首页>中文会议>工业技术>电工技术>第十届中国太阳能光伏会议

第十届中国太阳能光伏会议

召开年：2008
召开地：常州
出版时间： 2008-09-19

主办单位：中国可再生能源学会

会议文集：第十届中国太阳能光伏会议论文集

会议论文

热门论文

全部论文

最新会议

更多>>

全选（0）

1.管式扩散中POCI3使用量的测量及对扩散工艺的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：本文研究了同一瓶三氯氧磷扩散源使用过程中,随工艺次数增加,氮气量保持恒定的情况下,磷源的携带量逐渐减少。硅片的方块电阻逐渐增加,方块电阻和电池片效率的离散度逐渐增加。通过对同一瓶三氯氧磷使用过程中逐渐增大氮气流量,方块电阻趋于稳定,方块电阻和电池片效率的离散度减小。
2.晶体硅光伏电池的电致发光成像检测方法与实验研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：晶体硅光伏电池在正偏电压下会发出红外光。本文利用晶体硅光伏电池的电致发光成像原理,采用红外相机拍摄观测晶体硅光伏电池的电致发光图像。实验研究表明:在有裂纹、污染等缺陷的位置其电致发光强度小；高效组件电致发光图像均匀、亮度高。电致发光成像检测方法比Ⅰ-Ⅴ测试方法更快速、准确地找到缺陷位置及判定缺陷类型,对监测晶体硅光伏电池及组件的生产工艺具有重要意义。
3.空间用硼背场太阳电池太阳吸收率研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：背表面场、背反射器(BSFR)太阳电池输出功率与其太阳吸收率密切相关,BSFR太阳电池与背反射器(BSR)太阳电池相比有较高的太阳吸收率。本文通过对比BSFR和BSR两种太阳电池的生产流程,测试电极蒸镀前、电极蒸镀后和减反射膜后各试验样品的表面反射率,并根据硅材料的结构特性和杂质扩散特性分析,得出了BSFR太阳电池硼背场扩散工艺是造成其太阳吸收率较高的原因。
4.SiO2/SiNx叠层钝化晶体硅太阳能电池的研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：为了减少硅片表面的悬挂键、降低表面复合速度,本文研究了在晶体硅衬底上低温热生长SiO2薄层的钝化效果,并且研究了SiO2/SiNx叠层对晶体硅表面的钝化作用。通过改变SiO2与SiNx薄层的厚度以及工艺条件,增强了对硅片的钝化以及光陷作用。最后通过合适的工艺条件,做出了适合工业化大规模生产的叠层钝化电池,电池分析表明,电池的短波响应明显提高,短路电流有近4%,同时开压也有约1%的提高,有效的提高了晶体硅太阳能电池的转换效率近3%。
5.热处理对晶体硅电池PECVD a-SiNx∶H薄膜氢钝化效果的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理时间对SiN薄膜体氢钝化作用的影响。文中可以得出结论:虽然PECVD SiN薄膜在RTP工艺后少子有效寿命有大幅提高,但氢体钝化作用并没有达到最优,后续的低温短时间热处理可以在一定程度上提高SiN薄膜对晶体硅体氢钝化作用。
6.用于HIT太阳电池的ZAO/Ag/ZAO复合透明导电膜优化设计
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：为获得高质量的透明导电薄膜,本文利用数值模拟计算,对制作在非晶硅,单晶硅(HIT)上的ZAO/Ag/ZAO复合透明导电膜的光学特性进行了优化设计。结果表明,在ZAO层的厚度为40 nm左右时可以得到最低的可见光反射率和最高的透过率。Ag层的加入尽管可以提高导电膜的导电性,但会增大对可见光的反射和吸收,对Ag层需要选择一个折衷厚度,以使对电池性能的改善最大化。在41nm厚的两层ZAO之间插入5nm厚的Ag,仍然可以保证600nm左右的光的透过率大于85%。
7.多晶硅片微晶区域对太阳能电池性能的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。
8.高品质冶金级硅(UMG-Si)中硼、铝、磷、碳、氧、钙和铁的均匀性研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：世界范围内单晶硅和光伏用多晶硅的短缺引发了研发热潮和高品质冶金级硅(UMG-Si)的商业化。高品质冶金级硅尽管比传统西门子法得到的多晶硅有更高的杂质含量,但是仍已成功用于一些光伏太阳能电池中。早期(约30年前)西门子法多晶硅的生产公司必须确定单个大的多晶硅棒里杂质的均匀性,这样才能知道如何对这些多晶硅棒里的杂质进行测量。换句话说,为了得到有助于工艺改进的多晶硅棒中有代表性的杂质含量,必须知道从多晶硅棒的哪个部位取出多少个样品进行分析?为了确定这种研究是否对UMG-Si有必要,在UMG-Si制造商的支持下完成了接下来的初步实验，该研究的结论对UMG-Si的生产过程将会非常重要。
9.单多晶太阳能硅片线痕的起因和降低方法
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：线痕的存在会影响电池片的生产工艺,是太阳能硅片生产中比较重要的一个问题。本文分析了单多晶太阳能敬硅片产生线痕的原因,并针对各不同成因，对降低和避免硅片线痕的措施进行了探讨。
10.化学腐蚀和机械抛光方法改善硅片崩边的研究与应用
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：边缘缺陷是多晶硅片生产中出现的主要缺陷之一。边缘缺陷会影响硅片外观,并进一步导致电池线制绒时的破片。经过长时间的观察,发现许多因素会影响太阳能级硅片的边缘缺陷,诸如:运输,带锯上的头尾截断,切片,去胶等等。试图改进开发新的工艺以减少由上述原因造成的边缘缺陷,例如:化学腐蚀和机械抛光,实验发现碱性腐蚀对硅片缺角、崩边改善效果最明显。
11.石英坩埚中碱金属含量对硅单晶拉制的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：纯化石英坩埚所用高纯石英砂,改变其中Na、K元素的含量,研究了石英坩埚中Na、K元素含量的不同对硅单晶拉制的影响。结果表明,降低Na、K元素的含量有利于提高石英坩埚的软化点,增强石英坩埚的抗变型性,提高单晶的成品率。
12.铸造多晶硅杂质和缺陷处理工艺研究进展
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：近年来,低成本和高效率的多晶硅已经成为最主要光伏材料之一。本文从太阳能电池制备工艺角度出发,综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷处理方面的工艺研究进展。分析比较了各种处理工艺,包括磷吸杂,铝吸杂,磷铝共吸杂,和多孔硅吸杂,对杂质吸除效果、少子寿命的影响。也分析了钝化和热处理工艺对多晶硅材料性能的影响。综合考虑成本要求和除杂效果,高温P-Al联合吸杂以及多孔硅吸杂是较好的选择。它们可能在未来的铸造多晶硅除杂工艺领域中占据重要地位。
13.N型冶金硅材料在光伏行业中的应用
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：冶金硅材料在光伏行业中的应用课题受到越来越多的重视,本文通过跟踪冶金硅材料从拉晶到硅棒电阻率的变化特性,同时研究了电池片封装组件暴晒之后的衰减特性。发现电阻率从硅棒的头部到尾部逐渐升高,电池片效率随硅棒电阻率升高而升高。但这种硅棒制备的组件经暴晒后有比较大的功率衰减。
14.高光电转换效率,无衰减的太阳电池硅单晶的研制
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳电池性能之间的关系，因而饥不择食地购入了大量的垃圾原料诸如：极低阻的重掺硅料；祸底料；薄镀膜片，彩片；电池废片等杂料，误认为可通过型号补偿以及化学物理法处理后，只要凑合太阳电池所需型号和电阻率的要求，拉成单晶，甚至连少子寿命都不测，就提供给用户制作太阳电池，必然造成电池的转换效率不高，不稳定，经光照后效率大为衰减的问题。鉴于此，本文介绍了高效率,无衰减太阳电池硅单晶的研制和电池性能的检测。
15.Pulsed VHF-PECVD技术对微晶硅材料的结构及电学特性影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：在脉冲调制的PECVD技术中,脉冲调制频率和占空比(或开关时间比)是两个关键的参数。本文采用Pulsed VHF-PECVD技术制备了高速率微晶硅薄膜材料,通过对材料的结构特性、电学特性的研究,并结合光发射谱(OES)对等离子体辉光进行了监测,发现脉冲调制频率和占空比对微晶硅材料的微结构和电学特性都有一定的影响。
16.P型窗口层对NIP型非晶硅太阳电池性能的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：采用RF-PECVD技术,制备NIP型非晶硅太阳能电池。系统研究了P型窗口层的掺杂浓度(B2H6/SiH4)和氢稀释率(H2/SiH4)对电池开路电压(Voc)的影响,制备出Voc达到0.87V,FF达到0.66,效率为8.18%的NIP型非晶硅电池,将此沉积技术应用到不锈钢衬底,制备出初始效率为6.5%的单结非晶硅电池。
17.VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的等离子体模拟研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：采用二维自适应流体模型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。模拟的结果显示出:同非晶硅薄膜的沉积相比,关键基团的密度具有不同的量级,而且微晶硅薄膜沉积过程中原子H的密度和通量比较大,是影响其结构的重要基团。另外,SiH3和SiH2基团的密度、通量和非晶硅薄膜的沉积过程相比较而言,SiH2基团对微晶硅薄膜沉积的贡献增加。最后通过对电子密度和温度的空间分布研究,表明:甚高频率提高薄膜沉积速率主要是由于电子密度,特别是有效的电子密度的增加而导致的。
18.快速热处理条件下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：Cu是硅中最重要的快扩散金属杂质之一,本文研究了在快速热处理情况下下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响。低温下的Cu沾污(400℃、500℃)会是的多晶硅少子寿命上升,而高于这个温度的Cu沾污会引起少子寿命不同程度的下降,温度越高,寿命下降越厉害。另外,Cu沾污冷却速度对少子寿命也有影响,相同沾污温度下,淬冷样品寿命值要低于慢冷样品。
19.酸洗法提纯金属硅的研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：冶金法是提纯金属硅的一种廉价的方法。酸洗是冶金法中的一个环节,被用来除去金属硅中的金属杂质。本文就酸洗过程中试剂的选择、浸泡时间和颗粒大小对提纯效果的影响进行了研究和分析。实验的结果是使用7mol/L的盐酸,浸泡较长的时间,减小金属硅颗粒,都会增加酸洗的提纯效果。
20.铸造多晶硅不同部位的少子寿命研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：本文结合光学显微镜(OM)观察位错腐蚀坑,利用MWPCD对铸造多晶硅不同部位的样品少子寿命进行了分析。不同部位的样品的平均位错密度达105/cm2,顶部位错密度最高。不同部位的样品钝化后寿命均有提高,吸杂后寿命提高更多。底部原生样品[Fei]最高,位错密度最低,吸杂后寿命提高最显著。顶部样品因为高密度的位错,吸杂后寿命提高没有底部明显。[Fei]等过渡族金属杂质是影响少子寿命的主要因素,位错等缺陷密度限制吸杂寿命提高。
21.薄片单晶硅太阳能电池片机械强度的研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：太阳电池组件制备过程中焊接的受力区域为正负主电极。本文用三点弯方法系统地研究了薄片单晶硅太阳电池正负主电极附近以及铝背场和细栅区域的机械强度,初步探讨了正电极占样品宽度的比例对机械强度的影响。研究结果表明薄片单晶硅太阳能电池片正压正电极的机械强度远大于正压负电极的强度,正压铝背场的强度大于正压细栅区的强度,正电极占样品宽度的比例对正压正电极和正压铝背场的机械强度几乎没有影响。
22.聚光光伏系统接收器优化设计要素
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：本文以线性聚光光伏接收器为研究对象,以有效聚光率C=60、光强分布为正太分布为实例,研究了接收器各材料层结构尺寸、散热器性能及粗糙结合面界面接触热阻及结合方式等因素在不同聚光均匀性条件下接收器温度分布和各材料层(包括电池层、焊锡层和绝缘层)应力应变规律,并对接收器结构进行了优化,同时提出接收器优化设计的几大要素。
23.太阳能路灯工程的经验和体会
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：在北京市"亮起来"工程中,该公司共安装太阳能灯7000多盏,在太阳能路灯的设计、系统部件的选型(尤其是光源和控制器)、项目的组织管理、工程的施工安装以及全过程的质量控制方面积累了一些经验。
24.改进遗传算法在风光互补系统配置优化的应用
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：在风光互补独立系统的设计中,系统的优化配置是一个重要步骤.风光资源、发电、储能和负载之间有复杂的匹配关系。准确合理的匹配设计可以保证蓄电池工作在尽可能理想的条件下,最大限度地延长蓄电池的使用寿命,降低供电成本。风光互补独立供电系统的优化配置可看作一个多目标优化问题,两个冲突的目标是极大化供电可靠性和极小化成本。本文中,供电可靠性采用计算机模拟蓄电池组一年的每日的荷电状态来验算；成本的优化采用自适应遗传基因算法的动态搜索模式,搜索计算出最小化系统配置花费。
25.高强度气体放电灯电子镇流器电路分析与设计
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：与传统的电感镇流器相比,高强度气体放电灯(HID)电子镇流器具有高效节能、安全可靠等特点。已经成为光伏照明行业的发展趋势。但是如何解决声共振、提高点火启动的稳定性、达到良好的热兼容性一直都是设计过程中亟待解决的难题,本文针对这些设计难点进行理论分析,并提出了实际解决方案。
26.光伏发电系统用高效逆变器的研究
- 《第十届中国太阳能光伏会议》 | 2008年
摘要：太阳电池组件构成的光伏阵列产生的直流电需通过DC/DC和DC/AC转换成直流或交流电输出。光伏发电系统的效率取决于DC/DC和DC/AC的转换效率。本文介绍了一种交错并联的Boost拓扑电路。该电路利用耦合电感实现了电路中二极管的零电流反向恢复,从而使MOSFET开关管实现零电流开通和零电压关断。此电路应用减少了开关损耗,显著提高了电路的转换效率同时降低了EMI。已研制成的光伏发电系统用3kW逆变器,转换效率达到98.3%。