透明导电薄膜

摘要： 室温下,采用射频磁控溅射氧化锌(ZnO)粉末靶和铜(Cu)靶,在玻璃衬底上制备ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜。通过改变Cu层厚度,研究其对ZnO/Cu/ZnO薄膜光电性能的影响。结果表明:ZnO/Cu/ZnO表面相对平整,结晶程度较好,在可见光范围内,当Cu厚度为11 nm和14 nm时,ZnO/Cu/ZnO薄膜的最高透光率分别为79%和74%;当Cu厚度为14 nm时,其载流子浓度及带电粒子运动能力分别为4.85×10^(21)cm^(-3)和6.73 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。与ZnO/Ag/ZnO薄膜相比,ZnO/Cu/ZnO需要更厚的铜薄膜才能连续,而具有较薄Ag层的ZnO/Ag/ZnO有比ZnO/Cu/ZnO更优良的光电性能。

摘要： 碳纳米管具有优秀的导电性能、透光性能和十分突出的柔性,在柔性透明导电薄膜中有着良好的应用前景.如何制备同时拥有良好导电性能和透光性能的碳纳米管薄膜是这一领域研究的核心问题.本综述介绍了碳纳米管薄膜的制备方法,并重点讨论了基于漂浮催化剂化学气相沉积法的碳纳米管薄膜的可控制备.在生长过程中限制碳纳米管的团聚、增加碳纳米管的长度、降低杂质的含量是提高碳纳米管薄膜性能的主要策略.

摘要： 先进光电材料的开发对于电子元件与材料相关产业的升级具有重要意义。通过磁控溅射法合成了由Mg-Al-Ga∶ZnO层和金属Cu层组成的“三明治”式复合结构的薄膜材料。对合成的光电材料进行了系统表征,结果表明该薄膜材料具有晶粒分布均匀、表面结构平整致密等特点。同时研究了金属Cu层厚度对复合薄膜性能的影响,并对其光学透过率以及电学性能进行了讨论。结果表明Cu层临界厚度约为11 nm,其对应的电阻率和在可见光范围内的平均透过率分别可以达到1.4×10^(-4)Ω·cm和86%。说明Mg-Al-Ga∶ZnO层复合材料具有较好的光电性能,该材料的制备对于新型先进光电材料的设计与优化具有一定的借鉴意义。

摘要： 银纳米线透明导电薄膜的导电性能主要取决于银纳米线之间的接触电阻,过高的接触电阻会降低透明导电薄膜的光电性能和器件稳定性。针对银纳米线透明导电薄膜接触电阻大的不足,文章综述了使用超长银纳米线、洗涤法、焊接法、机械层压法、加入其他组分导电材料等方法,能够有效降低银纳米线的接触电阻。在不损害银纳米线透明导电薄膜机械性能和透光性能的前提下,综合使用上述方法可以使银纳米线透明导电薄膜获得更好的光电性能。

摘要： 将银纳米线与不同浓度的羟丙基甲基纤维素以一步混合的方法制备导电银浆,旋涂并热压制备具有嵌入式结构的复合透明电极。分别改变银纳米线和羟丙基甲基纤维素的混合比例,研究其比例对电极光电性能、粗糙度和稳定性的影响。结果表明,一步法得到的导电银浆可以有效制备嵌入式结构透明电极,显著改善银纳米线电极的平整性和稳定性。电极中羟丙基甲基纤维素的增加对电极的光电性能影响较小,但是极大降低了电极的粗糙度。最优化电极的平均表面均方根粗糙度仅为4.6 nm。羟丙基甲基纤维素对银纳米线的保护使透明电极在强氧化环境和胶带测试下均可保持良好的稳定性。

摘要： Mo原子具有较高的价态(+6),每个掺杂的Mo原子可以向ZnO晶体贡献4个自由电子,因此,Mo原子被认为是提高ZnO薄膜导电性的潜在掺杂剂。采用射频磁控溅射制备不同溅射功率下的MZO透明导电薄膜,研究溅射功率对MZO薄膜表面形貌、微观结构、组织以及光电性能的影响。实验结果表明,不同功率制备的MZO薄膜样品都沿(002)方向择优生长;MZO薄膜中的Mo离子以+6价存在;MZO薄膜的禁带宽度为3.41。此外,射频功率对MZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学和光学性质有很大影响。当溅射功率为150 W时,MZO薄膜具有最佳光电综合性能。此时,150 W的MZO薄膜的粒径为70.93 nm;在可见光范围内的平均透过率为81.85%,电阻率为9.2×10^(-4)Ω·cm。同时,利用椭偏仪对MZO薄膜的折射率和消光系数进行测试。通过测试结果计算了不同功率下MZO薄膜的复介电函数、耗散因子和能量损失函数。最后,根据有效单振子理论分析了MZO薄膜的色散特性。

摘要： 随着柔性光电子技术的不断发展,传统的脆性氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜材料已不能满足应用要求。银纳米线(Ag nanowires,AgNWs)透明导电薄膜因具有优异的导电性、透光性和机械性能,在柔性光电子器件中将具有广阔的应用前景。首先总结了AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺方法,包括迈耶尔棒涂法、喷涂法、卷对卷涂布法、真空抽滤法和印刷法等。然后,从提高AgNWs透明导电薄膜的光电性能、稳定性、机械性能和与基材的附着力4个方面出发,介绍了各种性能优化处理工艺。最后,展望了AgNWs透明导电薄膜制备及性能优化的未来发展方向。

摘要： 使用天然植物多酚——单宁酸(TA)作为氧化石墨烯(GO)的还原剂,通过“一步法”实现了对GO的绿色还原和功能化。随后,将TA还原氧化石墨烯(RGO)和碳纳米管(SWCNT)结合起来,共同构筑具有三维结构的石墨烯/单壁碳纳米管(RGO/SWCNT)透明导电薄膜(TCFs)。该薄膜有着良好的导电性(透光率为75.1%时,面电阻为36.1Ω/sq)、较低的粗糙度(薄膜的粗糙度仅为5.45 nm)、优异的柔性(经过1000次弯折试验后,薄膜的面电阻保持不变)和较好的界面黏附力(薄膜的黏附因子均大于0.9)。该复合薄膜拥有良好的性能可以应用在柔性可穿戴器件领域。

摘要： 为研究石墨烯吸附TiCl_(4)分子的影响因素及其光电性能,探索复合物应用于传感器及透明导电薄膜的可能性,采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究TiCl_(4)气体分子在石墨烯表面的吸附条件控制与光电性能。结果表明:(1)石墨烯对TiCl_(4)气体分子具有较强的物理吸附作用,Cl原子吸附在其附近相距质心位置最远的碳原子顶位最稳定;(2)温度升高不利于TiCl_(4)气体分子吸附,气体逸度增加有利于吸附,TiCl_(4)气体分子插入石墨/双层石墨烯/多层石墨烯时宜将温度维持在TiCl_(4)沸点附近,并增加气体的压力;(3)TiCl_(4)的吸附对石墨烯的电子结构进行了调控,使费米能级附近的态密度显著提高,赝能隙减小,有效提高了导电性能;(4)在可见光区域,TiCl_(4)的吸附对体系的吸收性能影响不大,在提升透明导电薄膜导电性的同时未影响薄膜的光学性能。

摘要： 透明导电氧化物(TCO)薄膜因其兼具透明和导电的特性,被广泛应用于各个领域中。氧化铟(In_(2)O_(2))基TCO薄膜,因其高透明度、低电阻率、高迁移率和良好的化学稳定性而备受关注。综述了In_(2)O_(2)基TCO薄膜的研究进展,介绍了TCO薄膜种类及其常见的制备方法,归纳分析了锡掺In_(2)O_(2)(ITO)、钼掺In_(2)O_(2)(IMO)、钨掺In_(2)O_(2)(IWO)、钛掺In_(2)O_(2)(InTiO)等几种典型的In_(2)O_(2)基TCO薄膜研究现状,并对TCO薄膜未来的发展趋势进行了总结和展望。

摘要： 纳米银线因拥有良好的导电性,优异的透光性、柔性,原料来源广等特点,被认为是透明导电薄膜领域的下一代新型材料,其制备研究日益受到人们的广泛关注.以此为基础,对纳米银线柔性透明导电薄膜的制备方法及其研究进展进行了简介,并对其发展及应用现状进行了展望.

摘要： 通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响.X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400°C和5∶100(O2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(＜80Ω/口)和较高的平均透过率(＞80％).

摘要： 以聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,聚乙二醇(EG)为还原剂,采用聚醇法[1]制备了银纳米线.根据硝酸银/PVP比例的不同制备了4种类型的银纳米线样品,其中样品D直径最均匀,杂质含量最低.通过改变硝酸银/PVP比例、加入速率和PVP分子量,可对对银纳米线的长度和直径进行控制,得到了小直径(17-100nm)、大长度(30nm到100μm以上)的银纳米线.采用XRD、SEM、TEM和紫外-可见光谱对银纳米线的结构进行了表征.采用不同径长比纳米银线混合,以聚对苯二甲酸二乙酯(PET)和玻璃为衬底,分别使用可扩展层压辅助溶液法和旋转涂布法制备了2种透明导电薄膜,其方阻分别为17和26Ω/sq,透光率分别为88％和80％.

摘要： 采用类桑拿方法组装的单层聚苯乙烯为模板制备了周期性结构的透明导电薄膜,结合湿法腐蚀ZnO薄膜产生的弹坑状得到了周期/随机结构组合的透明导电薄膜.研究了具有周期/随机结构组合陷光结构的透明导电薄膜的表面形貌特征、光学特性随湿法腐蚀时间的变化趋势.

摘要： 文章阐述了光伏发电用透明导电膜的制备工艺研究现状，进行了本组Zn0透明导电膜以及本组柔性透明导电膜研究，提出了下一步工作展望。

摘要： 介绍了SHJ电池的技术优势，SHJ电池产业化情况，上海微系统所SHJ电池研发进展及产业化，SHJ产业化面临的挑战及机遇，SHJ电池的技术优势SHJ太阳电池是以n型单晶硅为基础,在表面和背面分别沉积不同特性的非晶硅薄膜叠层(每层厚度约5nm)和透明导电薄膜(TCO,约80nm),形成异质结结构,与常规晶体硅太阳电池的p结结构有很大的差别.

摘要： 在室温下,采用射频溅射法,在玻璃衬底和沉积了一层SiO2缓冲层的玻璃衬底上,用Al2O3:ZnO(Al2O3含量为2％wt)为靶材,制备了Al:ZnO(AZO)透明导电薄膜.分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪测试和分析了薄膜的结构形貌和光电性能.实验结果表明,与在玻璃上直接镀AZO膜层的样品比较,SiO2缓冲层使AZO薄膜的(002)面对应的衍射峰半峰宽(FWHM)变窄,AZO薄膜的电阻率最低可达到10-4Ω.cm,可见光透过率达到82％.

摘要： 本文采用直流磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将工作压强从1.5Pa逐渐减少到0.1Pa.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能.研究结果表明,直流磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且工作压强对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着工作压强的减少,AZO薄膜与玻璃基底附着力增大,薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化.在工作压强为0.2Pa时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到6.27×10-4Ωcm,薄膜平均可见光透过达到88.6％.

摘要： 本文采用直流磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将工作压强从1.5Pa逐渐减少到0.1Pa.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能.研究结果表明,直流磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且工作压强对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着工作压强的减少,AZO薄膜与玻璃基底附着力增大,薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化.在工作压强为0.2Pa时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到6.27×10-4Ωcm,薄膜平均可见光透过达到88.6％.

摘要： 本文采用直流磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将工作压强从1.5Pa逐渐减少到0.1Pa.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能.研究结果表明,直流磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且工作压强对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着工作压强的减少,AZO薄膜与玻璃基底附着力增大,薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化.在工作压强为0.2Pa时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到6.27×10-4Ωcm,薄膜平均可见光透过达到88.6％.

摘要： 用于接触面板的透明导电层合薄膜接触面板，其对透过光束变色小，光透过率高。所述透明导电层合薄膜(100)包括层压于透明衬底(A)上的、光学厚度在100～175nm之间的中间层(B)和光学厚度在10～60nm之间的导电层(C)。中间层的折射率在1.7～1.85范围内，其值介于衬底的折射率和导电层的折射率之间。

摘要： 本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

摘要： 本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

摘要： 本发明涉及一种透明导电膜材料的烧结块，包含该烧结块的溅射靶，及由该靶制造的透明导电玻璃和导电膜，该透明导电材料包括一定原子比的氧化铟、氧化锡和氧化锌，并任选包括如钌、钼和钒等特定金属的氧化物。该烧结块通过溅射等方法在膜形成中提供一种良好稳定性和有效生产率的材料，该透明导电玻璃和导电膜具有优良透明度和传导性，在电极制造中显示良好加工性，也适合于在制造有机电致发光元件中，用于制造显示改进了空穴注入效率的透明电极。

摘要： 用于接触面板的透明导电层合薄膜接触面板，其对透过光束变色小，光透过率高。所述透明导电层合薄膜(100)包括层压于透明衬底(A)上的、光学厚度在100～175nm之间的中间层(B)和光学厚度在10～60nm之间的导电层(C)。中间层的折射率在1.7～1.85范围内，其值介于衬底的折射率和导电层的折射率之间。

摘要： 本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

摘要： 本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

摘要： 本发明涉及一种透明导电膜材料的烧结块,包含该烧结块的溅射靶,及由该靶制造的透明导电玻璃和导电膜,该透明导电材料包括一定原子比的氧化铟、氧化锡和氧化锌,并任选包括如钌、钼和钒等特定金属的氧化物。该烧结块通过溅射等方法在膜形成中提供一种良好稳定性和有效生产率的材料,该透明导电玻璃和导电膜具有优良透明度和传导性,在电极制造中显示良好加工性,也适合于在制造有机电致发光元件中,用于制造显示改进了空穴注入效率的透明电极。

摘要： 本发明提供一种具有优异湿热特性的透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及使用这样的透明导电薄膜而成的电子装置。其特征在于，是在树脂基材的至少一面上具备气体阻隔层以及通过溅射法而形成的氧化锌膜的透明导电薄膜等，氧化锌膜是包含氧化锌，同时掺杂镓及铟而成的氧化锌膜，并且，相对于通过XPS的元素分析测定的锌量、镓量、氧量及铟量的总量(100atom％)，将铟量定为0.01～25atom％范围内的值，并将镓量定为0.1～10atom％范围内的值，在将初始比电阻设为ρ

摘要： 本发明提供一种具有优异湿热特性的透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及使用这样的透明导电薄膜而成的电子装置。其特征在于，是在树脂基材的至少一面上具备气体阻隔层以及通过溅射法而形成的氧化锌膜的透明导电薄膜等，氧化锌膜是包含氧化锌，同时掺杂镓及铟而成的氧化锌膜，并且，相对于通过XPS的元素分析测定的锌量、镓量、氧量及铟量的总量(100atom％)，将铟量定为0.01～25atom％范围内的值，并将镓量定为0.1～10atom％范围内的值，在将初始比电阻设为ρ