SnO_2的含量对ITO透明导电薄膜结构和光电特性的影响

摘要

阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底 ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中 Sn O2 含量的关系。ITO靶材中 In2 O3 掺杂 Sn O2 最佳比例 (质量比 )为 7.5 % ,制备薄膜的霍耳迁移率为 89.3cm2 /( V· s) ,电阻率为 6.3× 1 0 -4Ω· cm,在可见光范围内相对透过率为85 %左右 ,随着靶材中 Sn O2 含量增大 ,薄膜的光学带隙展宽。用不同掺杂比例的靶材制备的薄膜均为多晶纤锌矿结构 ,掺杂比例增大 ,样品的晶格常数变大 。