溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响

摘要

用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜.最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3×10-4Ω·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右.X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm.并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系.