光电性能

摘要： 采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究TiCl_(4)气体分子填充扶手椅型碳纳米管的吸附性能与光电性质,结果表明:扶手椅型碳纳米管对TiCl_(4)气体分子具有较强的物理吸附作用,研究构型的吸附能绝对值均超过0.9 eV,是TiCl_(4)气体分子理想的填充载体,随碳纳米管管径的增大,吸附能先增大后减小;温度升高不利于TiCl_(4)气体分子吸附,气体逸度增加有利于吸附,TiCl_(4)气体分子填充扶手椅型碳纳米管宜将温度维持在TiCl_(4)沸点附近,并增加气体的压力;TiCl_(4)的吸附对碳纳米管的电子结构进行了调控,使费米能级附近的态密度显著提高,使复合物的导电性增强,对赝能隙的大小没有明显影响,峰位仍由碳纳米管自身决定;TiCl_(4)的吸附对体系的光学参数影响有限,在增强复合物导电性的同时未使可见光区域吸收率、反射率、损失函数数值增大,可有效提升透明导电薄膜的性能。

摘要： 近年来,基于层状材料的光电探测器由于其独特的光电性能和巨大的应用潜力而备受关注。本文通过机械剥离单晶的方法获得了ZrSe;纳米带,并对其光电性能进行了研究。实验发现,ZrSe;纳米带在405 nm和980 nm波长下具有良好的光电响应。在偏置电压为5 V时,405 nm激光照射下的响应时间低于0.03 s,而980 nm激光照射下的响应时间也可以达到0.45s。结果表明,基于ZrSe;纳米带的光电探测器在可见光到近红外光范围内具有一定的应用潜力。

摘要： 根据实验上合成LiNbO_(3)(LN)构型的ZnTiO_(3)铁电化合物,基于第一性原理的方法设计研究了化合物LN-ZnTiS_(3)(LN构型)的特性。计算结果表明LN-ZnTiS_(3)化合物满足力学稳定条件。根据化学势平衡相图分析,LN-ZnTiS_(3)在常压下不会形成稳定结构,但施加外部压力可以形成稳定结构。电子态密度和带隙的计算结果表明,LN-ZnTiS_(3)的价带顶(VBM)主要由S-p轨道组成,导带底(CBM)则由Ti-d轨道组成,硫原子的替代可以促进体系费米能级以上的电子状态大幅度下降到较低的能级,从而减小LN-ZnTiS_(3)的带隙。LN-ZnTiS_(3)的带隙计算值为1.04 eV,可以促进可见光的吸收,可以看出LN-ZnTiS_(3)是一种潜在的高效率光伏材料。

摘要： 本文采用高纯度In_(2)Ga_(2)ZnO_(7)陶瓷靶材通过射频磁控溅射技术沉积铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜。研究了IGZO薄膜的微观结构、生长状态、光学和电学性能。结果表明,在室温下制备的IGZO薄膜表面均匀且光滑。随着衬底温度的升高,薄膜的表面粗糙度逐渐增大。从室温升至300°C,所有制备的IGZO薄膜均是非晶态的,并具有良好的热稳定性。此外,可见光区域的透过率从91.93%下降到91.08%,光学带隙略有下降(3.79~3.76 eV)。通过原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同温度下制备的IGZO薄膜的表征,可知在室温下制备的薄膜的表面粗糙度最小,并且氧空位含量最高。随着温度的升高,不均匀的颗粒分布,表面粗糙度的增加,以及氧空位的减少导致了α-IGZO薄膜的性能降低。综合分析可知,在室温下沉积的IGZO薄膜可以获得最佳的光学和电学性能,同时也预示了其在柔性衬底上的应用潜力。

摘要： 通过溶胶凝胶法研究不同预热温度(140°C、170°C、200°C、230°C)对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能及其太阳电池转化效率的影响,利用XRD、Raman、SEM、UV、光电化学测试对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜结构与光电性能进行表征,并对制备的薄膜器件进行I-V特性曲线表征。由XRD衍射和Raman散射测试表明,硒化后的样品均掺入了Se原子。预热温度为200°C时,Sb_(2)(S,Se)_(3)的(120)、(130)、(230)衍射峰相对强度最大,表明晶体结晶质量提升的同时,具有一定取向。SEM表征发现,Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的形貌以及薄膜表面平整度与前驱体的预热温度密切相关;合适的衬底预热温度(200°C)可以快速将有机溶剂分解挥发,使Sb_(2)S3前驱体薄膜迅速沉积在衬底表面。200°C时Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜光电性能最好,暗电流相对最平稳,此时带隙值为1.37 eV,制备出的太阳电池效率为0.386%。

摘要： 采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分(0~0.07~0.16)、三角形渐变组分(0~0.16~0)、左阶梯渐变组分(0.16~0.07~0)。结果表明,与传统均匀组分EBL结构相比,Al组分阶梯渐变Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N EBL LD导带底的电子势垒显著提高,价带顶的空穴势垒降低。这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率,从而提高有源区载流子浓度,进而提高有源区辐射复合效率。当注入电流为0.48 A时,采用Al组分阶梯渐变Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N EBL结构能将器件开启电压从5.1 V降至4.9 V,光学损耗从3.4 cm^(-1)降至3.29 cm^(-1),从而使光输出功率从335 mW提高至352 mW,电光转换效率从12.5%提高至13.4%。此外,讨论了Al组分阶梯渐变EBL结构对GaN基蓝光LD光电性能的影响机制。该结构设计将为外延生长高功率GaN基LD提供实验数据和理论支撑。

摘要： 先进光电材料的开发对于电子元件与材料相关产业的升级具有重要意义。通过磁控溅射法合成了由Mg-Al-Ga∶ZnO层和金属Cu层组成的“三明治”式复合结构的薄膜材料。对合成的光电材料进行了系统表征,结果表明该薄膜材料具有晶粒分布均匀、表面结构平整致密等特点。同时研究了金属Cu层厚度对复合薄膜性能的影响,并对其光学透过率以及电学性能进行了讨论。结果表明Cu层临界厚度约为11 nm,其对应的电阻率和在可见光范围内的平均透过率分别可以达到1.4×10^(-4)Ω·cm和86%。说明Mg-Al-Ga∶ZnO层复合材料具有较好的光电性能,该材料的制备对于新型先进光电材料的设计与优化具有一定的借鉴意义。

摘要： 采用溶剂热法制备多级结构钛酸铋(Bi_(4)Ti_(3)O_(12))纳米材料,该材料由纳米片堆叠成层状,再自组装成5μm微米球状结构。表征该Bi_(4)Ti_(3)O_(12)纳米结构的光电性能,并与纳米片空心球结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)的光电性能进行对比。结果表明,该多级结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)的光电性能较纳米片空心球结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)提高了10倍。紫外-可见光吸收谱表明多级结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)的禁带宽度小于纳米片空心球结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)。多级结构Bi_(4)Ti_(3)O_(12)材料中纳米片暴露的晶面是影响材料光电性能的重要因素。

摘要： 采用简单的溶胶-凝胶法制备出高质量的(Ag,Cu)_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(ACZTSSe)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究了ACZTSSe薄膜的物理化学性质.实验结果表明,在Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)吸收层中掺杂Ag后薄膜可以获得较高的迁移率和光电转换效率(PCE).与CZTSSe太阳能电池相比,观察到8%-(Ag,Cu)_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(8%-ACZTSSe)太阳能电池的开路电压(V_(oc))增加了100 mV,PCE也从2.31%增加到4.33%.因此,在CZTSSe层掺杂Ag不仅是一种可以获得具有较高的V_(oc)和PCE的CZTSSe基太阳能电池的方法,还是一种可以促进晶粒的生长、提高薄膜质量的途径.

摘要： 本实验分别采用射频磁控溅射法和电子束蒸发法在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜样品,并对样品的外观形貌、微观形貌及结构、光电性能进行测试和表征。测试结果表明,磁控溅射制备的薄膜呈透明状,薄膜平整致密,晶粒比较大,缺陷浓度比较少,薄膜中晶粒沿ZnO(002)晶面择优取向生长,薄膜可见光区透过率达88.74%,但薄膜导电性能比较弱,且薄膜生长速率也比较小。而电子束蒸发制备的ZnO薄膜呈棕黄色,薄膜晶粒比较小,缺陷浓度比较大,薄膜中晶粒沿ZnO(102)晶面择优取向生长,薄膜在可见光区的透过率只有29.16%,但薄膜导电性能和生长速率大大超过磁控溅射的薄膜样品。另外,磁控溅射的薄膜样品纯度比较高,而电子束蒸发制备的样品中容易混入坩埚成分的杂质。

摘要： 染料敏化太阳能电池因其制作工艺简单,成本低,且环境友好,受到了研究者们的广泛关注.本文设计合成了6种含有茚并噻吩单元的有机染料和卟啉染料,并对染料的光物理、电化学以及光电性能进行了研究.

摘要： 本文采用电子束蒸发法在钠钙玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜,研究了衬底温度对铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,铜铟镓硒薄膜中出现MoSe2相和Cu2_xSe相,当衬底温度为300°C时,制备的铜铟镓硒薄膜获得最好的结晶质量,制作的铜铟镓硒太阳电池获得7.1％的最高转换效率.通过建立禁带宽度与开路电压的关系模型,解释了不同衬底温度下制备的铜铟镓硒太阳电池的开路电压的差异.

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 太阳能是取之不尽、用之不竭的清洁能源.半导体材料是实现太阳能转换和存储等重要应用的关键.杂化半导体材料由于综合了很多有机和无机半导体的优点而受到广泛的重视,但是目前涉及杂化半导体材料大多为介观层次上的结合,很难形成双延展结构,并存在接触界面较小等问题,往往不利于光生电荷产生、分离和传输.假如杂化半导体材料的无机和有机的组分均具有半导体性能，那么该杂化半导体材料将会是一种分子水平上的异质结，将更加有利于光致电荷分离。这里将向大家简要地介绍我们课题组近两年利用超分子工程策略设计合成得到的一些具有独特的光电性能的双半导体组元杂化材料。

摘要： 环肽纳米管因其具有特殊空间结构和奇特的电子和光学性质,在化学、生物学、材料学和医学等领域有诸多潜在而广泛的应用价值.而连接功能侧臂的环肽,不仅没有普通环肽易聚集成束的弊端,而且可通过侧臂芳环体系的π-π共轭及环肽骨架上的氢键相互作用自组装形成具有良好光电性能的环肽纳米管.本文以（1R,3S）-γ-氨基环戊基甲酸（γ-Acp）、L-苯丙氨酸和L-赖氨酸为原料，采用液相的Boc-策略，运用逐一连接法合成了α、γ氨基酸交替的环六肽，再通过赖氨酸连接侧臂，合成了含功能侧臂酞菁的环六肽，其性质正在研究中。

摘要： 光动力学治疗(PDT)是一类极具应用前景的肿瘤治疗手段,其治疗效率与治疗效果依赖于光敏剂的性能.传统光动力学治疗的光敏剂的作用原理是将组织内的氧气激发为具有极强活性的单线态氧,进而杀死细胞.然而,相比于正常组织,肿瘤组织内部通常为较为缺氧环境,严重限制了光敏剂产生ROS的效率.为此,基于半导体复合材料优良的光电性能,设计合成了一种顶端沉积有金纳米粒子的硫化镉/硒化镉纳米组装体(HNCs),在可见光照射下能够发生电子与空穴的分离,电子被进一步捕获在金纳米粒子中,从而为水直接光解生成具有治疗作用的ROS(羟基自由基)提供了氧化还原位点.这种非氧气依赖的纳米组装体,能够克服缺氧环境导致的PDT抑制,从而增强治疗效果，通过设计和合成一种一端金沉积的CdS/CdSe纳米组装体HNCs作为氧气非依赖型的光动力学治疗光敏剂，用于对缺氧的肿瘤组织的治疗中。这种沉积有金属结构的不对称结构有利于电子空穴的分离，进一步直接对水进行光解而产生ROS进行治疗，证明了这一设计材料良好的肿瘤抑制能力与生物相容性，为未来光动力学治疗光敏剂的发展提供了参考与借鉴。

摘要： 通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响.X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400°C和5∶100(O2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(＜80Ω/口)和较高的平均透过率(＞80％).

摘要： 近年来,大功率LED包括集成封装的LED光源已经逐渐成为半导体照明产品应用的主流.然而,其工作中温度升高导致的光电性能变化甚至对寿命的影响非常显著,这也成为横亘在中游封装厂家与其用户下游终端产品制造商之间的"鸿沟",封装厂所标称的常温光色电参数很难直接被下游厂商直接应用,而高低温间的转换系数往往不可控,因此用标准化的方法获得大功率LED在高温下的光色电参数十分必要.本文基于北美标准和CIE技术报告,介绍在高结温下测量大功率LED光色电参数的方法,分析了测量关键技术,并通过实际测量,列举了一些典型LED产品的光电-温度特性,供大家参考.

摘要： 近年来,拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料体系,受到越来越多的关注.拓扑绝缘体,如Bi2Te3、Bi2Se3等因其具有时间反演对称所保护的、非平凡的、自旋与动量耦合的表面态,而具备许多其他材料不具备的特殊性质.理论研究证明,拓扑绝缘体的狄拉克锥形的表面态可以具有很强的光吸收,并且表面吸收取决于精细结构常数,与入射光子能量无关.本工作报告了GaN衬底上分子束外延生长的高性能Bi2Te3光电导探测器。室温下，测试了不同厚度的GaN基Bi2Te3器件在1550 nm 的光电响应，计算了其响应率,比脉冲激光沉积生长的探测器高1-2 个量级4。

摘要： 近年来,拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料体系,受到越来越多的关注.拓扑绝缘体,如Bi2Te3、Bi2Se3等因其具有时间反演对称所保护的、非平凡的、自旋与动量耦合的表面态,而具备许多其他材料不具备的特殊性质.理论研究证明,拓扑绝缘体的狄拉克锥形的表面态可以具有很强的光吸收,并且表面吸收取决于精细结构常数,与入射光子能量无关.本工作报告了GaN衬底上分子束外延生长的高性能Bi2Te3光电导探测器。室温下，测试了不同厚度的GaN基Bi2Te3器件在1550 nm 的光电响应，计算了其响应率,比脉冲激光沉积生长的探测器高1-2 个量级4。

摘要： 本发明公开了一种有机光电材料的抗压性能和抗拉性能测试方法，通过电缸本体给有机光电材料施加压力和利用拉力机对有机光电材料施加拉力，配合激光扫描仪和控制台从而可以有效的对有机光电材料的抗拉性能进行测试，同时利用测试装置对有机光电材料处在不同压力或者拉力的情况下的工作效率或者工作性能进行对比分析，利用加热管对有机光电材料加热不同的温度，从而对在不同的温度条件下有机光电材料的抗拉性能进行测试，该发明结构设计简单合理，操作方便，测试效果好，精确度高，安全稳定，测试周期短，适用范围广，有利于推广和普及。

摘要： 本发明公开了一种电化学性能检测系统，包括工作站和液体传输部件；工作站包括电化学池，电化学池上设置有弹性元件、第一通孔和第二通孔；弹性元件的伸缩方向与第一通孔的开口方向一致；第一通孔上设置有密封圈；第二通孔通过液体输送管道与液体传输部件连接，使得液体能够从第二通孔流入和/或流出电化学池。本发明还公开了一种光电化学性能检测系统，其包括上述电化学性能检测系统和光源部件；光源部件包括光束传导元件；光束传导元件被设置为伸入电化学池，并使得其所传导的光束通过第一通孔照射在样品上。本发明所涉及的检测系统大大解放人力，使用自动化的手段取代人工，极大地避免了人工操作引起的失误，更加可靠和稳定。

摘要： 本发明公开了一种电化学性能检测系统，包括工作站和液体传输部件；工作站包括电化学池，电化学池上设置有弹性元件、第一通孔和第二通孔；弹性元件的伸缩方向与第一通孔的开口方向一致；第一通孔上设置有密封圈；第二通孔通过液体输送管道与液体传输部件连接，使得液体能够从第二通孔流入和/或流出电化学池。本发明还公开了一种光电化学性能检测系统，其包括上述电化学性能检测系统和光源部件；光源部件包括光束传导元件；光束传导元件被设置为伸入电化学池，并使得其所传导的光束通过第一通孔照射在样品上。本发明所涉及的检测系统大大解放人力，使用自动化的手段取代人工，极大地避免了人工操作引起的失误，更加可靠和稳定。

摘要： 本发明公开了一种探测光电材料微区光电性能的方法，涉及光电化学技术领域。本发明以扫描电化学显微镜装置为基础，通过采用光纤微探针和微电极探针，在光电化学池中通过精确扫描样品微区(包括晶粒和晶界等)，从而获得材料微区光电化学性能。本发明的一种探测光电材料微区光电性能的方法可以测量出材料微区的不同表面微观形貌对应的光电性能差异，以及探测晶界及不同晶粒取向的光电性能分布，解决了传统方法上只能测量材料整体宏观光电性质的局限，对光电转化机制研究和工艺性能改进具有重要的指导意义。

摘要： 一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法，涉及铁电半导体异质结器件领域，通过对BLFO/ZnO异质结器件施加脉冲偏压，调用BLFO铁电性，BLFO/ZnO异质结器件调用BLFO的铁电性后，对BLFO/ZnO异质结器件施加压应变引入压电光电子学效应，达到同时调用铁电性和压电光电子学效应的目的，以增强载流子的总驱动力，本发明采用溶胶‑凝胶法和水热法制备了BLFO/ZnO异质结器件，研究了压电光电子学效应和铁电效应对其光伏特性的影响，利用压电光电子学效应调制载流子输运行为，显著改善了BLFO/ZnO异质结器件的开路电压和短路电流，在压应变的基础上引入外电场极化，调用压电光电子学效应和铁电性，调制异质结能带结构和载流子的总驱动力，从而提高了异质结的光电性能。

摘要： 本发明公开了一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统及其方法，该系统包括转移驱动装置、转移头、衬底放置台、检测电路基板、芯片放置台、光学探测器，衬底放置台、检测电路基板、芯片放置台依次排列于所述转移驱动装置的同一侧，转移头固定安装于转移驱动装置上，光学探测器位于检测电路基板的正下方。该方法包括以下步骤：S1放置芯片阵列；S2负压吸附芯片；S3芯片检测就位；S4光电性能检测；S5芯片转移释放；S6循环拾取及检测。本发明可实现微型面发射光电芯片组在巨量转移过程中同时实现光电性能的巨量同步检测，检测效率高，适用于微型面发射光电芯片，如微型LED芯片或小型LED芯片的光电性能巨量检测。

摘要： 本实用新型涉及检测装置技术领域，且公开了一种光电器件的光电性能检测仪，包括推车，推车的顶部固定连接有绝缘装置外壳，绝缘装置外壳的内部固定连接有导电玻璃纤维板，导电玻璃纤维板的内部固定连接有热固性酚醛树脂板，热固性酚醛树脂板的底部固定连接有金属板。本实用新型中，通过把需要检测的光电器件插入到热固性酚醛树脂板上的孔洞内，让光电器件底部与金属板接触，达到导电的目的，再通过电源接线柱和电源线给板上的光电器件提供电源，导电玻璃纤维板起到固定热固性酚醛树脂板的作用，即可通过电路连接板顶部的光性能检测仪和光纤光谱仪分别检测出光电器件的光性能和电性能。

摘要： 本实用新型属于光电检测技术领域，具体涉及一种光电器件光电性能检测仪，包括检测罩，所述检测罩的顶部安装光性能检测仪探头，所述光性能检测仪探头的上方设有顶板，所述顶板的顶部安装有驱动机构，驱动机构包括螺纹杆、双轨皮带轮、随动轮、皮带、电机和传动轴，所述顶板的顶部安装有支架，支架顶部安装有顶板，顶板的输出端连接顶板内侧的传动轴，所述传动轴外侧套设有双轨皮带轮，所述双轨皮带轮通过皮带连接支架两侧设有的随动轮，所述随动轮内侧设有螺纹杆，随动轮套设在螺纹杆上，在本实用新型中，通过该装置能够更好的对光电器件进行光电性能检测，操作简单，效率高，且通过对待测物的夹持方式进行测试，使该装置具有多样性。

摘要： 本实用新型提供了一种光电器件的光电性能检测仪，包括：箱体、电性能检测器、光性能检测器；所述箱体的底部呈矩形排列方式设置有四处脚座，且箱体与脚座通过螺纹拧接方式相连接；所述电性能检测器设置在箱体上部的左侧位置，且电性能检测器与箱体通过粘合方式相连接；所述光性能检测器设置在箱体上部的右侧位置，且光性能检测器与箱体通过粘合方式相连接。通过对上述装置在结构上的改进，具有光电性能检测功能，提高检测效率且减少人工操作，同时结构简单，便于操作，以及制成成本较低等优点，从而有效的解决了本实用新型在现有装置中提出的问题和不足。

摘要： 本实用新型公开了一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统，用于呈一定间距分布的面发射光电芯片阵列的光电性能检测，包括转移驱动装置、转移头、衬底放置台、检测电路基板、芯片放置台、光学探测器，所述衬底放置台、检测电路基板、芯片放置台依次排列于所述转移驱动装置的同一侧，所述转移头固定安装于转移驱动装置的移动执行端，并在衬底放置台和芯片放置台之间的上方往返移动，所述光学探测器位于检测电路基板的正下方。本实用新型可实现微型面发射光电芯片组在巨量转移过程中同时实现光电性能的巨量同步检测，检测效率高，适用于微型面发射光电芯片，如微型LED芯片或小型LED芯片的光电性能巨量检测。