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等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷

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用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH<,4>)作硅源,磷烷(PH<,3>)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长Si纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|513-516|共4页
会议地点大连
作者
曾湘波; 廖显伯; 郝会颖; 王博; 戴松涛; 刁宏伟; 向贤碧; 孔光临;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
硅纳米线; 化学汽相沉积; 纳米器件;
入库时间 2022-08-17 11:03:26

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