Mo的溅射功率对MoZnO薄膜晶体管性能的影响

摘要

当下,ZnO基薄膜晶体管的有源层材料种类繁多,为了解决薄膜晶体管制备的成本高、对人体有危害和在光电探测领域应用等问题.在本工作中,选择采用磁控溅射的方法制备了以MoZnO为有源层的薄膜晶体管(TFT).在实验过程中控制其他制备条件不变,制备了ZnO TFT和Mo的溅射功率分别为3 W,6 W,9 W的MoZnO TFTs,并分析了影响其电学参数变化的机理,此外还进行了多个光周期下的动态响应测试.结果显示在Mo的溅射功率为3 W时,其场效应迁移率(μ_(sat))达到了2.78cm^(2)/Vs,电流开关比(I_(on)/I_(off))达到107,亚阈值摆幅(SS)大约为1.5 V/decade.此外在365 nm的光照条件下也表现出良好的响应特性,其光响应度(R)高达32.09 A/W.综上所述,这种MoZnO TFT有潜力应用于光电探测领域.