多晶硅

摘要： 多晶硅在国内发展近20年后首次收获国家优质工程奖,为其今后的更大规模扩产提供了更加强大的信心多晶硅是全球电子工业及光伏产业的基石,其在半导体器件、集成电路(IC)以及太阳能电池芯片等领域发挥受到国家“双碳”战略长期利好,以及全球光伏产业快速发展的刺激,国内厂商对多晶硅市场的信心更加坚固,自2021年年初开始,新的多在不远的将来中国多晶硅产能将达到250万吨以上。

摘要： 从表面反应的相界面积着手分析了硅芯直径对质量沉积速度的影响。通过加大硅芯的直径来提高多晶硅反应面积,可以显著提高多晶硅的质量沉积速度。同时通过分析硅芯直径对沉积时间、单根硅棒的沉积质量、年运行批次以及60对棒还原炉单炉年产量,认为在Ri=1.5kg·m^(-2)h^(-1),最终硅棒直径为Φ150mm时,采用Φ100mm的硅芯可以获得最大的单炉年产量,同时还原电耗可以降低6.64kWh/kg·Si左右。目前普遍使用的细实心硅芯存在影响多晶硅产量和能耗方面的不足之处,而其他横截面型式如矩形硅芯、菱形(三角形)硅芯、管状硅芯以及组合硅芯等,除能提高多晶硅产量和降低还原能耗外,在硅芯原料成本和制备方法上,都具有优势和竞争力。同时建议将EFG方法用于制备硅芯作为技术储备并开展研究。

摘要： 光伏产业在我国获得充分的发展,但同时多个环节存在污染环境之处。本文分析了光伏产业多个环节的污染问题,包括多晶硅生产、光伏工程施工、电路系统污染和废弃组件污染等,并提出了针对性的环保措施。一是推动多晶硅生产环节的零排放,二是倡导新技术,改变施工方式,三是实现电路系统的升级,四是建立封闭的光伏废弃组件回收机制。

摘要： 硅是自然界中分布最广的元素之一,其晶体结构决定了硅的物理化学性质,在常温下,硅很不活泼,是一种表面呈银灰色金属光泽的绝缘体,然而在高温熔融状态下,硅导电性极强,同时具有较大的化学活性,可与部分金属互熔并生成硅的化合物,即使石英也能与之发生反应。

摘要： 太阳能级多晶硅是生产太阳能电池的重要原料,因其在光伏产业的巨大市场,具有十分重要的研究价值。物理冶金法是一种相对能耗低、污染少的太阳能级多晶硅提纯技术,成为研究开发的热点。本文首先介绍了目前太阳能多晶硅制备方法,然后分析了冶金法制备多晶硅研究现状,最后主要介绍了冶金法制备太阳能级多晶硅的生产流程。

摘要： 硅料巨头的戏剧性故事。一家光伏巨头更名了。2月21日晚,保利协鑫能源公告,董事会建议更名为“协鑫科技控股”,突出硅材料科技的主业。在前一天,它再度入列恒生综指成分股。过去两年,这家多晶硅供应商股价,很有戏剧性,涨跌动荡不断。低谷时,它的股价才0.21港元,半年左右的时间,一度攀上3.88港元,上涨超过16倍,旋即又迅速下跌,长期停牌。

摘要： 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855°C退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。

摘要： 在硅表面沉积制备致密的氧化硅薄膜可获得极佳的表面钝化质量,然而氧化硅薄膜的常规制备方法常需要较长的工艺时间和较高的工艺成本,限制了其在太阳电池上的应用。本文拟采用臭氧氧化配合较短时间的热退火工艺对多晶硅太阳电池进行处理,实现多晶硅片表面的氧化硅薄膜制备,通过此过程改善多晶硅太阳电池的电学性能。使用该工艺方法在多晶硅片表面生成薄层氧化硅,并借助等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积的叠层氮化硅可显著提升多晶硅太阳电池正表面的钝化质量。实验对比发现,随着退火时间的延长,多晶硅片少子寿命的上升幅度增大,电池的电学性能随之提升。实验确定了最适宜的退火处理工艺,通过该臭氧氧化退火工艺,可获得超0.5%的多晶硅太阳电池效率绝对值增益。

摘要： 根据中国光伏行业协会对“十四五”时期全球光伏发电年新增装机容量的预测数据,利用产业链的生产关系推导出了多晶硅、硅片、太阳电池和光伏组件环节的需求量,同时基于光伏产业链各环节的产能变化趋势,预测出了“十四五”时期各环节的产能和产量情况。通过对比以上需求量和产量,并结合市场规律及相关政策,分析了“十四五”时期中国光伏产业链各环节的供需情况。

摘要： 从行业发展的角度来看,进一步提升三氯氢硅收率成为有机硅企业重点研究的内容。随着相关技术的发展,三氯氢硅相关装置的压力、温度等相关数据逐渐趋于稳定状态,因此催化剂的选择成为重要影响因素。从冷氢化技术入手,最终选定氯化亚铜为催化剂,并采用实验分析的方法证实了氯化亚铜对三氯氢硅收率的影响。实验结果发现,在多晶硅冷氢化技术中,氯化亚铜的使用会提高三氯氢硅的收率,具有技术可行性。

摘要： 以金刚线切割多晶硅废料和SiO2微粉为主要原料,分别以B4C、CaO和B4C+CaO为添加剂,在1420°C于氮气气氛下保温5h合成Si2N2O.借助XRD和SEM研究了不同添加剂对Si2N2O合成率及形貌的影响.结果表明:B4C、CaO以及B4C+CaO均能促进Si2N2O的合成.B4C引入的少量炭可以在反应初期有效去除Si表面的SiO2,在氧化产物B2O3的液相助烧作用下,α-Si3N4以溶解-沉淀的方式转化为β-Si3N4.CaO在材料内部提供了氧元素,导致Si发生了部分氧化反应,改变了原始配方Si3N4和SiO2的计量配比,多余的SiO2在CaO矿化剂的作用下转变为方石英.B4C+CaO复合添加,Si2N2O合成率最高,约96％(w),Si3N4和SiO2的生成比例最接近实验设计,B2O3作为网络形成体抑制了CaO的矿化作用.

摘要： 本文介绍了氮对多晶硅铸锭性能的影响与一种化学增强抗溶解氮化硅涂层，氮化硅涂层在熔融硅中不断溶解释放氮，造成硅锭氮过饱和/或氮化硅沉淀，会导致硅锭少子寿命严重下降，还有可能硬化晶体硅，使之相对更难切割。

摘要： 本文阐述了内循环流化床反应器内还原多晶硅过程，内循环流化床能有效避免硅烷与热壁面的接触，内循环流化床加热区颗粒浓度分布较为均匀，避免传热传质恶化，内循环流化床加热区的热颗粒能迅速加热反应区内的反应气，保证反应效率。

摘要： 本文阐述了N型铸造多晶硅中磷的挥发及分布，当铸锭中间位置的界面曲率十分平直，理论上磷的横向分布应该也是均匀的，但是实际上边部磷含量略高于中心部位，这是因为凝固前期边部和中心部位熔体流动速度不同导致的。

摘要： 组分过冷现象使铸造硅固液界面发生枝晶生长，外延枝晶下表面会保留在晶体中，形成外延枝晶晶界，外延枝晶晶界可以有效抑制位错生长增殖，降低缺陷浓度，经过优化的铸造多晶硅实例有效提高了电池转换效率。

摘要： 原生板坯作为籽晶应用到高效多晶硅铸锭工艺中,形核和初始晶粒更加细小和均匀,位错团簇增值得到有效抑制,整锭平均转化效率实验提升0.12%(绝对值),致密籽晶层方便料循环和成本降低。

摘要： 通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。

摘要： P硅中，部分为施主型陷阱，部分金属复合体为受主陷阱;可有效去除某些金属杂质;可去除金属复合体，不能去除扩散系数低的金属杂质;晶界处情况与晶粒缺陷差异很大，受主型陷阱较多;晶界处金属复合体陷阱可部分去除;吸杂过程会导致某些0复合体出现;B的复合体在吸杂过程会消失;H化处理可部分钝化某些金属杂质，与H价态有关;H化过程可有效去除复合体;H化过程难以钝化某种金属复合体;最大复合速率越大，少子寿命越低;导致最大复合速率的陷阱对复合影响最大;吸杂及H化处理可有效降低体内的复合;H等离子体预处理可进一步增强H化的效果。

摘要： 本文阐述了干法、湿法黑硅PERC效率进展和组件性能，叠加抗光衰工艺后,平均效率降低0.23%,主要表现Uoc/Isc/FF都略有降低,同时低效比例也有增.

摘要： 本文阐述了干法、湿法黑硅PERC效率进展和组件性能，叠加抗光衰工艺后,平均效率降低0.23%,主要表现Uoc/Isc/FF都略有降低,同时低效比例也有增.

摘要： 在本发明中，由第一衍射图和第二衍射图，求出针对旋转角度

摘要： 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。

摘要： 本发明的目的在于提供能够以良好的控制性制造晶体缺陷密度低、优选作为太阳能电池用锭的高品质的多晶硅锭的多晶硅锭制造方法，由此以低价格提供高品质的多晶硅锭及其用途。在坩埚3的底板上表面上配置平均结晶粒径为15mm以下的多晶硅块1，然后将硅原料2投入至坩埚内，使投入的硅原料熔融后，使其定向凝固，制造多晶硅锭。

摘要： 本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S

摘要： 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S

摘要： 本发明实现一种在切断多晶硅棒时防止金属污染的方法。本发明的切断方法是包括利用切断工具(133)切断多晶硅棒(S)的切断步骤的多晶硅棒(S)的切断方法，且在切断步骤中，从第一喷嘴(14)向多晶硅棒(S)的切断位置供给液体(L1)，从第二喷嘴(15)向多晶硅棒(S)的表面供给液体(L2)。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 本发明实施例提供了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、隔热笼，以及设置所述隔热笼内的坩埚、热交换台、护板和加热器隔热笼；所述隔热笼外壁上设有至少一个供氢组件，所述供氢组件包括一密封的储液箱和用于连通所述储液箱与所述隔热笼的至少一个导管，所述储液箱用于盛装液态碳氢化合物，所述供氢组件用于提供所述坩埚内的硅液进行氢钝化的氢源。该多晶硅铸锭炉能够便携、安全、有效地提供氢源，有利于多晶硅锭在制备过程中的氢钝化。本发明还提供了多晶硅铸锭方法和多晶硅锭。