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偏压溅射薄膜成形方法及偏压溅射薄膜成形设备

摘要

本发明提供一种可以在接触孔、通孔和布线槽之类复杂形状的细小涂层表面中,特别是对于其侧壁部分形成具有良好厚度分布的覆膜的偏压溅射薄膜成形方法及薄膜成形设备。在含有溅射气体入口3和真空排气口2的真空室1中,用于基片台5的可变输出电源9与控制系统10连接至提供有分别固定彼此相对的靶材6和基片7的溅射阴极4和基片台5的偏压溅射薄膜成形设备。当阴极电压被首先设定为预定电压和基片与靶材被分开预定距离时的基片偏压值;和对应于此基片偏压值的各表面上薄膜的厚度分布被作为参考数据储存在控制系统10中。从参考数据中选择在各表面薄膜成形中使薄膜厚度实质上均匀的基片偏压值,以构成使用其作为变量的偏压函数,并通过此函数控制电源的输出。

著录项

  • 公开/公告号CN100383922C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱发科股份有限公司;

    申请/专利号CN03158146.3

  • 申请日2003-09-12

  • 分类号H01L21/203(20060101);H01L21/285(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/34(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-04-23

    授权

    授权

  • 2005-11-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-21

    公开

    公开

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