半导体薄膜

摘要： 为解决半导体薄膜材料研发制造过程中测试任务繁重的问题,研制了基于Hybrid方法的薄膜材料光学性能和电学性能高通量测试分析系统。系统应用于半导体薄膜样品的自动化批量表征,集成化检测样品的电阻率与透光率,综合分析测试结果,实现样品的择优筛选。设计搭建了LabVIEW上位机控制系统、Arduino UNO下位机控制系统、Keithley 2400电阻率测试组件、Ocean optics HR2000透光率测试组件、CCM XY轴平移滑台模组和双Z轴升降滑台模组。通过下位机控制系统对平移滑台和升降滑台的精密运动控制,电阻率探头与透光率探头依次下降,循环采集样品阵列的方阻值和透光率数据,将数据上传至上位机控制系统完成分析和可视化。经实验验证,本研究完成了对薄膜样品阵列的电阻率与透光率的自动化批量检测,最大检测效率为256个/批次,透光率响应波段为200nm~1100nm,方阻测试电压范围为1μV~211V。该系统满足科研人员对半导体薄膜材料的自动化测试需求,提高了新半导体材料研究中大数据分析筛选的能力,为半导体薄膜高通量综合表征提供了新方法。

摘要： 专利申请号:CN201810690566公开号:CN109148158A申请日:2018.06.28公开日:2019.01.04申请人:广东工业大学本发明公开了一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用,所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液,再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。其制备方法包括如下步骤:S1:将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液;S2:对FTO导电玻璃进行前期表面洗涤处理;S3:将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触,在高温高压的条件下充分反应后,在FTO衬底上制备得到硒化钼半导体薄膜。本发明制备得到的硒化钼半导体薄膜具有物相均匀、结晶良好、纯度较高、致密等优点,制备工艺简单、成本低廉,由本发明所制备的硒化钼半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和光催化水解制氢应用中具有良好的前景。

摘要： 采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O2通量是制备Cu2O半导体薄膜的关键因素,器件IDS电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的IDS的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63 S/cm,1.5×102及-0.6V.

摘要： 海洋生物污损引起的一系列经济损失和安全问题,是海洋开发过程中必须面临的重要问题之一,因此开发新型高效的防污技术具有重要意义。随着光催化抗污技术的发展,其在海洋防污的应用受到了广大研究者的关注。卤氧化铋(BiOX,X=Cl、Br、I)薄膜作为一种新型半导体薄膜,由于具有优异光催化性能、较高的机械强度和易于回收等优点,而成为应用于光催化防污领域中新的研究热点。综述了BiOX半导体薄膜的制备方法及其应用领域的最新进展。首先,在海洋污损与现存防污技术的研究背景下,概述了光催化技术应用于海洋防污的潜力。其次,综述了国内外当前BiOX薄膜制备技术及其应用领域,并介绍了各种方法的优缺点。之后总结了BiOX半导体膜在海洋防污领域的最新应用研究,其中特别强调了海洋环境中膜材料应用的必要性。最后,展望了BiOX半导体薄在海洋防污领域的发展前景,概述了可能产生突破性研究成果的发展方向,为进一步将BiOX薄膜应用于海洋防污领域打开了新的视角。

摘要： 据美国《每日科学》网站报道,美国麻省理工学院(MIT)工程师最近开发出一种新技术,他们用一批特殊材料取代硅,制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案,且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备,有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。

摘要： As an advanced ecological friendly semiconducting material,the researches on the preparation methods and optical properties of Mg2Si film play a fundamental role in the applications and development of Mg2 Si films.Semiconducting Mg2 Si films were prepared by electron beam evaporation deposition of Mg film onto Si (111) substrate and subsequent heat treatment under Ar gas atmosphere.X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM) and spectrometer were used to characterize and analyze the obtained Mg2Si films.Effects of heat treatment time (3 ～7 h) at 500 °C under Ar gas pressure (200 Pa) on the formation of Mg2Si films were investigated.The XRD and SEM results show that semiconducting Mg2Si films are obtained by electron beam evaporation deposition and subsequent heat treatment at 500 °C for 3-7 h.4 h is optimal heat treatment time to prepare Mg2 Si films when heat treated at 500 °C,and the compact Mg2Si films are obtained.The calculational results of infrared transmittance spectra of the Mg2Si films show that the indirect optical bandgap of the Mg2Si films is 0.943 3 eV,and the direct optical bandgap is 1.158 eV.These experimental data are beneficial to the device research and development of the Mg2 Si films in the preparation process and optical properties.%Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500°C、压强200 Pa下,研究热处理时间(时间3-7 h)对Mg2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明:通过电子束蒸发沉积方法在500°C、热处理时间为3～7h能够得到Mg2Si薄膜.热处理温度是500时,最佳热处理时间是4h,得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试,得到了Mg2Si薄膜的光学带隙,其间接光学带隙值为0.9433 eV,直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg2Si薄膜的研发在制各工艺和光学性质方面提供参考.

摘要： The semiconductor thin films of doped zinc oxide ( ZnO) were prepared on the quartz glass substrates by radio frequency magnetron sputtering technique. The optical transmission spectra of the thin films were measured with ultraviolet-visible spectrophotometer. The refractive index and extinction coefficient of the thin films were determined using the Swanepoel method, and the optical bandgaps of the thin films were calculated by the extrapolation method. The effect of doping on the optical properties of the ZnO thin films was investigated. The results show that the refractive index of all the thin films exhibits the normal dispersion characteristics. The doped ZnO thin films possess a high transmittance, large optical bandgap and low refractive index compared to undoped ZnO thin films.%以掺杂氧化锌(ZnO)陶瓷靶为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了掺杂ZnO系列半导体薄膜样品.利用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射光谱,通过Swanepoel法确定了薄膜的折射率和消光系数,利用外推法获得了薄膜的光学带隙,研究了不同掺杂对ZnO薄膜光学性能的影响.结果表明,钛掺杂和镓镁合掺后,ZnO薄膜的透过率和光学带隙增加而折射率减小;所有薄膜的折射率均随波长增加而单调减小,呈现出正常的色散特性.

摘要： 研究型实验教学是培养学生创新意识和创新能力的重要环节,论文以ITO薄膜为例,围绕ITO薄膜光电学性能,介绍了半导体薄膜研究型实验教学的内容和实施方法,激发了学生的科学研究兴趣,探讨了研究型实验教学对培养学生创新思维和科研能力所起的作用.

摘要： “发电玻璃”的闻世,可以说,它是一种颠覆性的新能源材料,必将改变历史!其实,寻找清洁能源代替传统的煤、石油等化石能源,一直是全世界科学家努力奋斗的重要目标.因为绿色能源不仅可以减少污染,而且将成为取之不尽的动力.现已普及的太阳能板发电,用的是一种半导体薄膜和玻璃制成的太阳能电池板,已是新能源.那么,能不能发明一种更加简单便捷的、可以安装在自家屋顶或建筑外墙的新材料,以此来利用太阳能发电.

摘要： 电阻式气体传感器通常需要在不导电衬底上制备,而电沉积法无法直接对不导电衬底进行原位电化学沉积半导体材料,目前也并无相关报道.本文选用商业用陶瓷管为衬底,在其上涂覆石墨涂层,借助石墨涂层的导电性原位电化学沉积半导体薄膜,然后通过煅烧降低或消除石墨的导电性,得到相应的半导体气体传感器.该类传感器具有灵敏度高、响应和恢复速度快、可重复和批量加工以及极高的稳定性.这种方法具有非常好的普适性,适用于大多数的半导体气体传感器的构筑,如:SnO2、ZnO、Fe2O3、CuO以及NiO等.

摘要： 氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.

摘要： 氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.

摘要： 氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.

摘要： 氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步关注薄膜制备方法、特别是初期成膜方式对界面的影响。

摘要： 本发明涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。本发明涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175°C加热1小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。

摘要： 本发明涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。本发明涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175°C加热1小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。

摘要： 本发明的半导体粘着薄膜，是在将半导体用粘着薄膜粘贴于金属板的一面后，加工金属板成配线电路，搭载半导体元件，封装后剥离的方法中使用的半导体用粘着薄膜。在支持薄膜的一面或双面形成有树脂层A，并且将粘贴有半导体用粘着薄膜的金属板加工成配线电路前，树脂层A与金属板在25°C的90度剥离强度大于等于20牛顿/米，且粘贴有半导体用粘着薄膜的配线电路以封装材料封装后，树脂层A与配线电路及与封装材料在0～250°C温度范围的至少一点的90度剥离强度都小于等于1000牛顿/米。

摘要： 一种薄膜，其包含：含丙烯基树脂(A)，其在分子内的末端包含下述式(1)所示的构成单元；除前述含丙烯基树脂(A)以外的自由基聚合性树脂或化合物(B)；和固化促进剂(C)，前述自由基聚合性树脂或化合物(B)包含选自由马来酰亚胺基及柠康酰亚胺基组成的组中的至少1种。式(1)中，‑*表示原子键。

摘要： 本发明提供一种薄膜，其包含：含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物(A)；含有选自由特定式所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物(B)；和，特定式所示的咪唑化合物(C)。

摘要： 本发明提供一种薄膜，其包含：含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物(A)；含有选自由特定式所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物(B)；和，氢过氧化物(C)。

摘要： 本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50°C～350°C的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶。根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜。

摘要： 本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50°C～350°C的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶。根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜。