非晶硅

摘要： 阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。

摘要： 能源是当今人类社会发展面临的首要问题。当前,我国的能源消耗主要依赖以煤和石油为主的化石能源,这带来了环境污染、二氧化碳排放超标等亟待解决的问题。同时,化石能源还存在资源有限的问题,不能支持人类的可持续发展。因此,我们必须努力开发低碳、低污染和可持续发展的可再生能源。将太阳能直接转换成电能的太阳电池(或称太阳能电池)是实现太阳能利用的一个重要方面。太阳电池包括晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳电池、无机半导体(非晶硅、铜铟镓硒、砷化镓等)薄膜太阳电池、染料敏化太阳电池、有机-无机杂化钙钛矿太阳电池和有机太阳电池等。

摘要： 文章设计了新型非晶硅太阳能PV/T空气集热器,该空气集热器能够解决传统太阳能PV/T热水器在高温波动情况下,晶硅电池热应力大的问题,同时避免了冬季管道发生霜冻的现象.文章通过实验对比,分析了非晶硅太阳能PV/T空气集热器、单独非晶硅光伏电池和传统太阳能空气集热器的能量效率和火用效率的差异.分析结果表明:非晶硅太阳能PV/T空气集热器的平均热效率为45.70％,比传统太阳能空气集热器的平均热效率降低了约25.88％;当空气质量流量增大至0.048 kg/s时,非晶硅太阳能PV/T空气集热器中的非晶硅光伏电池的平均电效率高于单独非晶硅光伏电池,它们的平均电效率分别为4.70％,4.54％;非晶硅太阳能PV/T空气集热器的总火用效率高于传统太阳能空气集热器的热火用效率和单独非晶硅光伏电池的电火用效率,非晶硅太阳能PV/T空气集热器总火用效率最大值为7.14％.文章的分析结果为非晶硅太阳能PV/T空气集热器的推广提供了参考.

摘要： 无序硅中结构转变和电子跃迁的起源,Nature封面:原子洞察力。Nature杂志第7840期封面文章报道了无序硅中结构转变和电子跃迁研究进展。非晶硅在高压下的丰富相行为已经得到了广泛研究,以期更好地从整体上理解结构无序材料。但是,研究人员一直难以理解这些行为的机制。Volker Deringer及其同事们研究发现,用于模拟加压非晶硅的原子机器学习模型能帮助阐明这些行为机制,该研究模型能够覆盖实验中遇到的所有结构转变。文章称此类计算方法有望为涉及高难度实验条件的预测性材料建模开辟应用前景。

摘要： 近非晶硅/单晶硅异质结太阳电池因其较大的技术优势而受到广泛关注,但由于器件结构较为复杂,引入了较多的界面缺陷,即使沉积的薄膜具备良好的光电特性,所制备出的器件也不一定有高的转换效率.通过对p型及n型非晶硅沉积层分别进行掺杂,根据实验结果,随着掺杂浓度的增加,非晶硅层的钝化质量逐渐降低,界面上缺陷态密度逐渐增加,且掺杂气体PH3比B2H6可更好地掺入到薄膜中.分别采用p型及n型非晶硅层制作成异质结太阳电池,通过电池特性参数可以推断出:当掺杂量足够高到可以产生足够的场效应来推动载流子运输,并且足够低到可以避免产生过多缺陷时,电池性能最佳.此外,研究还发现:n型非晶硅层更适合做电池背表面场,而p型非晶硅层更适合做电池正面.

摘要： 油井水泥石高温力学性能衰退会对深层油气井安全性及服役寿命造成很大影响.研究水泥石高温强度衰退规律将有助于改善水泥石的长期高温力学性能.硅溶出是造成水泥石高温力学性能衰退的主要原因之一,但未引起重视.重点研究了温度对不同晶态硅溶解度的影响,并结合高温加砂水泥石抗压强度进行分析.结果表明,硅溶解度随温度上升而增加,相同温度下非晶硅的溶解度远大于晶体硅;随硅溶解度的增大,水化前期的硅溶解促进水泥石早期高温抗压强度发展,高温反应后期水化产物会发生硅溶出,造成水泥石高温强度衰退;静态水中水泥石高温抗压强度比动态水中更高且更加稳定;养护环境中硅饱和程度高,水泥石的高温力学性能更稳定.从高温硅溶出角度分析,以晶体硅为主,少量非晶硅为辅的不同晶态硅将有助于保持水泥石高温力学性能稳定.

摘要： FlexEnable已收购了默克公司(Merck)一流的高性能有机薄膜晶体管(OTFT)材料组合,包括革命性和获得专利的有机半导体和电介体。这笔交易使FlexEnable成为第一家既能向显示器制造商提供被证明性能比非晶硅更高的OTFT材料,又能提供用于生产任何尺寸柔性有机液晶显示器的整套经过工业验证的制造工艺的公司。

摘要： 一种新奇的两步法本征(i)层生长工艺被应用来改善非晶硅/晶体硅(a-Si∶H/c-Si)界面钝化.研究了不同H2稀释流量比率R(R=[H2/SiH4])下的非晶硅薄膜的体材料的光电特性和其应用于非晶硅/晶体硅界面钝化后的钝化效果之间的关系,并做了比较,结果表明对于钝化效果来说,非晶硅/晶体硅界面的影响是主要的,要大于非晶硅体材料特性的对钝化的影响.但是,在非晶硅/晶体硅界面没有出现外延生长的情况下,非晶硅薄膜的体材料特性会对钝化有显著的影响.优化后的两步法工艺设计如下:在本征层生长的初始阶段,H2稀释流量比率R要比非晶硅体材料生长所采用的比率要低,以保证界面处的非晶硅仍然处于非晶相,第二阶段用最优的非晶硅体材料生长工艺,以获得最佳质量的钝化薄膜.虽然在抛光的直拉单晶硅片仅用5纳米的非晶硅薄膜来钝化,得到的有效少子寿命却达到了1.7毫秒.退火后,少子寿命达到了2.5毫秒,与之相对应的暗含的开压理论值达到了0.724V.

摘要： 本文分析和评估了多晶硅和单结非晶硅这两种目前商业化较成熟的光伏组件在广州地区的性能输出特性.结合二者的光谱响应和输出功率数据,与不同天气条件下的太阳光谱特性曲线,得出二者在不同天气条件下的输出特性关系:在多云条件下,非晶硅光伏组件的性能优于多晶硅;而在晴天条件下多晶硅光伏组件的输出性能最好。

摘要： 采用量产的玻璃衬底硅基薄膜太阳电池的沉积设备及相对应的生产工艺,利用玻璃做衬底转移,制备低成本的聚酯膜衬底的柔性太阳电池组件.通过优化制备工艺,采用LPCVD制备的BZO薄膜作透明前电极,得到尺寸为0.79m2(1245mm×635mm),背电极为铝的非晶硅-非晶硅锗的三叠层薄膜柔性太阳电池,并实现大规模的量产.

摘要： N型纳米SiOx薄膜用于硅基薄膜太阳电池的n层,与传统的a-Si n层或a-Sic-Si双层结构的n层相比,SiOx层具有更小的光吸收.同时低折射率的SiOx薄膜具有良好的光反射性能,将更多的太阳光反射到电池中,增加对太阳光的吸收.另外,由于纳米SiOx具有宽的带隙,它能够提高硅基薄膜电池的内建电场,对电池的开路电压以及非晶硅电池的稳定性能都有改善作用.采用掺杂的纳米SiOx薄膜作为电池的n层,不仅有助于提高电池的初始转换效率,同时也能够明显改善非晶硅电池的光致衰变率.通过对不同纳米SiOx的n层的结构与性能的优化,在0.79m2的玻璃基板上成功制备出初始转换效率12％以上的非晶硅/纳米硅叠层电池.

摘要： 陷光效应可有效提升薄膜光伏太阳能电池的效率,并能降低光吸收层的厚度,从而降低电池的生产成本.目前,具有陷光效应的前电极在薄膜光伏太阳能电池中得到广泛应用.低压化学气相沉积法(LPCVD)生长的掺硼氧化锌(BZO)是一种可大规模工业化生产的高雾度透明导电膜,很适合应用于薄膜光伏太阳能电池的前电极或背电极.然而当BZO用作非晶硅/纳米硅(或称微晶硅)叠层电池的前电极时,由于BZO膜表面是金字塔结构,有众多V型沟槽,在BZO表面沉积非晶硅/纳米硅叠层电池时,容易在纳米硅本征层中产生微裂痕,从而造成电池的开路电压和填充因子降低,影响电池的效率.目前国际上量产化的大面积BZO膜LPCVD生长工艺和设备与在其之上制备高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的配套工艺主要只掌握在知名厂商Oerlikon手中.rn 本文利用自行设计制造的LPCVD设备和自行开发的BZO生长工艺,制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其之上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时也用相近工艺在商用FTO导电玻璃(选用市场上的高质量产品,透过率和雾度在商用FTO导电玻璃中处领先水平)上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,并对两者进行比较.实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高出约1mA/cm2左右,电池的短路电流BZO前电极电池也是有显著提高;本文还通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,使其效率较相近工艺的高质量商用FTO前电极非晶硅/纳米硅叠层电池略有提升,目前电池初始效率达到11.5％(在工业化生产可接受的纳米硅本征层厚度条件下),达到国际先进水平.由于自行开发的BZO导电玻璃的生产成本比高质量商用FTO导电玻璃要低得多,且BZO较FTO有更好的陷光效应,从而在提升非晶硅/纳米硅叠层电池效率和降低其生产成本的潜力上有优势,所以上述成果对推进非晶硅/纳米硅叠层太阳能电池的发展有积极意义.

摘要： 双面HAC是非常有优势的一类电池结构，虽然HIT已经具有很多的优势,但从性能、原材料消耗、工艺成本等方面仍有很多需改进的空间，HACD从性能上优于HIT,从原材料消耗及制造成本上也具有一定的优势，HACL的设计理念可行,结构细节尚需优化,制造技术路线则还需研究设计.

摘要： 本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF 酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要.同时,对比了SiN 膜和a-Si:H 膜对太阳能电池的钝化效果,发现a-Si:H 膜有利于提高电池的开路电压,但是和SiN 薄膜相比,短路电流有所下降,通过内量子效率发现,主要是由于非晶硅对短波光的吸收造成,同时降低了电池的效率.可见,非晶硅有利于太阳能电池的钝化,但是为了综合提高电池的性能,仍需进一步优化,利用好非晶硅和氮化硅对电池的钝化效果.

摘要： 具有高反射率的背电极对于非晶硅基薄膜太阳电池的高性能和稳定性至关重要.本文提出ZnO:Al2O3(AZO)/Ag/NiCr (AZO)/Al 复合结构做硅基薄膜太阳电池的背电极.Ag 是一种昂贵金属且易氧化或硫化,沉积Ag 层后再沉积Al 作为保护层,其中,NiCr 或AZO 做扩散阻挡层,有效防止Ag 与Al的相互扩散,既减少Ag的用量,同时保持银的优异性能,解决了传统AZO/Ag 背电极存在的问题.最终制备背电极为AZO/Ag/NiCr/Al、初始效率为7.91% (Jsc=18.66mA/cm2,Voc=0.73V,FF=0.58)的单结非晶硅锗电池及9.72% (Jsc=5.95mA/cm2,Voc=2.30V,FF=0.71)的三结非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗电池.

摘要： 通过引入a-SiOx:H(i)层，其钝化效果比a-SiOx:H(i)层的效果更佳，但此方法会造成电池FF的下降。当a-SiOx:H(i)成膜条件越接近硅烷耗尽区，薄膜的钝化效果越好，其H含量与R因子出现显著下降。通过各步工艺的整合优化，研发出转化效率为20.90%的常规SHJ太阳电池，和20.44%的可弯曲薄型电池。

摘要： 通过引入a-SiOx:H(i)层，其钝化效果比a-SiOx:H(i)层的效果更佳，但此方法会造成电池FF的下降。当a-SiOx:H(i)成膜条件越接近硅烷耗尽区，薄膜的钝化效果越好，其H含量与R因子出现显著下降。通过各步工艺的整合优化，研发出转化效率为20.90%的常规SHJ太阳电池，和20.44%的可弯曲薄型电池。

摘要： 本发明涉及制备氢化非晶含硅复合胶体以及用氢化非晶含硅复合层包封物质的方法，以及含硅复合胶体和用含硅复合层包封的物质及其用途。根据本发明，对溶解在至少一种有机和/或无机溶剂中的氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物或在无溶剂的情况下已呈液体形式存在的至少一种氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物进行空化。由此产生氢化非晶含硅复合胶体。

摘要： 本发明属于非晶硅制备技术领域，涉及一种非晶硅粉体的制备方法、非晶硅粉体以及锂离子电池。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，包括以下步骤：以冶金级硅为原料，采用熔炼的方式，制得母锭；采用单辊快速凝固的方式将所述母锭进行甩带，制得非晶硅带材；将所述非晶硅带材进行脆化处理，得到脆化带材；将所述脆化带材进行粉碎处理，得到非晶硅粉体。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，工艺简单、高效，对环境友好，成本较低，易于实现工业化生产。该非晶硅粉体，能够缓冲硅体积变化产生的应力，减轻电极的体积膨胀效应，进而提高电极材料的循环稳定性。

摘要： 本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法，能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法，该方法包括：将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中，对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积；对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。

摘要： 提供一种与基板具有高亲和性的非晶硅形成用组合物。一种非晶硅形成用组合物，其包含具有氨基的聚硅烷和溶剂。

摘要： 本发明提供一种非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置。根据本发明一实施例的非晶硅复合体的制造方法可以包括融化硅原料进行熔融以形成熔融硅的步骤、通过冷却装置冷却所述熔融硅以使所述熔融硅在结晶化之前固化，从而获得非晶硅粉末的步骤、对所述非晶硅粉末进行湿磨以获得非晶纳米硅的步骤、将第一沥青与所述非晶纳米硅混合以获得第一混合物的步骤、将第二沥青涂覆在所述第一混合物上以获得第二混合物的步骤以及对所述第二混合物进行热处理以获得非晶硅复合体的步骤。

摘要： 本发明提供一种能够形成填充具有高纵横比的沟槽并与基板具有优异亲和性的非晶硅牺牲膜的新颖的非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物。一种非晶硅牺牲膜的制备方法，包括：(i)通过光照射和/或加热包含5个以上硅的环状聚硅烷或包含该环状聚硅烷的组合物使其聚合，以形成具有聚硅烷骨架的聚合物，(ii)将含有具有聚硅烷骨架的聚合物、聚硅氮烷和溶剂的用于形成非晶硅的组合物涂覆至基板上，以形成涂覆膜，以及(iii)在非氧化气氛中，加热所述涂覆膜。

摘要： 提供一种与基板的亲和性高、埋入性优异且能够使膜厚度增加的用于形成非晶硅的组合物。[解决手段]一种用于形成非晶硅的组合物，包含：(a)嵌段共聚物，其具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B，嵌段A的至少一个硅和嵌段B的至少一个硅通过单键和/或含硅的交联基团连接，以及(b)溶剂。

摘要： 提供了用于具有增强的结构稳定性的可再充电电池的非晶硅阳极电极和装置。非晶硅阳极能够包含导电衬底和沉积在衬底上的电极层，其中电极层由一个或多个非晶硅结构组成，并且非晶硅结构具有小于或等于大约500 nm的至少一个尺寸。

摘要： 本发明提供一种在用作负极材料时能够提高充放电效率和电池容量等电池性能的多孔非晶硅、能够以较低成本并以短时间制造整体由非晶硅构成的多孔非晶硅的多孔非晶硅的制造方法、及将该多孔非晶硅用作负极材料的二次电池。通过以106K/秒以上的冷却速度将包含金属与硅的熔体冷却，从而形成由该金属与硅构成的共晶合金，利用酸或碱选择性地使金属从共晶合金中溶出，由此得到多孔非晶硅。多孔非晶硅具有平均粒径或平均柱径为1nm～100nm的片层结构或柱状结构。

摘要： 本发明属于非晶硅制备技术领域，涉及一种非晶硅粉体的制备方法、非晶硅粉体以及锂离子电池。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，包括以下步骤：以冶金级硅为原料，采用熔炼的方式，制得母锭；采用单辊快速凝固的方式将所述母锭进行甩带，制得非晶硅带材；将所述非晶硅带材进行脆化处理，得到脆化带材；将所述脆化带材进行粉碎处理，得到非晶硅粉体。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，工艺简单、高效，对环境友好，成本较低，易于实现工业化生产。该非晶硅粉体，能够缓冲硅体积变化产生的应力，减轻电极的体积膨胀效应，进而提高电极材料的循环稳定性。