hydrocarbons;
Ion implantation;
Gettering;
39.
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C
机译:
两步离子注入用于在300°C下激活硅中的硼原子
作者:
Toshiyuki Sameshima
;
Takuma Uehara
;
Takashi Sugawara
;
Masahiko Hasumi
;
Tomokazu Nagao
;
Keisuke Yasuta
;
Yutaka Inouchi
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Conductivity;
Ion implantation;
Heating systems;
Ions;
Boron;
Bonding;
40.
Recent Technology for Heavy Ion Radiotherapy
机译:
重离子放射治疗的最新技术
作者:
Atsushi Kitagawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Radiation effects;
Tumors;
Carbon;
Biology;
Diseases;
Insurance;
41.
High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium
机译:
高强度低铝离子能量注入钛
作者:
Alexander Ryabchikov
;
Alexey Shevelev
;
Denis Sivin
;
Egor Kashkarov
;
Irina Bozhko
;
Igor Stepanov
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Aluminum;
Surface morphology;
Current density;
Sputtering;
Surface treatment;
Ion implantation;
42.
Ion Erosion and Particle Release in Graphite Materials
机译:
石墨材料中的离子侵蚀和颗粒释放
作者:
Michael I. Current
;
Yasunomi Horio
;
Takahiko Ido
;
Hideto Fujibuchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Graphite;
Ions;
Surface treatment;
Ion beams;
Optical imaging;
Measurement by laser beam;
Particle beam optics;
43.
Wear and Ion Erosion in Spinning Disk Fences made with Al and Torlon
机译:
铝和托龙制成的旋转盘式栅栏中的磨损和离子侵蚀
作者:
Walt Wriggins
;
Douglas Hicks
;
Michael Current
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Pollution measurement;
Contamination;
Spinning;
Wheels;
Optical variables measurement;
Optical imaging;
Ion implantation;
44.
Substrate Condition and Metrology Considerations in Poly Gate Doping Implants
机译:
多晶硅栅掺杂注入中的衬底条件和计量学考虑
作者:
David Kirkwood
;
Ivy Wu
;
Dwight Roh
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Particle measurements;
Atmospheric measurements;
Phosphorus;
Surface treatment;
Pollution measurement;
Tools;
45.
High Dopant Activation of Boron in SiGe with two-step Implantation and Microwave Annealing
机译:
两步注入和微波退火技术对SiGe中硼的高掺杂活化
作者:
Tai-Chen Kuo
;
Chao-Yi Lin
;
Wen-Hsi Lee
;
Ger-Pin Lin
;
Shao-Yu Hu
;
Steve Walther
;
Yi-Hsiang Su
;
Sandeep Mehta
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Boron;
Silicon;
Silicon germanium;
Annealing;
Resistance;
Ion implantation;
46.
ECRIS/EBIS Based Low-Energy Ion Implantation Technologies
机译:
基于ECRIS / EBIS的低能离子注入技术
作者:
Guenter Zschornack
;
Paul-Friedmar Laux
;
Alexandra Philipp
;
Erik Ritter
;
Dafine Ravelosona
;
Mike Schmidt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Magnetic separation;
Magnetosphere;
Magnetomechanical effects;
Magnetoelectric effects;
Magnetic multilayers;
47.
Development of Electrically Conductive DLC Coated Aluminum Substrate for the Advanced Electric Storage Devices by Plasma Ion Assisted Deposition Method
机译:
等离子辅助沉积法开发用于高级电存储设备的DLC涂层导电铝基板
作者:
Masayasu Tanjyo
;
Yasuo Suzuki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Substrates;
Plasmas;
Carbon;
Conductivity;
Corrosion;
Electrodes;
48.
Low-energy Heavy-ion Implantation of Crop Seeds to Induce a Broad Spectrum of High-yield-based Mutation of Thai Rice
机译:
低能量重离子注入作物种子可诱导广谱的泰国水稻高产突变
作者:
J. Techarang
;
L.D. Yu
;
B. Phanchaisri
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Agriculture;
Ion implantation;
Ion beams;
Ions;
Color;
Nitrogen;
49.
Miniaturization of Swelling Structures Fabricated on 6H-SiC Surface by Ion-beam Irradiation
机译:
离子束辐照在6H-SiC表面制备的溶胀结构的小型化
作者:
S. Momota
;
K. Honda
;
J. Taniguchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Substrates;
Resists;
Radiation effects;
Crystals;
Surface treatment;
Ion implantation;
50.
High Energy Ion Implantation: Novel Approach on “as-implanted” Dose Control Concept
机译:
高能离子注入:“植入”剂量控制概念的新方法
作者:
Anastasia Guseva
;
Shavkat Akhmadaliev
;
Jürgen Bischoff
;
Constantin Csato
;
Stefan Illhardt
;
Andre Zowalla
;
Michael Rüb
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Optical filters;
Ion implantation;
Monitoring;
Optical surface waves;
Current density;
Dosimetry;
51.
Experimental Condition and Optimization for Coexistence of Fullerene and Iron Ions in ECRIS
机译:
ECRIS中富勒烯与铁离子共存的实验条件及优化
作者:
Yushi Kato
;
Yuto Tsuda
;
Takuto Watanabe
;
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Tadashi Uchida
;
Atsushi Kitagawa
;
Masayuki Muramatsu
;
Yoshikazu Yoshida
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Iron;
Fullerenes;
Ions;
Ion beams;
Plasmas;
Nitrogen;
Compounds;
52.
Hydrocarbon Gettering Effect for Contaminants from Factory Environment
机译:
碳氢化合物对工厂环境污染物的吸收作用
作者:
Naoki Miyamoto
;
Takahiro Higuchi
;
Ryota Wada
;
Takashi Kuroi
;
Tsutomu Nagayama
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gettering;
Carbon;
Ions;
Annealing;
Hydrocarbons;
Potassium;
Atomic layer deposition;
53.
Migration Behavior of 100°C Europium Ion Implantation in Glassy Carbon
机译:
玻碳中100°C Euro离子注入的迁移行为
作者:
Mahboubeh Fathi Kenari
;
Thulani T Hlatshwayo
;
Opeyemi S Odutemowo
;
Tshegofatso M Mohlala
;
Elke Wendler
;
Johan B Malherbe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Annealing;
Ion implantation;
Europium;
Surface treatment;
Ions;
Surface topography;
54.
Application of a PEM Hydrogen Gas Generator as Reliable Gas Source for Hydrogen Implantation
机译:
PEM氢气发生器作为氢气注入的可靠气源的应用
作者:
Matthias Schmeide
;
Michael Kokot
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Hydrogen;
Generators;
Tools;
Protons;
Ion sources;
Water resources;
55.
Investigation of Various GeF
4
Gas Mixtures for Improvement of Germanium Ion Implantation
机译:
各种GeF
4 inf>气体混合物改善锗离子注入的研究
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Oleg Byl
;
Chee-Weng Leong
;
Eric Tien
;
Joseph Despres
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Xenon;
Tungsten;
Implants;
Cathodes;
Carbon;
56.
Source Materials and Methods for Gallium Ion Implantation
机译:
镓离子注入的源材料和方法
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Oleg Byl
;
Joseph Despres
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Gallium;
Sputtering;
Germanium;
Xenon;
Laser beams;
Ion implantation;
57.
Mass Separation Issues for the Implantation of Doubly Charged Aluminum Ions
机译:
植入双电荷铝离子的质量分离问题
作者:
Volker Häublein
;
Anton J. Bauer
;
Heiner Ryssel
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Argon;
Pollution measurement;
Aluminum;
Contamination;
Silicon carbide;
58.
Effects of Pre-amorphization Thickness and Carbon Implantation on NiPt/Si Silicidation Process
机译:
预非晶化厚度和碳注入对NiPt / Si硅化过程的影响
作者:
Lachal Laurent
;
Rodriguez Philippe
;
Grégoire Magali
;
Ghegin Elodie
;
Milesi Frederic
;
Coig Marianne
;
Borrel Julien
;
Joblot Sylvain
;
Juhel Marc
;
Nemouchi Fabrice
;
Mazen Frédéric
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicides;
Germanium;
Silicon;
Carbon;
Thermal stability;
Conductivity;
Resistance;
59.
Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中Al通道的模拟研究
作者:
Gerhard Hobler
;
Kai Nordlund
;
Michael Current
;
Werner Schustereder
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Silicon carbide;
Semiconductor process modeling;
Ion implantation;
Ions;
Semiconductor device modeling;
Histograms;
60.
Defects Investigation in Nanosecond laser Annealed Crystalline Silicon: Identification and Localization
机译:
纳秒激光退火晶体硅中的缺陷研究:识别和定位
作者:
Richard Monflier
;
Hiba Rizk
;
Toshiyuki Tabata
;
Julien Roul
;
Simona Boninelli
;
Markus Italia
;
Antonino La Magna
;
Fulvio Mazzamuto
;
Pablo Acosta Alba
;
Sébastien Kerdilès
;
Filadelfo Cristiano
;
Elena Bedel-Pereira
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Measurement by laser beam;
Carbon;
Satellites;
Chemical lasers;
61.
Optimization of the Ion Source Parameters to Change the Proportion of Single and Molecular Ions in Plasma
机译:
优化离子源参数以改变血浆中单离子和分子离子的比例
作者:
Masamitsu Kawamura
;
Tetusro Yamamoto
;
Yusuke Kuwata
;
Shigeki Sakai
;
Nariaki Hamamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion sources;
Plasmas;
Cathodes;
Ionization chambers;
Shape;
Anodes;
62.
Neutralization of Electrical Static Charge under High Vacuum by Plasma Flood Gun
机译:
等离子溢流枪在高真空下中和静电荷
作者:
Tomokazu Nagao
;
Genki Takahashi
;
Yutaka Inouchi
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Electric potential;
Insulators;
Plasmas;
Ions;
Meters;
Ion implantation;
Probes;
63.
Dose Dependent Profile Deviation of Implanted Aluminum in 4H-SiC During High Temperature Annealing
机译:
高温退火过程中4H-SiC中注入铝的剂量依赖性轮廓偏差
作者:
Matthias Kocher
;
Mathias Rommel
;
Tomasz Sledziewski
;
Volker Häublein
;
Anton J. Bauer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Aluminum;
Annealing;
Silicon;
Carbon;
Simulated annealing;
Silicon carbide;
64.
Custom Wafer Dose Patterning for Automated Process Control in Semiconductor Device Fabrication
机译:
用于半导体器件制造中自动过程控制的定制晶圆剂量图案
作者:
Stan S. Todorov
;
Allen Pitzer
;
Sungho Jo
;
Y.J. Hwang
;
B.J. Kim
;
Y.S. Kim
;
D.J. Shin
;
T.Y. Lee
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Ion implantation;
Process control;
Fabrication;
Production;
Metrology;
65.
Boosting Ge-epi N-well Mobility with Sn Implantation and P-well Mobility with Cluster-C Implantation
机译:
通过锡注入促进Ge-epi N阱迁移,通过簇C注入促进P阱迁移
作者:
John Borland
;
Shang-Shiun Chaung
;
Tseung-Yuen Tseng
;
Yao-Jen Lee
;
Abhijeet Joshi
;
Bulent Basol
;
Takashi Kuroi
;
Gary Goodman
;
Nadya Khapochkima
;
Temel Buyuklimanli
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Implants;
Annealing;
Germanium;
X-ray scattering;
Ion implantation;
Hall effect;
66.
FinFET IO Device Performance Gain with Heated Implantation
机译:
通过热植入获得FinFET IO器件的性能提升
作者:
T.Y. Wen
;
C.I. Li
;
M.S. Hsieh
;
S.H. Tsai
;
P.K. Hsieh
;
S.H. Lin
;
H.T. Chiang
;
N.H. Yang
;
J.Y. Wu
;
B.N. Guo
;
B. Colombeau
;
H.-J. Gossmann
;
Y. Zhang
;
H.V. Meer
;
K.H. Shim
;
M. Hou
;
S. Lee
;
Jeff Kuo
;
D. Liao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
FinFETs;
Heating systems;
Junctions;
Semiconductor device modeling;
Annealing;
Performance evaluation;
67.
PULSION
®
-Solar, a Efficient and Cost Effective Plasma Immersion Ion Implantation Solution for Phosphorus and Boron Doping needed for high Conversion Efficiency Silicon Solar Cells
机译:
PULSION
® sup> -Solar,一种高效且经济高效的等离子注入离子注入解决方案,用于磷和硼掺杂,可实现高转换效率的硅太阳能电池
作者:
Frank Torregrosa
;
Laurent Roux
;
Adeline Lanterne
;
Thibaut Desrues
;
Sebastien Dubois
;
Frédéric Milési
;
Marianne Coig
;
Guillaume Sempere
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Photovoltaic cells;
Boron;
Ion implantation;
Phosphorus;
Tools;
Annealing;
Doping;
68.
Acceleration of 4+ Ions in an RF Linac Accelerator
机译:
在RF Linac加速器中加速4+离子
作者:
Shu Satoh
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Radio frequency;
Electrostatics;
Linear particle accelerator;
Electric potential;
Magnetic separation;
Magnetic analysis;
69.
Enhancement of Beam Intensity in Electron Cyclotron Resonance Plasma by DC Biased Plate-Tuner
机译:
直流偏置平板调谐器增强电子回旋共振等离子体中的束强度
作者:
Kouta Hamada
;
Koji Onishi
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Microwave theory and techniques;
Plasmas;
Particle beams;
Wireless communication;
Electromagnetic heating;
Microwave propagation;
70.
Evaluation of ION-X
®
Hydride Dopant Gas Sources on a Varian VIISion High Current Implanter
机译:
在Varian VIISion大电流注入机上评估ION-X
® sup>氢化物掺杂气源
作者:
K. Kerkel
;
J. Arnó
;
G. Reichl
;
J. Feicht
;
H. Winzig
;
O. K. Farha
;
W. Morris
;
P. W. Siu
;
G. M Tom
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Gases;
Implants;
Tools;
Metals;
Ion implantation;
Arsenic compounds;
71.
A Study on the Effect of Ion Implant to Wafer Shape and the Ion Implanter to Process the Distorted Thin SiC Wafer
机译:
离子注入对晶片形状的影响以及离子注入机对变形的薄SiC晶片的影响的研究
作者:
WeiJiang Zhao
;
Shiro Shiojiri
;
Kazuki Tobikawa
;
Suguru Itoi
;
Shigeki Sakai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Shape;
Ions;
Ion implantation;
Clamps;
Implants;
Temperature measurement;
72.
Change of Depth Profile for High-Temperature Implantation in Channeling Condition
机译:
通道条件下高温植入的深度分布的变化
作者:
Makoto Sano
;
Haruka Sasaki
;
Yoji Kawasaki
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Temperature measurement;
Crystals;
Ion implantation;
Lattices;
Arsenic;
73.
Boron Deposition Control for p-type Plasma Doping
机译:
p型等离子体掺杂的硼沉积控制
作者:
Vikram Bhosle
;
Nicholas Bateman
;
Deven Raj
;
Tim Miller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Boron;
Surface treatment;
Implants;
Plasmas;
Doping profiles;
Silicon;
74.
The Effects of Preheating in Millisecond Anneals on Dopant Activation in Silicon
机译:
毫秒退火中的预热对硅中掺杂剂活化的影响
作者:
Paul Timans
;
Christian Pfahler
;
Markus Hagedorn
;
Alexandr Cosceev
;
Manuela Zwissler
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Heating systems;
Cooling;
Temperature measurement;
Doping;
Correlation;
Implants;
75.
Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
机译:
铝离子注入对n型4H-SiC深缺陷形成的影响
作者:
Julietta Weiße
;
Constantin Csato
;
Martin Hauck
;
Jürgen Erlekampf
;
Shavkat Akhmadaliev
;
Mathias Rommel
;
Heinz Mitlehner
;
Michael Rüb
;
Michael Krieger
;
Anton Bauer
;
Volker Häublein
;
Tobias Erlbacher
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Aluminum;
Temperature measurement;
Ion implantation;
Hall effect;
Photonic band gap;
Ionization;
Mathematical model;
76.
Multi-beam RF Accelerators for Ion Implantation
机译:
用于离子注入的多束射频加速器
作者:
Peter A. Seidl
;
Arun Persaud
;
Diego Di Domenico
;
Johan Andreasson
;
Qing Ji
;
Wei Liang
;
Di Ni
;
Daniel Oberson
;
Luke Raymond
;
Gregory Scharfstein
;
Alan M.M. Todd
;
Amit Lal
;
Thomas Schenkel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Radio frequency;
Acceleration;
Ions;
Integrated circuit modeling;
Capacitance;
Load modeling;
Particle beams;
77.
Comparative Study of 4H-SiC UV-Sensors with Ion Implanted and Epitaxially Grown p-Emitter
机译:
离子注入和外延生长的p发射器的4H-SiC紫外线传感器的比较研究
作者:
Christian D. Matthus
;
Tobias Erlbacher
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
Sensors;
Ion implantation;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Doping;
Silicon carbide;
78.
MOSFET Threshold Voltage Shift Induced By Ion Implantation Performed in Different Implanters
机译:
在不同注入器中进行的离子注入引起的MOSFET阈值电压漂移
作者:
Vladimir Kolkovsky
;
Arnd Hürrich
;
Lutz Ende
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Ion implantation;
Capacitance-voltage characteristics;
Threshold voltage;
79.
Development of a Polyatomic Molecular Ion Source with a Hollow Cathode
机译:
空心阴极多原子分子离子源的研制
作者:
Yuta Imamura
;
Naoki Miyamoto
;
Hajime Aki
;
Kensuke Tomita
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
duoplasmatron;
ion source;
hollow cathode;
carbon molecular ion;
hydrocarbon molecular ion;
80.
Evaluation of Ion Angle Deviation Caused by Outgassing during Ion Implantation
机译:
离子注入过程中除气引起的离子角偏差的评估
作者:
Sho Kawatsu
;
Aki Ninomiya
;
Kazuhiro Watanabe
;
Michiro Sugitani
;
yoji kawasaki
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Scattering;
Ion implantation;
Ion beams;
Industries;
Trajectory;
Implants;
81.
ION-X Dopant Gas Delivery System Performance Characterization at Axcelis
机译:
Axcelis的ION-X掺杂剂气体输送系统性能表征
作者:
J. Arnó
;
O. K. Farha
;
W. Morris
;
P. W. Siu
;
G. M Tom
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gases;
Metals;
Ion implantation;
Ions;
Implants;
Surface contamination;
82.
Fluorine Beam Performance of Fluoride Dopant Gases and Their Gas Mixtures
机译:
氟化物掺杂气体及其混合气体的氟束性能
作者:
Sharad Yedave
;
Ying Tang
;
Joseph Sweeney
;
Joseph Despres
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Fluorine;
Tungsten;
Fluid flow;
Ion sources;
Tools;
Ion implantation;
Gases;
83.
Analysis of Very High Energy Implantation Profiles at Channeling and Non-Channeling Conditions
机译:
沟道和非沟道条件下极高能量注入分布的分析
作者:
Serguei I. Kondratenko
;
Leonard M. Rubin
;
Eric A. G. Webster
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Phosphorus;
Arsenic;
Implants;
Ions;
Boron;
Ion implantation;
Semiconductor device modeling;
84.
Si and Mg Ion Implantation for Doping of GaN Grown on Silicon
机译:
硅和镁离子注入用于掺杂生长在硅上的GaN
作者:
M. Coig
;
A. Lardeau-Falcy
;
N. Sacher
;
J. Kanyandekwe
;
A. Huvelin
;
J. Biscarrat
;
E. Vilain
;
F. Milési
;
F. Mazen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
GaN;
doping;
ion implantation;
silicon;
magnesium;
85.
Diffusion and Aggregation of Mg Implanted in GaN on Si
机译:
注入到GaN中的Mg在Si上的扩散和聚集
作者:
A. Lardeau-Falcy
;
L. Amichi
;
M. Coig
;
J. Kanyandekwe
;
F. Milési
;
A. Grenier
;
M. Veillerot
;
J. Eymery
;
F. Mazen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Annealing;
Surface treatment;
Surface morphology;
Silicon;
Ion implantation;
Atomic measurements;
86.
Aluminum Nitride Ion Production by a Magnetron Sputtering Type Ion Source with a Temperature Controlled Al Target
机译:
磁控溅射型离子靶磁控溅射离子源生产氮化铝离子
作者:
Takeshi Sakamoto
;
Kentaro Yoshioka
;
Takahiro Kenmotsu
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
sputtering;
aluminum nitride ions;
beam stability;
87.
Conformal Doping with High Dopant Concentration for n+/p and p+ Si junctions in 3D Devices Using Sol-Gel Coating and Flash Lamp Annealing
机译:
使用Sol-Gel涂层和闪光灯退火技术对3D器件中的n + / p和p + / n Si结进行高掺杂浓度的共形掺杂
作者:
Kazuhiko Fuse
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Yoshihide Nozaki
;
Ippei Kobayasi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Silicon;
Annealing;
Doping;
Coatings;
Arsenic;
Three-dimensional displays;
88.
Precise Diffusion Control in the Nanometer Range in n+/p and p+ Ge Using Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
机译:
使用离子注入和闪光灯退火在n + / p和p + / n Ge的纳米范围内进行精确的扩散控制
作者:
Hideaki Tanimura
;
Hikaru Kawarazaki
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
;
Ryota Wada
;
Takahiro Higuchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Annealing;
Junctions;
Ion implantation;
Doping;
Silicon;
Conferences;
89.
Ion Implantation of Gemstones in Thailand and Our Reflections
机译:
泰国宝石的离子注入及对我们的思考
作者:
S. Intarasiri
;
D. Bootkul
;
U. Tippawan
;
L.D. Yu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Color;
Ion implantation;
Ions;
Absorption;
Ion beams;
Oxidation;
90.
Simulation of 3D Doping by Plasma Immersion Ion Implantation for FinFET or deep Trench Doping Applications. Effect of main Process Parameters and Study of Wall Doping Non-Uniformity as Function of Form Factor and Device Scaling
机译:
用于FinFET或深沟槽掺杂应用的等离子浸入离子注入对3D掺杂的仿真。主要工艺参数的影响以及壁掺杂不均匀性随形状因数和器件缩放的影响
作者:
Frank Torregrosa
;
Benjamin Roux
;
Mona Ebrish
;
Oleg Gluschenkov
;
Yohann Spiegel
;
A. Filip Petrescu
;
Vinay Pai
;
Spyridon Skordas
;
Hemanth Jagannathan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Ions;
Plasma density;
Semiconductor process modeling;
FinFETs;
Acceleration;
Three-dimensional displays;
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