溅射功率

摘要： 采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.研究结果表明:当溅射功率为90 W时,Ga2 O3薄膜的(-402)衍射峰最强,薄膜结晶质量最好.退火后Ga2 O3薄膜的结晶度均有所加强.随着溅射功率的增加,Ga2 O3薄膜变得均匀致密,但溅射功率过高反而影响成膜质量.Ga2 O3薄膜吸收边在250 nm附近,在Ga2 O3可见光区域透过率可达85％以上,且在450～500 nm处接近100％.退火处理可以进一步提高薄膜的透过率.Ga2 O3薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小,分布在4.8～5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小.这表明退火处理使得大部分Ga2 O3转化为最稳定的 β相.

摘要： 采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响。研究结果表明:当溅射功率为90 W时,Ga_(2)O_(3)薄膜的(-402)衍射峰最强,薄膜结晶质量最好。退火后Ga_(2)O_(3)薄膜的结晶度均有所加强。随着溅射功率的增加,Ga_(2)O_(3)薄膜变得均匀致密,但溅射功率过高反而影响成膜质量。Ga_(2)O_(3)薄膜吸收边在250 nm附近,在Ga_(2)O_(3)可见光区域透过率可达85%以上,且在450~500 nm处接近100%。退火处理可以进一步提高薄膜的透过率。Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小,分布在4.8~5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小。这表明退火处理使得大部分Ga_(2)O_(3)转化为最稳定的β相。

摘要： 利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备α-Hf薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及霍尔仪等仪器进行测试分析,表征了薄膜的物相结构、表面形貌、光学性能及电学性能。实验结果表明:制备的α-Hf薄膜是具有(002)晶面择优取向的六方结构。其结晶质量、晶粒尺寸、光反射率、电阻率等都与溅射功率密切相关。当溅射功率为50W时,α-Hf薄膜结构的致密性和表面平整性都有所提高,导电性更加优异。100W薄膜样品光反射率更大,这与薄膜表面结构相关。

摘要： 近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga_(2)O_(3)薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响. X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰.

摘要： 当下,ZnO基薄膜晶体管的有源层材料种类繁多,为了解决薄膜晶体管制备的成本高、对人体有危害和在光电探测领域应用等问题.在本工作中,选择采用磁控溅射的方法制备了以MoZnO为有源层的薄膜晶体管(TFT).在实验过程中控制其他制备条件不变,制备了ZnO TFT和Mo的溅射功率分别为3 W,6 W,9 W的MoZnO TFTs,并分析了影响其电学参数变化的机理,此外还进行了多个光周期下的动态响应测试.结果显示在Mo的溅射功率为3 W时,其场效应迁移率(μ_(sat))达到了2.78cm^(2)/Vs,电流开关比(I_(on)/I_(off))达到107,亚阈值摆幅(SS)大约为1.5 V/decade.此外在365 nm的光照条件下也表现出良好的响应特性,其光响应度(R)高达32.09 A/W.综上所述,这种MoZnO TFT有潜力应用于光电探测领域.

摘要： 采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备了锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O,MCNO)薄膜并进行了后退火处理。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学测试仪器等测试手段对晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征。分析了不同射频溅射功率(60~100 W)对MCNO薄膜表面微观形貌、晶体结构和光学性能的影响。结果表明,在60~90 W下获得的薄膜表面致密且均匀,但在100 W下获得的MCNO薄膜表面晶粒尺寸显著增大。物相分析表明,采用射频磁控溅射沉积的MCNO薄膜主要为尖晶石结构,溅射功率对薄膜结晶质量和择优取向具有显著影响,在80 W下获得的MCNO薄膜结晶质量最佳。同时,拉曼光谱测试也表明该MCNO薄膜表现出最强的Mn^(4+)—O对称弯曲振动和最小的压应力。紫外-可见-近红外光谱分析表明,MCNO薄膜的吸光范围主要在可见光-近红外波段,在80~90 W溅射功率下获得的MCNO薄膜在近红外波段表现出更强的吸收峰。射频溅射功率的改变会影响薄膜的厚度和结晶质量,从而对薄膜的光学带隙起到调控作用。光致发光光谱测试不同溅射功率下薄膜的缺陷峰发光强度,且在功率为80 W时沉积的薄膜具有最强紫外发射峰,表明改变溅射功率能够有效改善薄膜缺陷及提高晶体质量。

摘要： 本文采用射频磁控溅射技术,在高温下制备了原位退火的钴酸锂薄膜,并研究了溅射功率对其性能的影响.结果表明,随着溅射功率的增加,钴酸锂薄膜结晶颗粒长大,生长速率增加,首次放电比容量增大且循环性能提升.200 W溅射制备的钴酸锂薄膜首次放电比容量可达47 μAh·cm-2μm-1,并表现出较好的循环性能.

摘要： 本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×10^(7),阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×10^(12) cm^(-2)·eV^(-1),所占的的原子百分比(at.%)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.

摘要： 本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×107,阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×1012 cm-2·eV-1,所占的的原子百分比(at.％)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.

摘要： 扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、结晶温度高等优点,成为一类极具应用潜力的阻挡层材料.本文通过磁控共溅射技术在p型Si单晶基底上沉积ZrRu薄膜.利用X射线光电子能谱、X射线衍射、扫描电子显微镜和四点探针测试等表征手段对ZrRu合金膜的化学特性、物相结构、微观形貌和电学性能进行表征分析.研究结果表明,随Ru溅射功率增加,Ru原子百分比增加,薄膜的沉积速率由7.74 nm·min-1增加到17.99 nm·min-1,当Ru溅射功率低于35 W时,薄膜为非晶或微晶结构;当Ru溅射功率为45 W时,薄膜逐渐转化为柱状晶结构,且尺寸均匀,表明通过Ru掺杂实现了对ZrRu薄膜微观结构的调控;薄膜电阻率随Ru溅射功率增加由192.2μΩ?cm降低为53.5μΩ?cm,表现出良好的电学性能.

摘要： 采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫外分光光度计检测在不同溅射功率条件下制备的InxSy薄膜表面形貌、元素组成和光学特性.结果表明随着功率的增加,InxSy薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加,,光学禁带宽度先增加后减小.溅射功率为80W时禁带宽度最大为2.75eV,适合高效率InxSy/CIGS太阳能电池.

摘要： 在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法，固定其他工艺参数、改变溅射功率制备了ZnO薄膜。通过对薄膜进行XRD和室温光致发光(PL)谱测量，研究了溅射功率对ZnO薄膜结构和发光性能的影响及薄膜结构与发光性能两者之间的关系。溅射功率从20 W到180 W之间变化中，当溅射功率为100 W时结晶质量和发光性能均达到最优化。继续升高溅射功率时，结晶质量和发光性能都下降。

摘要： 采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性,当溅射功率为120W时,Ca2Si薄膜变的均匀、致密,在400～800nm波长范围内,溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。

摘要： 本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜具有较好的表面形貌.

摘要： 本文通过实验,分析在硅铝靶使用不同的溅射功率时,如何选择最合适的工艺气体流量和氩/氮气比例,降低其钢化前后可见光透过率的变化量,完善工艺,生产高质量可钢化Low-E玻璃.

摘要： 采用磁控溅射方法,在不同的溅射压强下,在玻璃和硅衬底上生长As掺杂ZnO薄膜.研究溅射压强对ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响.X衍射结果表明所制备的ZnO薄膜具有z轴(002)单晶生长的结构.扫描电镜显示ZnO的沉积颗粒随压强有明显变化.紫外可见分光光度计测量结果反映了薄膜具有良好的透过率,在400nm～800nm透过率高达85％以上.最后采用四探针法测量薄膜的电学性能,As掺杂ZnO薄膜最低的电阻率可达92.5Ω·cm.

摘要： 本文用磁控共溅射方法制备了无氢非晶碳化锗薄膜。用拉曼光谱(Kaman)、傅里叶变换红外透射光谱( FTIR)和X射线光电子谱(XPS)等方法研究了锗功率对碳化锗薄膜的结构和化学键性质的影响。为了深入理解锗功率对磁控共溅射制备的无氢非晶碳化锗薄膜的化学键性质的影响.利用拉曼光谱(Raman)、傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对碳化锗薄膜的结构及化学键进行了分析.FTIR结果显示在610cm-1处有较强的吸收峰,这说明在薄膜中形成了Ge-C键.Raman结果表明在薄膜中含有Ge和C团簇,并且所有的薄膜均为非晶结构.XPS结果表明薄膜中碳的含量随锗功率的增加而减少.薄膜中sp3 C-C的相对含量受锗功率的影响很小.当锗功率从40瓦升到80瓦时,sp2 C-C的相对含量从56.5％下降到40.0％,当功率继续升高时,sp2 C-C的相对含量缓慢的下降到35.9％.而sp3 C-Ge的相对含量随着锗功率的增加逐渐增多。

摘要： 一种磁控溅射方法包括：以角频率ω来转动磁控管的磁铁；以及当由所述磁控管的溅射源来溅射材料于基材上时，周期性的以至少一组成单元来调制功率位准，此功率位准是施加于溅射源，所述组成单元包括频率f，其是在第一谐波以外，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

摘要： 一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。

摘要： 用于执行HIPIMS涂层工艺的方法，借此减少目标和衬底之间的最小距离5直到达到在涂层工艺期间在衬底处的实质上最大的偏置电流，并且由此与传统的HIPIMS涂层工艺相比显著地改进了涂层质量且增大沉积速率。

摘要： 一种磁控溅射方法包括：以角频率ω来转动磁控管的磁铁；以及当由所述磁控管的溅射源来溅射材料于基材上时，周期性的以至少一组成单元来调制功率位准，此功率位准是施加于溅射源，所述组成单元包括频率f，其是在第一谐波以外，且为转动所述磁铁的所述角频率ω的谐波。

摘要： 一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。

摘要： 一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在远离处理腔室的位置处产生高电压信号，将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲，对所输送的高电压信号加以脉冲，和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。

摘要： 本发明提供一种用于溅射设备的可旋转靶材座装置，其中该靶材座装置适于在该靶材座装置上接收实体靶材圆柱，该可旋转靶材座装置包含：靶材座圆柱(4)，该靶材座圆柱(4)具有侧面(3)、中间部(12)、第一末端区(7)及与该第一末端区相对的第二末端区(9)，其中该第一末端区及该第二末端区至少之一具有基本上等于或小于该中间部的外径的最大外径。

摘要： 本发明涉及一种大功率溅射电源，包括依序电连接的整流电路、逆变电路、变压器、滤波电路以及控制器、存储介质，存储介质存储有程序，程序被控制器执行时实现以下步骤：实时检测输出整流滤波电路的输出电压和输出电流；以输出电压和输出电流的乘积作为输出功率，将输出功率与目标功率值的差值经PI调节器获得电压有效值；将电压有效值与输出电压的差值经PI调节器调节得到PWM调制波用以控制可控H桥逆变电路中各个开关管的通断。本发明能够实现大功率溅射电源在半导体关键工艺设备上的可靠使用。

摘要： 本申请属于磁控溅射技术领域，具体涉及一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，采用高频逆变技术将三相电调整到预置的直流电压值，通过变压器经过整流滤波为电容组储能提供能量，多个电容组通过电位串联叠加实现高压脉冲输出。电容组储能后经过斩波器实现高功率脉冲输出。本申请实施例提供一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，相对恒压控制具有明显的恒电流特性，更适合于磁控溅射的应用，具有抑制电弧的特性，具有工艺重复性好等优点。

摘要： 本实用新型提供了一种用于高功率磁控溅射的靶材组件，包括靶材和背板，所述靶材包括溅射面和背面，所述背板包括固定面和冷却面，所述靶材的背面与所述背板的固定面相连接，所述背板的冷却面开设有梯形凹槽；其中，沿所述背板的边缘向所述背板的中心方向，所述梯形凹槽的侧面呈直线向下倾斜状。本实用新型所述用于高功率磁控溅射的靶材组件，在背板的冷却面开设具有一定倾斜度的梯形凹槽，可以有效地增强冷却效果，避免靶材的溅射面发生开裂。