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Siox薄膜的电致阻变特性及机理研究

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SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在现象报道为主的起步阶段,电致阻变的稳定性亟待提高,阻变机理也有待于进一步澄清.本文将通过调节磁控溅射技术的工艺参数来调节SiOx薄膜的微观结构和阻变性能,通过XPS来研究其阻变机理.

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来源
《第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会》|2017年|362-368|共7页
会议地点上海
作者
尚杰;
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作者单位

上海市真空学会江苏省真空学会安徽省真空学会浙江省真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
硅氧化物薄膜; 磁控溅射; 微观结构; 电致阻变性能;
入库时间 2022-08-17 11:30:36

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