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岳廷峰; 高晓红; 刘建文; 付钰; 孟冰;
吉林建筑大学电气与计算机学院 长春130118;
MgZnO薄膜晶体管; 溅射功率; Mg掺杂量;
机译:溅射功率对Bi15Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘体ZnO薄膜晶体管性能的影响
机译:共溅射功率对用作薄膜晶体管沟道层的掺硅氧化锌性能的影响
机译:溅射功率和O_2 / Ar流量比对Hf-In-Zn-0薄膜晶体管在光照下性能和稳定性的影响
机译:RF溅射功率密度和热退火温度对掺杂氧化锌薄膜薄膜晶体管性能的影响
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:建筑集成光伏逆变器用玻璃上的MgZnO高压薄膜晶体管
机译:用于薄膜晶体管的原子层沉积MgZnO的成分调整
机译:用于开发高性能纳米晶氧化锌薄膜晶体管的减法等离子体辅助蚀刻工艺。
机译:具有ZNO / MGZNO有源结构的薄膜晶体管
机译:薄膜晶体管具有氧化物半导体层和阵列基质,包括相同的能力,因为其寄生电容以及垂直晶体管的性能,它可以限制垂直交叉讲义和故障,并且薄膜晶体管的性能和图像质量都得到改善
机译:薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置,能够防止薄膜晶体管的分布和电气性能的恶化。
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