光电转换效率

摘要： 制绒是太阳电池表面处理过程中不可或缺的环节,制绒效果的好坏直接决定了太阳电池光电转换效率的高低,而金字塔尺寸的大小与排列的均匀程度是表征制绒效果的重要参数,同样会影响太阳电池的光电转换效率。以采用选择性发射极(SE)及钝化发射极和背接触(PERC)技术的单晶硅太阳电池(即“SE+PERC”单晶硅太阳电池)为例,通过调整该太阳电池制绒工艺中的工序内容,测试了工序内容调整后硅片制绒面的金字塔尺寸,测试结果显示:在制绒槽排出的溶液量与补加进去的溶液量相等的基础上,增加粗抛时的减重,降低NaOH溶液浓度或提高制绒添加剂的浓度,均可形成小而均匀的金字塔结构的绒面,从而可降低制备的“SE+PERC”太阳电池的接触电阻和漏电流,提升其光电转换效率。

摘要： 通过磁控溅射沉积系统在控制不同Ar流量的条件下,在FTO(氟掺SnO_(2))导电玻璃基底沉积一层致密的ZnO基底,通过旋涂法在致密层ZnO薄膜的基底上制备出多孔ZnO NPS薄膜,随后组装成电池进行测试。采用XRD、紫外―可见光分光光度计对所制备的致密层薄膜进行膜层质量分析,采用太阳光模拟器和数字原表对所制备的染料敏化太阳能电池进行光电转换效率的测试。结果表明,在固定溅射参数为125 W、4.1~4.0 Pa、60 min的条件下、Ar流量为10 sccm时制备的电池具有最高的光电转换效率,为1.20%。

摘要： 利用SILVACOTCAD仿真工具对一种新型双直径纳米柱结构n-CdS/p-CdTe太阳能电池进行了器件模拟。该器件由涂有一层非常薄的CdS的CdTe纳米柱组成。结果表明,对双直径纳米柱结构,给定宽度和高度,随着2种直径的纳米柱部分高度之比的增加和宽度之比的增加,器件的开路电压(V_(oc))、短路电流密度(J_(sc))、填充因子(FF)和电池转换效率(η)等性能参数均有所增加。

摘要： 通过分子设计将二氨基马来腈配合物、双噻吩咔唑引入到聚合物分子主链上,构成一种新型的含过渡金属配合物的新型聚合物,通过核磁共振氢谱、傅里叶变换红外光谱、热重分析、紫外吸收和荧光发射光谱、循环伏安测试研究了新型聚合金属配合物的化学结构、光学性能。结果表明,以二氨基马来腈配合物为受体材料,双噻吩咔唑为给体材料的新型聚合金属配合物所制备的光伏器件得到光电转换效率(PCE)分别为2.14%、1.65%,同时表现出良好的耐热性能。

摘要： 文章阐述了各类太阳能电池的研究现况,分析了如何找到快速且简单的提升太阳能电池光电转换效率,解决当前太阳能电池性能一般等问题。介绍了在高性能计算机的帮助下,机器学习技术的可行性,以及对提高太阳能电池光电转换效率的作用。

摘要： 赢创面向中国市场全新推出TEGO■Surten E过程助剂产品组合,可提升光伏硅片切割的质量与效率,从而改善光伏组件的整体性能和生产效率。包括中国在内的多个国家已公布碳中和目标。光伏组件生产商正不断寻求解决方案,致力在降低生产成本的同时,提高电池的光电转换效率。

摘要： 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855°C退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。

摘要： 随着科学技术的进步,人们对各种消费电子产品和电驱动移动平台的消费体验要求越来越高,激光无线充电技术有望成为下一代智能电子设备产品获取电能的重要方式。激光光伏电池,作为激光无线充电技术的核心组成部分,需要具备激光波长响应匹配好、可接收激光功率密度大、光电转换效率高等特点。结合国内外相关技术研究进展情况,总结分析了各类激光光伏电池在激光波长响应匹配特性和提高光电转换效率方面的研究成果,并对激光光伏电池未来的研究方向和发展趋势进行了展望。

摘要： 为提高宽带光吸收效率,提出一种新型的双直径纳米柱结构(DNPL),小直径的部分具有较小的反射率,大直径的部分具有较大的有效吸收系数。通过适当选择双直径纳米柱结构的两个部分的直径,可以进一步增强所提出结构的实用性。文章利用SILVACO仿真对上述结构进行模拟,结果表明,与传统单直径纳米柱结构(NPL)相比,双直径纳米柱结构的性能参数有显著的改进。此外,随着两部分高度之比的增加,器件的开路电压(V_(oc))、短路电流密度(J_(sc))、填充因子(FF)和电池转换效率(η)等性能参数均有所增加。

摘要： 近期,陕西科技大学电子信息与人工智能学院青年教师黄晋副教授等报道了一种新型类二维钙钛矿材料二氨基苯二氢碘化物-MA0.6FA0.4Pb I3-xClx,创造了基于MAPb I3为主结构的有机—无机杂化钙钛矿太阳能电池光电转换效率(PCE)22.34%的新纪录,光照稳定性和环境稳定性提高了20%-30%。二氨基苯二氢碘化物-MA0.6FA0.4Pb I3-xClx二维不对称钙钛矿成功应用于钙钛矿太阳能电池中的吸收层。

摘要： SiOx-SiNy复合减反层在湿法黑硅基础上进一步减小短波段反射率，改善短波段光谱响应，提高短路电流密度和光电转换效率,SiOx-SiNy复合减反层可在PECVD一步工序完成，仅需笑气改造,SiOx-SiNy复合减反层可能会带来电极接触问题。

摘要： 作为染料敏化太阳能电池的关键组成部分,染料分子结构对电池的光电转化效率有着决定性的影响.吩噻嗪蝴蝶状的三维结构及其强的给电子能力使其常被作为D-π-A型染料的电子给体,同时研究表明引入合适的次级电子给体基团有利于染料获得更好的光电性能.本文以吩噻嗪为电子给体，通过在其C-7 位引入含不同数目的烷氧基的苯基作为次级给体，设计合成了有机染料LS-2～LS-4。研究发现，三种染料都显示出良好的光电转换效率（其中，LS-2 在碘电解质下的PCE 为7.91％）。次级给体的引入能显著改变染料分子的HOMO能级，且随着次级给体苯环上烷氧链的增加，其与吩噻嗪单元之间的二面角增大，两者间的电子传输过程被削弱，导致染料LS-3 和LS-4 具有较低的短路电流密度。

摘要： 卟啉是自然界光合作用系统、血红蛋白及维生素B12等功能体系的核心结构单元,具有优异的配位性质、光物理特性和光电性能,已被广泛用于超分子化学配位化学、太阳能电池、荧光探针和光动力学治疗等领域.在设计、合成线型多吡咯基础上，系统开展了功能性卟啉与新型卟啉的设计、合成与功能研究。首先，设计、合成了系列新型错位扩展卟啉，系统研究其大环转化反应，得到系列新颖、有趣的结构。在此基础上，利用线型多吡咯和新型异卟啉分子柔性好、构象扭曲等结构特点，构建荧光增强型探针，用于检测环境和生命科学中具有重要价值的离子和分子。此外，还发展了一系列结构新颖的D-.-A 型卟啉染料，并构建染料敏化太阳能电池，通过对染料的电子给体、. 桥、电子受体等各部分的结构优化，并运用与卟啉吸收光谱互补的纯有机小分子染料作为共敏化剂，协同提升电池的光电流和光电压，最高光电转换效率可达11.7%。

摘要： 为解决实验室计量与户外计量的量值统一问题、实现光伏电站实际发电状况有效评估，开展太阳光伏户外计量技术的研究势在必行。建立并实现光电参数测量系统计量技术;针对测量太阳光谱、太阳辐照度、光伏阵列I-V特性、组件温度等参量的相关仪器如何进行校准，以准确对峰值功率进行光谱、辐照度、温度，IV特性等偏差修正，最终实现模组的光电转换效率的评定。

摘要： 前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。

摘要： 前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。

摘要： 前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。

摘要： 前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。

摘要： 本文首先基于热门研究的钙钛矿太阳能电池给出了钙钛矿的异质结，证明了钙钛矿可以产生自由载流子，也就是说在钙钛矿中Type-Ⅱ的PN结是不必要的，钙钛矿中没有Type-Ⅱ的PN结而有Type-Ⅰ的NN结。同时也证明了有机小分子材料中存在自由载流子的可能性。其次阐明了CTC具有的基本特征及CTC在OTFT、OLED、OPV中的应用，证明了CTC不仅在小分子材料中有很好的双极性特性，在太阳能电池中也是存在的。通过观察钙钛矿中的带隙结构，发现钙钛矿的吸收谱由给体和受体的HOMO-LUMO决定的。实验上观察的现象说明了钙钛矿与CTC有相同的特性。

摘要： 本文首先基于热门研究的钙钛矿太阳能电池给出了钙钛矿的异质结，证明了钙钛矿可以产生自由载流子，也就是说在钙钛矿中Type-Ⅱ的PN结是不必要的，钙钛矿中没有Type-Ⅱ的PN结而有Type-Ⅰ的NN结。同时也证明了有机小分子材料中存在自由载流子的可能性。其次阐明了CTC具有的基本特征及CTC在OTFT、OLED、OPV中的应用，证明了CTC不仅在小分子材料中有很好的双极性特性，在太阳能电池中也是存在的。通过观察钙钛矿中的带隙结构，发现钙钛矿的吸收谱由给体和受体的HOMO-LUMO决定的。实验上观察的现象说明了钙钛矿与CTC有相同的特性。

摘要： 本发明的光电转换元件依次层叠有：第一层(104)，由包含无机半导体作为主成分的多个粒子或其凝集体或者薄膜构成；第二层(105)，在所述粒子或其凝集体的表面由包含钙钛矿结构体作为主成分的多个粒子或其凝集体或者薄膜构成；和第三层(106A)、(106B)，由包含有机金属络合物作为主成分的多个粒子或其凝集体或者薄膜构成，导带能级按照第一层(104)、第二层(105)、第三层(106A)、(106B)的顺序升高，价带中的第二层(105)的能级高于第三层(106A)、(106B)的能级。

摘要： 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。

摘要： 本发明提供一种光电转换元件的制造方法，该方法能够容易地制造具备牢固地与使用钛的电极接合的端子的光电转换元件。光电转换元件(100)的制造方法，具备：导体形成工序，在具有由钛或含钛的合金构成的金属板(4)和催化剂层(6)的第一电极(10)的催化剂层(6)的表面上，或在具有透明导电体(1)的第二电极(20)的透明导电体(1)的表面上，形成多孔氧化物半导体层(3)；色素担载工序，使光增感色素担载于多孔氧化物半导体层(3)；密封工序，在第一电极(10)和第二电极(20)之间通过密封材料(14)包围多孔氧化物半导体层(3)及电解质(5)进行密封；以及端子形成工序，在金属板(4)上形成端子(7)；在端子形成工序中，端子(7)是通过高熔点焊锡被加热而熔化并被施加超声波而形成的。

摘要： 本发明提供一种光电转换元件的制造方法，该方法能够容易地制造具备牢固地与使用钛的电极接合的端子的光电转换元件。光电转换元件(100)的制造方法，具备：导体形成工序，在具有由钛或含钛的合金构成的金属板(4)和催化剂层(6)的第一电极(10)的催化剂层(6)的表面上，或在具有透明导电体(1)的第二电极(20)的透明导电体(1)的表面上，形成多孔氧化物半导体层(3)；色素担载工序，使光增感色素担载于多孔氧化物半导体层(3)；密封工序，在第一电极(10)和第二电极(20)之间通过密封材料(14)包围多孔氧化物半导体层(3)及电解质(5)进行密封；以及端子形成工序，在金属板(4)上形成端子(7)；在端子形成工序中，端子(7)是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在金属板的方式被加压并且对上述金属部件施加超声波而形成的。

摘要： 提高硅光电池光电转换效率的方法及装置，含有硅光电池、太阳光反射体、支架，硅光电池的工作面与太阳光反射体相向固定在支架上，在硅光电池的工作面与太阳光反射体之间安放有滤光板，太阳光反射体及硅光电池的非工作面朝向太阳，仅使太阳光的可见光和紫外光能穿过滤光板进入太阳光反射体并反射到硅光电池的工作面上，发生光电反应，而不能在硅光电池的工作面上发生光电反应的红外光，大部分被滤光板阻挡不能进入太阳光反射体，直接被反射到大气环境中，降低了硅光电池工作面的工作温度，有效改变了硅光电池的工作面的太阳光的分布，可使现有硅光电池光电转换效率、输出功率成倍提高，大大降低了一次性投资成本。

摘要： 本发明是一种用气体(如Ar、He、N2、N2+H2)射频等离子体对TiO2纳米晶进行处理，来提高TiO2光电池光电转换效率的方法，该方法是：将纳米二氧化钛放入射频等离子体发生装置中，抽真空后，至少通入下列气体之一：Ar、He、N2、N2+H2，到射频等离子体发生装置中，调节气体流速0.01～0.90升/份、射频功率为50～1000W、温度为100-550°C及处理时间为0.5～10小时，即得到所需产品。处理后的TiO2纳米晶比未处理的TiO2纳米晶具有更好的光电转换性能，其光电转换效率可提高30%～80%。

摘要： 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800°C以上1200°C以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800°C以上1200°C以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400°C以上650°C以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。

摘要： 本发明的课题是，通过应用不分散波长转换物质且不使用稀土类而形成的波长转换膜，来提高光电转换效率。提供用于通过旋涂等方式简易地形成这样的波长转换膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种形成光电转换装置用波长转换膜的组合物，其含有导入了荧光部位的聚合物或低聚物、以及溶剂。荧光部位被导入聚合物或低聚物的主链或侧链。另外，还提供由该形成波长转换膜的组合物形成的光电转换装置用波长转换膜。

摘要： 提高硅光电池光电转换效率的方法及装置，含有硅光电池、太阳光反射体、支架，硅光电池的工作面与太阳光反射体相向固定在支架上，在硅光电池的工作面与太阳光反射体之间安放有滤光板，太阳光反射体及硅光电池的非工作面朝向太阳，仅使太阳光的可见光和紫外光能穿过滤光板进入太阳光反射体并反射到硅光电池的工作面上，发生光电反应，而不能在硅光电池的工作面上发生光电反应的红外光，大部分被滤光板阻挡不能进入太阳光反射体，直接被反射到大气环境中，降低了硅光电池工作面的工作温度，有效改变了硅光电池的工作面的太阳光的分布，可使现有硅光电池光电转换效率、输出功率成倍提高，大大降低了一次性投资成本。

摘要： 提高硅光电池光电转换效率的装置，含有硅光电池、太阳光反射体、支架，硅光电池的工作面与太阳光反射体相向固定在支架上，在硅光电池的工作面与太阳光反射体之间安放有滤光板，太阳光反射体及硅光电池的非工作面朝向太阳，仅使太阳光的可见光和紫外光能穿过滤光板进入太阳光反射体并反射到硅光电池的工作面上，发生光电反应，而不能在硅光电池的工作面上发生光电反应的红外光，大部分被滤光板阻挡不能进入太阳光反射体，直接被反射到大气环境中，降低了硅光电池工作面的工作温度，有效改变了硅光电池的工作面的太阳光的分布，可使现有硅光电池光电转换效率、输出功率成倍提高，大大降低了一次性投资成本。