将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备

摘要

一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。