光电特性

摘要： 二维半导体材料是一类新兴的新材料,具有广泛的电学性能和潜在的应用价值。本文以S和MoO3粉末为原料,利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD),在SiO2/Si片上制备了高质量、大面积的单层MoS2单晶样品。利用XRD、OM、EDS、TEM、AFM及半导体光电特性分析设备,对不同制备样品的表面形貌、晶体结构、组成成份、样品厚度及光电特性进行了测试分析。结果发现,制备的三角形的单层及少层MoS2单晶主要呈现六角晶系结构,且边界清晰,表面光滑,有较好的透光性,最大尺度可达250 μm,MoS2单晶生长中的硫化反应过程符合VLS生长机制。在不同生长条件中,反应物中的S/MoO3的质量比和反应温度是影响单层MoS2单晶样品生长类型的主要影响因素。分析发现,制备单层MoS2单晶的最佳S/MoO3质量比为1000/30,而最佳沉积温度为900°C。测试发现,由单层MoS2单晶样品制备的光电器件具有很高的光电灵敏度和较好的光电响应特性。

摘要： 为了获取化合物半导体材料光电特性,对其进行测试分析。制备化合物半导体材料,将其作为实验对象,利用X射线衍射仪和光度计对不同反应时间、不同照射条件等多种实验条件下的材料光学性能和电学性能进行探究。实验得出,在不同持续时间条件下,化合物半导体材料的吸收值存在较大差异;随着电压的增加,三种照射条件下的化合物半导体材料电流均呈现出逐渐增加的趋势,并且增加幅度基本相同。在化合物半导体材料实际应用中,通过其光学与电学特性的协同作用,可达到提升光电转换效率的目的。

摘要： 近年来钙钛矿材料成为太阳能电池领域的新星,其具有光电转化效率优异、光吸收能力强、量子效率高、载流子迁移率高以及发射波长可进行调节等优点,非常适合作为激光增益介质,可用于钙钛矿发光二极管、光电探测器、燃料电池等。近年来,第一性原理应用于钙钛矿的研究取得了许多成果。然而,钙钛矿材料也有缺陷,比如用于构建钙钛矿的元素大多为铅、砷、镓、碲、镉等有害金属元素。虽然目前已经有人试图用锡代替铅作为太阳能电池,但是效率仅为6%。如何用无害的元素构建钙钛矿,并提高其效率,是一个重大难题,因此研究者们通过掺杂、空位处理等方式对各类型的钙钛矿进行改良,以增加效率、提高品质等。研究人员还发现无空穴传输材料钙钛矿太阳能电池结构简单,制备步骤更加简化,性价比更高,是新型钙钛矿太阳能电池研究的重要方向。本文综述了近年来第一性原理在各类型钙钛矿材料研究方面的应用,主要包括各类型钙钛矿的结构与性质的计算研究,分析和总结了较前沿的研究方法和研究成果,详细介绍了各研究者对不同类型的钙钛矿进行的掺杂处理(可改良其性能),分析了改良过程,讨论了取得的新型成果并总结了研究特点,以期为今后的钙钛矿分析提供多种思路。

摘要： 当前聚合物稳定液晶器件的光电响应特性尚未完全满足智能窗的实用需求。材料的自身特性是决定液晶器件性能的关键,因此本文重点研究了负性液晶材料的介电各向异性和双折射率两项核心参数对聚合物稳定液晶器件光电响应特性的影响趋势,并给出对应的最佳参数。本文采用实验和仿真相结合的研究方法,首先选用具有不同参数的负性液晶材料制备聚合物稳定液晶器件,研究分析介电各向异性对器件光电性能的影响。然后通过仿真模拟,研究负性液晶材料的双折射率对器件光电效应的影响。最后通过实验和仿真结果的综合分析得出最佳负性液晶参数。研究结果表明,介电各向异性越大,液晶分子越容易被电场驱动,液晶器件的光电性能也就越好。在固定聚合物稳定网络双折射率的情况下,当负性液晶的双折射参数为ne=1.49、no=1.593时,可达到最优雾度。这一研究结果可为聚合物稳定液晶器件性能的优化及产业化的发展提供理论指导。

摘要： 近十年,有机无机杂化钙钛矿凭借其新颖优异的光电特性而引起广泛关注。最近,手性钙钛矿由于结合了钙钛矿材料和手性材料各自独特性能,在三维显示、光学信息处理、量子光学、生物探测、自旋电子等方面具有重要应用价值。根据有机、无机组分的空间分布,可以对手性钙钛矿的结构维度进行分类。本文以手性钙钛矿的不同结构维度为出发点,分别阐述了一维、二维和三维手性钙钛矿的晶体结构、光学和光电特性,包括圆二色性、圆偏振光致发光和光电探测等特性。考虑到二维手性钙钛矿具有独特的范德华层状晶体结构,重点介绍了其与其它二维材料组合成二维异质结构方面的工作。最后,分别从材料制备和器件应用的角度,总结了手性钙钛矿的重点挑战问题和未来发展方向。

摘要： 本文利用低温光致发光谱(PL)研究了Fe掺杂GaN晶体非极性a面{1120}、m面{1100}的带边峰和Fe^(3+)相关峰(^(4)T_(1)(G)-^(6)A_(1)(S))的偏振发光特性。结果表明:a面与m面光学各向异性差别较小,线偏振光的电矢量E平行于c轴[0001]时(E∥c),GaN带边峰强度最小,而Fe^(3+)零声子峰(1.299 eV)强度最强。带边峰线偏振度小,而Fe^(3+)零声子峰线偏振度大,a面带边峰的线偏振度为26%,Fe^(3+)零声子峰的偏振度在a面和m面分别达到55%和58%。在5 K低温下,进一步测量了Fe^(3+)精细峰和声子伴线的偏振特性,结果表明,除了一个微弱的峰外,其他精细峰和声子伴线与Fe^(3+)零声子峰偏振特性一致。本研究有助于拓展Fe掺杂GaN晶体材料在新型偏振光电器件领域的应用。

摘要： 利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备α-Hf薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及霍尔仪等仪器进行测试分析,表征了薄膜的物相结构、表面形貌、光学性能及电学性能。实验结果表明:制备的α-Hf薄膜是具有(002)晶面择优取向的六方结构。其结晶质量、晶粒尺寸、光反射率、电阻率等都与溅射功率密切相关。当溅射功率为50W时,α-Hf薄膜结构的致密性和表面平整性都有所提高,导电性更加优异。100W薄膜样品光反射率更大,这与薄膜表面结构相关。

摘要： 针对传统Micro-LED芯片巨量转移与键合、发光芯片与驱动电极高质量接触等技术难题,本文采用金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积工艺制备无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件,研究了器件的伏安特性、亮度-频率特性、发光延迟特性及阻抗-频率特性等光电特性,并分析了器件工作机理。实验结果表明,交流驱动的无电学接触型Micro-LED器件的电流随着频率的增大而增大,且I-V特性呈线性关系。在20V_(pp)的驱动信号下,器件亮度随频率的增大先上升后下降,在频率为25 MHz时,器件亮度达到最大,且发光峰值滞后于电流峰值,说明器件的发光存在延迟。器件的等效阻抗随着频率的增大呈现先减小后趋于稳定的趋势,且器件在频率53 MHz附近出现负电容现象。

摘要： 探索LaAlO3/SrTiO3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时,LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.

摘要： 采用热蒸发法在硅片上沉积了不同微结构的硒化钨(WSe2)薄膜,研究了薄膜的晶体结构和光电特性。发现WSe2薄膜在(004)晶面择优生长,表面呈现垂直柱状纳米线。同时,WSe2薄膜在406 nm处出现较强的蓝光发射,这是由于量子尺寸效应导致的WSe2导带与价带形成的分离能级产生的短波长发射,使其可用于制备蓝光发光器件。另外,发现该WSe2薄膜对光照和温度非常敏感。随温度升高薄膜的电阻率显著减小,使其可用于制备温度传感器;随光照射强度增加由0增加到25 mW·cm^(-2),WSe2薄膜的I-V曲线由整流特性逐步变成线性;相同偏压下光电流几乎增加了3倍,表现出较很高的灵敏度,使其在敏感光电探测器中有良好的应用前景。

摘要： 本文介绍了p型窗口层起在a-Si:H薄膜太阳电池着至关重要的作用，因为p层作为太阳电池窗口层，通常具有较宽的光学带隙、高电导，所以p层是提高太阳电池性能的关键。制备了P型氢化硅氧薄膜，研究了CO流量对薄膜沉积速率、微结构和光电特性的影响，结果显示随着CO流量的增加，薄膜由纳米晶向非晶硅过渡，当薄膜材料由微晶向非晶态过渡，晶化率约为45%，SiO:H薄膜的光学带隙EO4=2.41eV，暗电导大约为1.5×10-2S/cm.

摘要： 本论文的实验目的在于利用量子点(QDs)材料作为LED的发光层，首先是先合出无机的钙钛矿CsPbBr3量子点溶液，分析及探讨其光电特性，再利用纯化的技术，将CsPbBr3量子点溶液能顺利的涂布在ITO基板之上，实际上QDs的表面涂布状态是影响QLEDs特性及其是否会发亮的重要因素之一，表面配体对QLEDs有双重的作用效果，一方面需要大量的配体以提供足够的表面钝化，这可以消除表面缺陷，进而提高量子产率和量子点溶液的稳定性，另一方面，过量的配体将形成绝缘因为在合成CsPbX3量子点中所使用的油酸具有非常差的电导率，因此过量的油酸对于QLEDs内部的电荷注入是有负面的影响，本论文将对于有纯化与未纯化上，进行材料及元件的特性分析。

摘要： 石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料.采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550°C的反应温度下,较短的反应时间内,在铜箔衬底上制备出石墨烯薄膜.考察了甲烷和氢气流量比、氩气的作用以及衬底通电与否等因素对石墨烯生长的影响.研究发现,在甲烷与氢气流量比为1∶1,通入氩气,不给铜箔衬底通电的试验条件下,制备出的石墨烯薄膜电阻值为4.15kΩ,显示出较好的光电特性.

摘要： 综述了锑化物窄带隙半导体材料的基本特性.介绍了围绕锑化物超晶格、量子阱、纳米线、量子点等系列低维结构的分子束外延生长技术、光电特性表征、发光和探测以及HEMT等光电器件制备的最新成果,主要包括:实现了锑化物InAs/GaSb超晶格1-20微米宽谱范围的高探测效率红外探测器、单色双色及三色焦平面阵列成像器件,锑化物InGaAsSb量子阱2-3微米短波红外FP大功率及DFB窄线宽激光器,InAs/AlSb电子和空穴高迁移率HEMT器件,0.8-1.5微米近红外波段GaAs纳米线InAs量子点耦合结构的单光子及纠缠光子对发射的量子光源器件,近红外雪崩倍增APD器件等.基于上述研究成果并综合对比国外发展现状,评估了以分子束外延为核心技术环节的锑化物半导体材料器件的产业化前景,提出了从外延材料、到光电器件全链条自主制造面临的问题和建议.

摘要： 包含有纳米硅颗粒的富硅碳化硅(nc-Si/SiCx)薄膜由于其带隙可调等诸多特性,在硅基光电器件中有着很好的应用前景.已有报道指出,由于硼掺杂的nc-Si/SiCx材料具有较宽的带隙(～2.2eV)和较高的电导率(～10-3S/cm),可以将其作为n-i-p结构非晶硅太阳能电池的窗口层,提高了电池的开路电压和短波长波段的外量子效率1，在本文工作中，制备了掺硼的非晶富硅碳化硅薄膜，并通过900°C高温退火形成了硼掺杂的nc-Six/SiC。薄膜，研究了不同的组分比和掺杂浓度对材料光电性质的影响。在高温退火以后，样品的带隙从~1.8eV提高到了~2.3eV，这可以归因于退火后样品中Si-C键以及Si-0键浓度的大幅提高。而掺杂硼原子浓度的改变对带隙的影响较小。由于nc-Si的形成和硼原子的激活，退火后样品的暗电导率有8个数量级的提高，最高达到了91S/cm。随着薄膜中碳含量的增加，退火后样品的霍尔迁移率、载流子浓度以及暗电导率都呈下降趋势。

摘要： 介绍了钙钛矿电池的技术现状与挑战，无铅/少铅钙钛矿电池的发展，无铅/少铅钙钛矿材料及高效率太阳电池，无铅/少铅钙钛矿电池的稳定性钙钛矿太阳电池的发展与挑战优点:良好的光电特性低成本柔性待解决的问题:稳定性大面积铅毒性。

摘要： 本文首先分析了硅基石墨烯等离子体背景，指出硅基(石墨烯、金属）光栅结构等离子体波导器件，以及其他相关等离子体波导及超材料工作。研究所得：石墨烯等离子结构模型工作原理，硅基石墨烯等离子体布拉格光栅结构，硅基石墨烯法布里-佩罗腔光谱仪，多缺陷硅基石墨烯布拉格光栅结构，硅基石墨烯、金属光栅等离子器件，硅基石墨烯平层结构等离子器件，其他等离子体波导光电器件及三维结构器件加工。

摘要： 温室LED补光作为设施园艺半导体照明的重要组分,充分发挥了LED光源的光电特性,展示了广阔的应用前景.本文综述了温室光环境调控方式、LED补光技术类型、技术原则和技术发展方向.LED照明系统装备的核心组件是LED光源及LED灯，作为设施园艺半导体照明的执行机构，其性能与安全是决定实施高效半导体照明效率高低的关键因素。具有智能调控光环境的照明系统是温室LED补光的基本要求，要基于植物光环境时空需求动态提供适宜的人工光以弥补太阳光照的不足；同时，具有智能调控光环境的照明系统适用于多种设施园艺生产的需求，做到通用性配置与专门性需求有机结合，通过软件设置实现多环境因子连续协同变化，形成不同光环境组态。

摘要： 本文研究了GaN基蓝光激光器的退化机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增加下降、阈值增加、斜率效率下降;通过微区光致发光谱(PL)测量,发现老化后激光器有源区发光减弱;利用变温PL技术研究发现导致激光器有源区退化的主要原因是点缺陷的增加.初步研究结果表明,与有源区点缺陷相关的非辐射复合增强是目前激光器退化的主要原因.

摘要： 本文成功制备了平面型半透明钙钛矿／硅异质结四端叠层太阳电池，研究了超薄金电极的光电特性及其对四端叠层太阳电池性能的影响；结果表明薄金在300-1200nm范围内比厚金具有较好的透过。尽管ITO显示出最好的透过特性，但它必须经过高温沉积才可以保证较好的电学性能和透过特性。然而，钙钛矿材料在高温条件下易发生分解，因此ITO不适合应用在钙钛矿太阳电池中。

摘要： 本发明属于光电倍增管技术领域，公开一种具有快速上升时间特性的光电倍增管异型阳极及光电倍增管，包括陶瓷底板以及锥形金属阳极。所述陶瓷底板作为支撑，在其顶部表面设置有供锥形金属阳极插入凹槽，并且多个凹槽呈周期性排列；所述锥形金属阳极为顶面矩形、底端圆形的过渡渐变结构，插入到所述凹槽内，并且其底部延伸超出陶瓷底板的底面；所述锥形金属阳极的过渡渐变部分的表面附有金属薄膜涂层；所述陶瓷底板与锥形金属阳极的过渡渐变部分的接触区域金属化封接。本发明光电倍增管异型阳极的采用可改善光电倍增管的上升时间性能，具有良好的阳极均匀性。

摘要： 本发明属于光电倍增管技术领域，公开一种具有快速上升时间特性的光电倍增管异型阳极及光电倍增管，包括陶瓷底板以及锥形金属阳极。所述陶瓷底板作为支撑，在其顶部表面设置有供锥形金属阳极插入凹槽，并且多个凹槽呈周期性排列；所述锥形金属阳极为顶面矩形、底端圆形的过渡渐变结构，插入到所述凹槽内，并且其底部延伸超出陶瓷底板的底面；所述锥形金属阳极的过渡渐变部分的表面附有金属薄膜涂层；所述陶瓷底板与锥形金属阳极的过渡渐变部分的接触区域金属化封接。本发明光电倍增管异型阳极的采用可改善光电倍增管的上升时间性能，具有良好的阳极均匀性。

摘要： 本发明公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，其结构包括仪器仪表、把柄、操作板，操作板固定于仪器仪表的左侧位置，仪器仪表的底部与把柄的顶部相连接，通过仪器仪表被人工向下摆动时产生的甩力，能够使活动珠沿着导轨进行上下滚动，从而使活动珠能够对导轨的内壁产生撞击振动，再通过导轨能够将振动传递至透光片上，故而使透光片表面纸粉末能够受振动脱落，通过仪器仪表的前端朝下对瓦楞纸箱上的二维码或条形码进行扫描时，能够使滑动框根据自身的重力沿着镜头向下滑动，从而使滑动框能够撞击透光片的内侧，从而能够使透光片外侧与滑动框相对的位置的纸粉末脱落。

摘要： 本发明公开了一种用于全面辅助识别光电特性的自动化光电仪器仪表，涉及仪器仪表技术领域，解决了目前使用的仪表固定方式较少，不便于灵活使用，不具备稳定的组合式安装结构的问题。一种用于全面辅助识别光电特性的自动化光电仪器仪表，包括表身，所述表身的后侧底部设置为凹陷结构；表身的右侧固定设置有把手，把手为倾斜设置，表身的后侧固定设置有插夹；蓄电池，所述蓄电池固定设置在表身的后侧底部；通过设置有定位装置，为仪表提供了便捷的组件定位功能，将测量组件拉开，按压两组手捏板，手捏板配合导向条将齿条夹向两侧撑开，然后将齿条夹夹设在组件两端电极处，装配方便便于拆卸，且安装稳定，能够避免出现通脱等现象，有利于测量。

摘要： 本发明公开了一种光电传感器光电特性差异的校准方法，其特征在于，包括步骤：S1，在特定校准环境及照射环境一致的情况下，分别调整输入至批量传感器中每个光电传感器输入端的PWM驱动信号的占空比，使每个光电传感器输出的电信号数值都一致；S2，分别对应存储每个光电传感器输出的信号数值一致时的PWM驱动数值；S3，驱动并使用每个光电传感器时，调用存储的每个光电传感器的PWM驱动数值，在该PWM驱动数值的驱动下驱动该光电传感器。本方法可以消除或减少光电传感器光电特性差异，提高传感器的检测精度和检测一致性。

摘要： 本实用新型涉及仪器仪表技术领域，且公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，包括仪器本体以及设置在仪器本体上的控制面板，所述仪器本体的左右两侧均固定设有转轴，两个所述转轴的另一端均通过第一滚动轴承转动连接有圆板，两个所述圆板的圆周壁下侧均对称固定设有两个呈“八字形”设置的支撑杆，四个所述支撑杆的下端共同固定设有底板，所述底板的上表面前侧设有用于调节仪器本体角度的调节机构。本实用新型方便工作人员调节仪器本体的倾斜角度，从而便于工作人员观察数据。

摘要： 本实用新型公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，包括仪器本身和显示屏，所述仪器本身的下端设有USB接口，且仪器本身的一侧设有便捷式卡扣，所述显示屏的上方设有报警灯，且显示屏的下方设有开关按钮，所述电源模块的一次设有散热器，所述储存模块的一侧设有电磁波吸收器。本实用新型所述的一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，设有便捷式卡扣、报警灯、电磁波吸收器和散热器，能够使工作人员的携带较为方便，增加仪器的实用功能，并能在光电识别过程中及时提醒工作人员，且能吸收仪器发出的电磁波，减少电磁波对人们的伤害，同时具有很好的散热效果，延长仪器的使用寿命，适用不同工作状况，带来更好的使用前景。

摘要： 本实用新型公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，其结构包括识别接收器一、识别接收器二、光电发生器、识别备用接头、识别传输接头二、识别传输接头一、显示仪器仪表、光电发生接头、识别接头、控制面板、蓄电池、垫座，蓄电池底端锁接有垫座，顶端锁接有显示仪器仪表，与显示仪器仪表电连接，显示仪器仪表前端锁接有控制面板，顶端左后侧锁接有光电发生接头，顶端右后侧一字排列锁接有3个识别接头，本实用新型的有益效果：本设备通过在仪器仪表底部设有蓄电池为仪器仪表进行供电使用，使仪器仪表能够进行充电使用，免于电源接入点困扰，且蓄电池电压稳定，使设备还能够免于电源电压的波动干扰，降低误差。

摘要： 本实用新型公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，其结构包括底座、壳体、检测仪、提示灯、面板、操作板、调节转钮、数值显示屏，所述底座与壳体固定连接，所述检测仪与壳体固定连接，所述提示灯与面板连接，所述操作板与面板连接，所述调节转钮与数值显示屏连接，本实用新型一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，其结构设有操作板，在使用是可以简单，方便的运行，准确度高。

摘要： 本实用新型公开了一种用于全面识别光电特性的自动化光电仪器仪表，包括基准部件、光功率计、光谱仪，所述基准部件末端设置有光功率计；所述光功率计通过光谱仪配合着光波长计；所述光波长计安装在感受转换器末端；所述感受转换器通过光功率计连接着速光电示波器；所述速光电示波器与光网络分析仪固定着；所述光网络分析仪上设置有转换放大部件；所述转换放大部件通过光波长计连接着光波元件分析仪；所述光波元件分析仪通过光谱仪连接着机械结构部件。本实用新型智能化程度高，精度高，可靠性高，可以有效的对光电特性进行识别，可以大幅提高自动化程度及使用效率，适合相关企业运用推广。