首页> 中文期刊>黑龙江工业学院学报:综合版 >溅射功率对α-Hf薄膜结构及其光电特性的影响

溅射功率对α-Hf薄膜结构及其光电特性的影响

     

摘要

利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备α-Hf薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及霍尔仪等仪器进行测试分析,表征了薄膜的物相结构、表面形貌、光学性能及电学性能。实验结果表明:制备的α-Hf薄膜是具有(002)晶面择优取向的六方结构。其结晶质量、晶粒尺寸、光反射率、电阻率等都与溅射功率密切相关。当溅射功率为50W时,α-Hf薄膜结构的致密性和表面平整性都有所提高,导电性更加优异。100W薄膜样品光反射率更大,这与薄膜表面结构相关。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号