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机译:乙炔流速和偏压对溅射A-C:H薄膜结构和摩擦性能的影响
TU Dortmund Univ Inst Mat Engn Leonhard Euler Str 2 D-44227 Dortmund Germany;
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TU Dortmund Univ Expt Phys 2 Otto Hahn Str 4a D-44227 Dortmund Germany;
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Hydrogenated amorphous carbon; Thin films; Sputtering; Structure; Mechanical properties; Tribological properties;
机译:阴极功率,偏置电压和中频对溅射非晶碳膜结构和力学性能的相互作用
机译:阴极电力,偏压和中频对溅射非晶碳膜结构和力学性能的相互作用效应
机译:偏置电压对磁控溅射制备的TiAl掺杂a-C:H薄膜结构和性能的影响
机译:MFPumst沉积的A-C:H薄膜粘接结构与力学性能的影响
机译:通过过滤的阴极电弧沉积的t(x)a-C(1-x)的结构,机械和光学性质。
机译:射频磁控溅射沉积BiFeO3薄膜的结构和纳米力学性能
机译:应用偏压对Ti的组成,结构和性能的影响:Si编码的A-C:H磁控溅射膜的H.