有源矩阵

摘要： STANDARD标准一批国家标准正式实施2022年5月1日,一批国家标准正式实施,其中包括GB/T 40843-2021《跨境电子商务产品追溯信息共享指南》、GB/T 18910.61-2021《液晶显示器件第6-1部分:液晶显示器件测试方法光电参数》、GB/T 18910.203-2021《液晶显示器件第20-3部分:目检有源矩阵彩色液晶显示模块》、GB/T 40684-2021《物联网信息共享和交换平台通用要求》、GB/T 39560.4-2021《电子电气产品中某些物质的测定第4部分:CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定聚合物、金属和电子件中的汞》、GB/T 40814-2021《智能制造个性化定制能力成熟度模型》、GB/T 40693-2021《智能制造工业云服务数据管理通用要求》、GB/T 4942-2021《旋转电机整体结构的防护等级(IP代码)分级》、GB/T 40575-2021《工业机器人能效评估导则》等标准。

摘要： 一、项目基本情况项目单位:大同经开区投资促进部项目地址:大同经开区石墨烯产业园规划面积:50亩合作方式:独资招商对象:投资商运营商.

摘要： 2018年3月15日，3D力度感测技术厂商Peratech正式推出了一款集成柔性有机液晶显示器（OLCD）的有源矩阵3D力度触摸传感器，并在发布会上展示了两种颠覆性技术如何协同工作以实现全新的应用。

摘要： 美国专利商标局公布了苹果新专利，跟Home键有关，用户通过按压手机屏幕即可识别用户指纹。苹果获得这项新专利名为“配备红外二极管的交互式显示面板”，简单来说就是，触摸面板整合了微LED传感技术，而非传统触摸屏所采用的有源矩阵硬件。

摘要： 我国首条第6代柔性有源矩阵有机发光二极体（AMOLED）生产线——BOE（京东方）成都第6代柔性AMOLED生产线在成都高新区正式投入生产，标志着我国显示屏生产技术向前迈进了一大步。

摘要： 针对常用3T1C结构的AMOLED像素补偿电路容易受到阈值电压漂移影响的问题,介绍了一种新型电压型4T2C结构的AMOLED像素补偿电路,阐明了该电路的工作原理,并对OLED的驱动电流作了定性分析.结果显示该驱动电流值只与驱动电压及电源电压有关,从而有效地解决了因阈值电压变化而造成的显示器亮度不均匀的问题.该电路已通过Spectre仿真软件验证了其有效性.

摘要： 为了防止有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器随着使用时间增加而造成OLED像素驱动电路发生阈值电压和电源电压漂移,从而引起显示屏亮度不均匀和不稳定的现象,本文对OLED像素补偿驱动电路进行研究.首先对通用型的2T1C驱动电路进行分析,找出引起显示器亮度不均匀和不稳定的原因,然后以目前使用较多的4T1C像素补偿驱动电路为例,对该电路进行了深入的分析,指出这种电路结构的缺陷,最后针对这些缺陷,提出了改进的5T1C像素补偿驱动电路,并且对该电路进行了仿真,验证了其可行性.仿真结果表明,在显示阶段,输出电流稳定在2μA.基本可以改善OLED显示器亮度不稳定和不均匀的缺点.

摘要： TFT型LCD即薄膜场效应晶体管液晶显示器，是有源矩阵类型液晶显示器（AM—LCD）的一种。

摘要： 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室与广州新视界光电科技有限公司联合研制出我国第一块彩色柔性AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）显示屏。

摘要： 韩国三星公司在最近发布的一段概念视频中，展示了一款采用有源矩阵有机发光二极管显示屏的透明、可弯曲平板电脑，为平板电脑的发展带来了新亮点。

摘要： 本文分析了用于有源矩阵液晶显示的MIM薄膜二极管的国内外研究现状及存在的问题,在此基础上,对MIM薄膜二极管的制备工艺进行了改进。

摘要： 新型有机发光显示技术日益成为显示领域的研究热点,由于具有超轻超薄、低驱动电压、自主发光、宽视角、快速响应、可实现柔软显示等诸多优点,相关技术和产业均发展迅速.彩色化、柔软显示和大尺寸已逐渐成为有机发光显示器技术发展的主流方向.

摘要： 新型有机发光显示技术日益成为显示领域的研究热点,由于具有超轻超薄、低驱动电压、自主发光、宽视角、快速响应、可实现柔软显示等诸多优点,相关技术和产业均发展迅速.彩色化、柔软显示和大尺寸已逐渐成为有机发光显示器技术发展的主流方向.

摘要： 新型有机发光显示技术日益成为显示领域的研究热点,由于具有超轻超薄、低驱动电压、自主发光、宽视角、快速响应、可实现柔软显示等诸多优点,相关技术和产业均发展迅速.彩色化、柔软显示和大尺寸已逐渐成为有机发光显示器技术发展的主流方向.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 本文分析了国内外后天加固液晶显示器所采用的主要技术,对比了各种热加固技术的优缺点,提出了解决液晶显示器低温工作的内置加热膜加热的热加固技术.

摘要： 降低与包含显示区域的绕过部的源极线对应的部分的显示图像的品质的下降。以绕过开口区域(A1)的方式在绝缘基板(1)上，延伸设置互相交叉的栅极线(20)与源极线(30)。在内非显示区域(A2)，以在俯视下与源极线(30)的源极绕过部(31)重叠的方式，作为下遮蔽电极(23)而设置分离部(24)。

摘要： 一种有源矩阵显示装置，包括：显示面板，包括显示部，显示部布置有连接到数据线和栅极线的多个像素；数据驱动器，向数据线提供数据电压；栅极驱动器，向栅极线提供栅极脉冲，其中，栅极驱动器在一帧内的多个块中驱动显示部，其中，数据电压被依次提供给属于第j个块的多条栅极线(j是自然数)，并且黑色图像被同时写入属于第q个块的多条栅极线(q是不同于j的自然数)。

摘要： 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。

摘要： 公开了一种用于驱动包括多个像素(110)的有源矩阵显示器(200)的方法，其中每个像素(110)包括具有驱动器栅极(122)的驱动晶体管(120)。该方法包括：接收(302)要被显示的期望图像的信息；基于校准数据为每个像素(110)确定(304)给驱动器栅极(122)的经补偿电压，该校准数据包括适用于不同像素(110)的一组个体校准值，其中所述经补偿电压补偿各像素之间的差异，该差异影响由像素(110)输出的光强度因变于被施加到驱动器栅极(122)的电压与驱动晶体管(120)的阈值电压之间的差异的关系；以及为像素(110)的每一者输出(306)给驱动器栅极(122)的经补偿电压。

摘要： 有源矩阵基板具备包含多级移位寄存器(240)的栅极驱动器，移位寄存器分别具有：多个氧化物半导体TFT；第1输入端子，其接收置位信号；第2输入端子，其接收时钟信号CK；第3输入端子，其接收清除信号CLR；以及输出端子，其向多个栅极总线中的1个栅极总线输出栅极输出信号，时钟信号和清除信号的高电平侧的电位相同，并且，时钟信号和清除信号的低电平侧的电位也相同，多个氧化物半导体TFT包含具有背栅结构的第1TFT(101)，第1TFT(101)的主栅极电极连接于第3输入端子或负侧电源电压VSS，背栅极电极的电位被设定为正侧电源电压VDD或接地电位。

摘要： 有源矩阵基板(1001)具备：多个检查用TFT(10Q)，其配置在非显示区域(900)；以及检查电路(200)，其包含多个检查用TFT(10Q)，多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内，多个检查用TFT(10Q)各自包含：半导体层；下部栅极电极(FG)，其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧；上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧；以及源极电极和漏极电极，其连接到半导体层。

摘要： 适当地防止因有源矩阵基板中设置的ESD保护电路的二极管元件的破坏、特性偏移引起的显示品质等的降低。有源矩阵基板具备具有第一半导体层的薄膜晶体管以及与两根布线电连接的ESD保护电路。ESD保护电路包含二极管元件。二极管元件具有：包含于栅极金属层的第一电极；第二半导体层，其隔着绝缘层重叠于与第一半导体层形成在同一层的第一电极；第二电极和第三电极，其与源极金属层中所包含第二半导体层电连接。二极管元件的第一电极与第二电极相互电连接。ESD保护电路还包含次级二极管结构体。次级二极管包含：第四电极，其包含于栅极金属层并处于电浮置(电浮动)状态；第三半导体层，其与第一及第二半导体层形成在同一层，且隔着绝缘层重叠于第四电极。

摘要： 一种驱动有源矩阵介质上电润湿(AM‑EWOD)设备的元件的方法包括：向AM‑EWOD设备的参考电极施加第一交变电压；以及(i)向元件电极施加与第一交变电压具有相同频率且与第一交变电压异相的第二交变电压，或者(ii)将元件电极保持在高阻抗状态。将第二交变电压施加到元件电极的效果是将元件置于致动状态，在致动状态下元件被配置为致动元件中存在的任何液滴，而将元件电极保持在高阻抗状态的效果是将元件置于非致动状态。

摘要： 本发明的制造方法是利用光刻法来制造有源矩阵基板的方法。该方法包括如下工序：在非显示区域(周边区域)的形成端子部的区域中，在使源极金属膜(第2金属膜)成膜之前，除去层叠在栅极金属膜(第1金属膜)上的栅极绝缘膜GI(第1层间绝缘层)的至少一部分(工序(2))；以及在源极配线(信号配线)上使钝化膜Pas(第2层间绝缘层)成膜之后进行蚀刻，使得在显示区域中，除了TFT的漏极电极(16a)的一部分以外，钝化膜Pas和半导体层(i层)成为相同的图案(工序(4))。

摘要： 有源矩阵基板具备：多个TFT；层间绝缘层；公共电极，分离成分别作为触摸传感器电极发挥功能的多个分段；第一电介质层；多个像素电极；第二电介质层；以及多个触摸布线，各像素电极隔着第一电介质层与公共电极部分重叠，由此形成辅助电容，多个触摸传感器电极包括第一电极，多个触摸布线包括与第一电极电连接的第一布线以及与其他电极电连接的第二布线，第二布线在从基板的法线方向看时，横穿第一电极而延伸到其他电极，第二布线的一部分隔着第一电介质层和第二电介质层与第一电极重叠，由此形成触摸布线电容。