二氧化钛薄膜

摘要： 磁控溅射中工艺参数对二氧化钛镀膜透过率和厚度有较大影响,传统工艺参数决策所采用的单一因素法忽略参数间的关联性。构建的改进灰关联度量化模型在基于数据绝对位置差异的传统灰关联模型的基础上,考虑了数据间变化率差异,结合磁控溅射中主要影响参数──溅射温度、本底真空压强、溅射气压和溅射电压,对不同改进模型参数进行实验,从实验结果中得到最优的改进灰关联度量化模型。用所建模型对不同数量组的二氧化钛薄膜透过率和厚度进行分析,并与相关性模型和传统灰关联模型进行比较。结果表明:相比于传统灰关联模型,所提出的改进模型在检测准确率上提升5~10个百分点,且更适合于透过率的工艺性能检测。

摘要： 在COMPASS力场下,基于NEMD方法,选用NVE系综,在温度300 K下对不同薄膜厚度和不同空位浓度下的金红石型二氧化钛薄膜热导率进行计算模拟研究.结果表明:在5.92~8.29 nm厚度范围内,二氧化钛薄膜热导率为1.899~2.522 Wm^(-1)K^(-1),且随着二氧化钛薄膜厚度的增大,其热导率也随之增大.在相同二氧化钛薄膜厚度情况下,氧空位浓度由0.065%升高到0.152%,其热导率由2.148 Wm^(-1)K^(-1)下降到1.705 Wm^(-1)K^(-1).二氧化钛薄膜热导率因氧空位缺陷的存在表现出了下降趋势,且热导率会随着氧空位浓度的升高而减小.应用德拜理论进行解析,通过对模拟计算结果和其他文献实验结果比照与分析,证实本文模拟结果具有必要性和合理性,在二氧化钛薄膜热导率性能上的探究具有实际参考意义.

摘要： 为了分析溶胶-凝胶法制备的TiO_(2)薄膜的光学常数,采用旋涂法制备了多层TiO_(2)薄膜,利用扫描电镜对表面形貌进行了分析,利用椭圆偏振光谱对薄膜的折射率色散和孔隙率进行了拟合分析,并利用原位共角反射光谱对拟合结果进行了验证,得到了TiO_(2)薄膜厚度、孔隙率和折射率色散曲线。结果表明,TiO_(2)薄膜厚度与旋涂层数成线性关系,薄膜孔隙率约为15%且与旋涂层数无关,New Amorphous色散模型可以较好地拟合溶胶-凝胶旋涂方法制备的TiO_(2)薄膜在1.55eV~4.00eV波段的椭偏光谱。该研究为溶胶-凝胶法制备的TiO_(2)薄膜的光学常数测量提供了参考。

摘要： 大气压等离子体因具有很多独特优势从而在材料制备和表面工艺领域备受关注.本文利用大气压针-板电晕放电等离子体射流制备氧化钛(TiO2)薄膜,研究了电晕极性和放电参数对薄膜特性的影响.实验测试了正负电晕等离子体射流的电学性能、发展过程和发射光谱,并对不同条件下制备的TiO2薄膜进行了表征和分析.结果表明:负电晕等离子体射流制备的TiO2薄膜表面更均匀而且薄膜中钛(Ti)含量更高.正负电晕等离子体射流制备的薄膜的结合力均优于4.7 N/cm,表面电阻低于1010Ω.此外,发现TiO2薄膜在基底表面沉积和在气相中成核存在竞争机制,并进一步阐述了电晕放电等离子体制备薄膜的成膜机理和不同极性放电的差异.本文结果将为大气压等离子体制备均匀、致密的功能氧化物薄膜材料提供有益参考.

摘要： 循环水养殖系统(RAS)是当今水产养殖业发展的重要方向之一,其中填料起着至关重要的作用.二氧化钛表面呈现正电性,可以使带负电的微生物(如硝化细菌)更好地负载在填料表面,进而提高微生物膜在填料表面的挂膜效率.首先利用拉膜法在碳化硅(SiC)填料表面负载二氧化钛薄膜,通过对二氧化钛薄膜的X射线衍射(XRD)以及Zeta电位表征,证明在挂膜过程中二氧化钛理论上确实具备利用表面正电性来吸附微生物膜的能力.计算三组二氧化钛-碳化硅复合填料的化学需氧量(COD)数据以及利用荧光显微镜测得的总菌数据,可以推论出负载三层二氧化钛薄膜的二氧化钛-碳化硅复合填料在挂膜过程中细菌繁殖数量最多,挂膜效率最高.

摘要： 以2024铝合金为基材,先采用由40 g/L浓硫酸和100 g/L酒石酸组成的溶液在温度40°C、电位20 V的条件下阳极氧化30 min,再置于5～25 g/L氟钛酸铵溶液中反应1 h,最后在500°C下热处理2 h,即得Al2O3–TiO2复合膜.研究了氟钛酸铵质量浓度对Al2O3–TiO2复合膜表面形貌、显微硬度、耐蚀性和光催化降解亚甲基蓝性能的影响.结果表明,氟钛酸铵质量浓度为20 g/L时,复合膜的耐蚀性和光催化性能最佳.

摘要： 针对可能影响制备二氧化钛薄膜物性的因素,通过以钛酸丁酯、乙酰丙酮、苯甲酰丙酮、无水乙醇作为原材料通过提拉法、旋涂法制备出二氧化钛感光薄膜。以点光源照射基底,得到三种不同花纹的微细图形,并做了SEM表征。定性分析了旋涂、提拉、实验式湿度、图形类型对于最后二氧化钛微细图形物性的影响。

摘要： 以钛酸丁酯、乙醇和二乙醇胺制备了溶胶,并通过提拉浸渍法在A3钢板上烧结成为TiO2薄膜.较佳的制备工艺条件为:溶胶的pH为5.0,450°C下烧结2 h.通过活性艳红的光降解来考察TiO2薄膜的光催化活性,采用中性盐雾试验和极化曲线测量来研究其耐蚀性.用硅烷膜打底可以提高TiO2薄膜的耐蚀性,但会令其光催化性能稍有降低.

摘要： 针对可能影响制备二氧化钛薄膜物性的因素,通过以钛酸丁酯、乙酰丙酮、苯甲酰丙酮、无水乙醇作为原材料通过提拉法、旋涂法制备出二氧化钛感光薄膜.以点光源照射基底,得到三种不同花纹的微细图形,并做了SEM表征.定性分析了旋涂、提拉、实验式湿度、图形类型对于最后二氧化钛微细图形物性的影响.

摘要： 通过磁控溅射将二氧化钛(TiO_(2))沉积在涤纶织物表面形成薄膜,制备二氧化钛/涤纶(TiO_(2)/PET)抗紫外线功能织物,探讨制备过程中磁控溅射时间和溅射功率对织物抗紫外线功能的影响,分析TiO_(2)薄膜的紫外线吸收和屏蔽机理,同时检测织物隔热、热稳定性能的变化情况.结果表明:在PET织物表面沉积TiO_(2)薄膜可改善织物的抗紫外线性能,归因于TiO_(2)薄膜对紫外光较好的吸收和对紫外可见光有效的屏蔽能力;且因TiO_(2)薄膜在溅射150 W以上的功率下粗糙度增加、厚度减少,当溅射功率为150 W,溅射时间为90 min时,TiO_(2)/PET织物具有较强的抗紫外线能力,其紫外线防护系数(Ultraviolet Protection Factor,UPF)达到1211.19;同时,TiO_(2)薄膜的沉积赋予了PET织物良好的热稳定性能和隔热性能.

摘要： 利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火条件对薄膜的微观结构和光学性能的影响.实验结果表明:真空退火后的薄膜结晶性能均较差,随着退火温度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜内部的N含量均减少,禁带宽度从2.83eV增加到3.21eV;常压条件下退火,薄膜的结晶性变优,晶粒变大,薄膜内部N含量减少,禁带宽度增加到2.93eV.

摘要： 利用真空镀膜方法以gg.gg％的TiO2粉末为镀膜材料,在不同的沉积速率下,在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.利用台阶仪、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的TiO2薄膜性能进行了表征.讨论了不同退火温度对TiO2薄膜结构的影响.结果表明:在镀膜速率为4A/sec条件下制备的TiO2薄膜,膜厚为200nm的样品,在室温条件下,具有无定形结构.450°C退火1h后呈现锐钛矿晶体结构.所得TiO2薄膜均匀,与玻璃片基结合度较好.

摘要： 利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650°C和850°C热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为.650°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的正向偏压(p+-Si接﹢为正向偏压)下发光,其电致发光谱中包含与TiO2中氧空位相关的宽包峰以及Er3+的特征峰,器件在反向偏压下不发光;而850°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的反向偏压下发光,其电致发光谱中Er3+的发光非常显著,器件在正向偏压下不发光.研究表明,在氧气气氛中高温热处理氧化物薄膜时,氧化物与Si衬底之间会形成一层非晶SiOx层.当热处理温度从650°C提升至850°C,通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)可以看出,SiOx层厚度从～3.9nm增加至～8.3nm,导致器件的载流子传输机制发生了改变,器件的电致发光机理也因此改变.650°C热处理的器件Er3+的发光是由氧空位相关的缺陷能级向Er3+的能量传递引起的,而850°C热处理的器件Er3+的发光是由热电子直接碰撞激发Er3+而产生的.

摘要： 利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650°C和850°C热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为.650°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的正向偏压(p+-Si接﹢为正向偏压)下发光,其电致发光谱中包含与TiO2中氧空位相关的宽包峰以及Er3+的特征峰,器件在反向偏压下不发光;而850°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的反向偏压下发光,其电致发光谱中Er3+的发光非常显著,器件在正向偏压下不发光.研究表明,在氧气气氛中高温热处理氧化物薄膜时,氧化物与Si衬底之间会形成一层非晶SiOx层.当热处理温度从650°C提升至850°C,通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)可以看出,SiOx层厚度从～3.9nm增加至～8.3nm,导致器件的载流子传输机制发生了改变,器件的电致发光机理也因此改变.650°C热处理的器件Er3+的发光是由氧空位相关的缺陷能级向Er3+的能量传递引起的,而850°C热处理的器件Er3+的发光是由热电子直接碰撞激发Er3+而产生的.

摘要： 利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650°C和850°C热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为.650°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的正向偏压(p+-Si接﹢为正向偏压)下发光,其电致发光谱中包含与TiO2中氧空位相关的宽包峰以及Er3+的特征峰,器件在反向偏压下不发光;而850°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的反向偏压下发光,其电致发光谱中Er3+的发光非常显著,器件在正向偏压下不发光.研究表明,在氧气气氛中高温热处理氧化物薄膜时,氧化物与Si衬底之间会形成一层非晶SiOx层.当热处理温度从650°C提升至850°C,通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)可以看出,SiOx层厚度从～3.9nm增加至～8.3nm,导致器件的载流子传输机制发生了改变,器件的电致发光机理也因此改变.650°C热处理的器件Er3+的发光是由氧空位相关的缺陷能级向Er3+的能量传递引起的,而850°C热处理的器件Er3+的发光是由热电子直接碰撞激发Er3+而产生的.

摘要： 利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650°C和850°C热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为.650°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的正向偏压(p+-Si接﹢为正向偏压)下发光,其电致发光谱中包含与TiO2中氧空位相关的宽包峰以及Er3+的特征峰,器件在反向偏压下不发光;而850°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的反向偏压下发光,其电致发光谱中Er3+的发光非常显著,器件在正向偏压下不发光.研究表明,在氧气气氛中高温热处理氧化物薄膜时,氧化物与Si衬底之间会形成一层非晶SiOx层.当热处理温度从650°C提升至850°C,通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)可以看出,SiOx层厚度从～3.9nm增加至～8.3nm,导致器件的载流子传输机制发生了改变,器件的电致发光机理也因此改变.650°C热处理的器件Er3+的发光是由氧空位相关的缺陷能级向Er3+的能量传递引起的,而850°C热处理的器件Er3+的发光是由热电子直接碰撞激发Er3+而产生的.

摘要： 利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650°C和850°C热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为.650°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的正向偏压(p+-Si接﹢为正向偏压)下发光,其电致发光谱中包含与TiO2中氧空位相关的宽包峰以及Er3+的特征峰,器件在反向偏压下不发光;而850°C热处理的TiO2:Er薄膜器件只在一定的反向偏压下发光,其电致发光谱中Er3+的发光非常显著,器件在正向偏压下不发光.研究表明,在氧气气氛中高温热处理氧化物薄膜时,氧化物与Si衬底之间会形成一层非晶SiOx层.当热处理温度从650°C提升至850°C,通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)可以看出,SiOx层厚度从～3.9nm增加至～8.3nm,导致器件的载流子传输机制发生了改变,器件的电致发光机理也因此改变.650°C热处理的器件Er3+的发光是由氧空位相关的缺陷能级向Er3+的能量传递引起的,而850°C热处理的器件Er3+的发光是由热电子直接碰撞激发Er3+而产生的.

摘要： 本文采用光聚合诱导相分离法制备了具有三维网状结构TiO2，并对其形貌进行了表征分析。将三维网状结构TiO2作为骨架层制作钙钛矿太阳电池，分析其对电池效率的影响。基于三维网状TiO2的电池效率增大的原因，是三维连续网状结构的TiO2薄膜具有比表面积大、骨架结构丰富且薄膜内部孔隙体积较大的特征，TiO2可以与钙钛矿材料充分接触，保证了光生电荷分离和电荷注入更大程度的发生，从而获得更高的短路电流，提高电池效率.

摘要： 本文采用光聚合诱导相分离法制备了具有三维网状结构TiO2，并对其形貌进行了表征分析。将三维网状结构TiO2作为骨架层制作钙钛矿太阳电池，分析其对电池效率的影响。基于三维网状TiO2的电池效率增大的原因，是三维连续网状结构的TiO2薄膜具有比表面积大、骨架结构丰富且薄膜内部孔隙体积较大的特征，TiO2可以与钙钛矿材料充分接触，保证了光生电荷分离和电荷注入更大程度的发生，从而获得更高的短路电流，提高电池效率.

摘要： 本文采用光聚合诱导相分离法制备了具有三维网状结构TiO2，并对其形貌进行了表征分析。将三维网状结构TiO2作为骨架层制作钙钛矿太阳电池，分析其对电池效率的影响。基于三维网状TiO2的电池效率增大的原因，是三维连续网状结构的TiO2薄膜具有比表面积大、骨架结构丰富且薄膜内部孔隙体积较大的特征，TiO2可以与钙钛矿材料充分接触，保证了光生电荷分离和电荷注入更大程度的发生，从而获得更高的短路电流，提高电池效率.

摘要： 本发明提供一种用于形成二氧化钛膜的涂层组合物，其包括(A)一种特殊的含钛水溶液和(B)至少一种选自有机酸及其盐的化合物。本发明还提供一种使用涂层组合物形成二氧化钛膜的工艺，和使用所述工艺涂布的金属基材。

摘要： 本发明公开了一种二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜，本发明属于二氧化钛纳米薄膜加工领域。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法包括如下步骤：S1、提供惰性气体；S2、对惰性气体进行耦合，同时对惰性气体点火，产生惰性气体的等离子体火炬；S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入反应气体，产生含有反应气体的等离子体火炬；S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其制备过程简单、易行，无二次污染。

摘要： 本发明提供了一种与现有的二氧化硅二氧化钛复合氧化物颗粒相比，在填充树脂等中使用时可以具有优异的流动性和良好的透明性的非晶质二氧化硅二氧化钛复合氧化物粉末。一种由未经表面处理剂处理的非晶质二氧化硅二氧化钛复合氧化物颗粒构成的粉末，对于该非晶质二氧化硅二氧化钛复合氧化物粉末，在测定波长589nm处的颗粒的折射率为1.46以上，基于体积的累积50％直径为0.1μm至2.0μm，粒径为5.0μm以上的颗粒的含量为10ppm以下，并且所述粉末在大气中110°C下干燥12小时，所述干燥粉末在25°C、相对湿度85％的条件下储存24小时吸湿，根据吸湿前的质量X和吸湿后的质量Y，通过(Y‑X)/X×100算出的吸水率为0.8质量％以下；在制造二氧化硅包覆的二氧化硅二氧化钛复合氧化物时，可以通过严格调整二氧化硅包覆条件，并在900°C以上烧成来制造。

摘要： 本发明提供一种用于形成二氧化钛膜的涂层组合物，其包括(A)一种特殊的含钛水溶液和(B)至少一种选自有机酸及其盐的化合物。本发明还提供一种使用涂层组合物形成二氧化钛膜的工艺，和使用所述工艺涂布的金属基材。

摘要： 本发明公开了一种二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜，本发明属于二氧化钛纳米薄膜加工领域。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法包括如下步骤：S1、提供惰性气体；S2、对惰性气体进行耦合，同时对惰性气体点火，产生惰性气体的等离子体火炬；S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入反应气体，产生含有反应气体的等离子体火炬；S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其制备过程简单、易行，无二次污染。

摘要： 本发明涉及新型的二氧化钛纳米片层取向薄膜及其制造方法和具备该二氧化钛纳米片层取向薄膜的物品，其中薄膜以二氧化硅和二氧化钛为主成分，其表面分散着大小为纳米级，具有层状结构的二氧化钛纳米片层，在显示高的光催化活性的同时，能够长时间维持优异的超亲水性和防雾性。

摘要： 一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛－二氧化硅混合晶粒的方法，该方法包括在加热至600°C或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600°C或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末，将所获得的粉末加热到300至600°C以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量％或更低，然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。

摘要： 本发明公开了一种纳米二氧化钛改性薄膜，包括多层掺杂有改性离子的二氧化钛薄膜，改性离子均掺杂在二氧化钛薄膜表面，随着二氧化钛薄膜层数的增加改性离子的掺加量呈变大趋势。所述改性离子选自过渡金属、贵金属、稀土金属或非金属。本发明还公开了其梯度掺杂改性方法，该方法操作简单、成本低、易于大规模生产，在薄膜各层中梯度分布的离子有助于光生载流子的运输与传递，能有效促进光生电子-空穴的分离，使TiO2的光吸收波长红移至可见光区，所得改性薄膜为层状结构，通过离子的梯度掺杂，有效提高了薄膜的光催化性能。

摘要： 一种金属钛表面制备二氧化钛薄膜的方法，它是将表面清洗后的金属钛浸泡在60～90°C的质量百分浓度为12～30％的过氧化氢水溶液中24～72小时，即在金属钛表面制成锐钛矿晶形的纳米二氧化钛薄膜。本发明方法制备的表面覆盖二氧化钛薄膜的钛板或钛片，其薄膜与钛板或钛片的结合牢固，薄膜的结晶良好，可以是锐钛矿晶形或锐钛矿和金红石混合晶形，晶粒细小，约10纳米，比表面积大，使用寿命长。

摘要： 本发明公开了一种纳米二氧化钛改性薄膜，包括多层掺杂有改性离子的二氧化钛薄膜，改性离子均掺杂在二氧化钛薄膜表面，随着二氧化钛薄膜层数的增加改性离子的掺加量呈变大趋势。所述改性离子选自过渡金属、贵金属、稀土金属或非金属。本发明还公开了其梯度掺杂改性方法，该方法操作简单、成本低、易于大规模生产，在薄膜各层中梯度分布的离子有助于光生载流子的运输与传递，能有效促进光生电子-空穴的分离，使TiO2的光吸收波长红移至可见光区，所得改性薄膜为层状结构，通过离子的梯度掺杂，有效提高了薄膜的光催化性能。