衬底材料

摘要： 当前,硅基柔性薄膜晶体管(TFT)的技术应用比较广泛,基于氧化物的柔性薄膜晶体管(TFT)技术也正在快速发展。有机电致发光层(OLED)是柔性器件的关键,提高柔性OLED器件封装的质量是未来技术研究的重点。对此,文章主要介绍了柔性OLED器件的特点,以及柔性OLED器件的衬底材料、薄膜晶体管、透明电极等,为构建高性能柔性OLED器件提供有效途径与保障。技术和成本仍是制约柔性OLED发展的主要因素,文章对柔性OLED的发展趋势进行了阐述。

摘要： 硅光芯片制造技术是基于硅和硅基衬底材料,利用互补金属氧化物半导体工艺进行光器件开发和集成的技术,其结合了集成电路技术超大规模、超尚精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势,与现有的半导体晶圆制造技术是相辅相成的。

摘要： 记者从山东省新动能基金管理有限公司(以下简称"省新动能基金公司")获悉,9月7日,山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称"天岳先进科技")首发上市申请获得上交所科创板上市委员会通过,标志着新旧动能转换基金投资项目再结硕果。据悉,天岳先进科技是国内领先的宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商,产品可广泛应用于5G通信、电动汽车等前沿领域。企业拥有的国家科学技术进步一等奖技术,打破了国外对碳化硅衬底材料的技术垄断,实现了我国核心战略材料的自主可控。

摘要： 奧趋光电技术(杭州)有限公司(以下简称"奥趋光电")日前发布了重磅产品——2英寸(Φ50.8 mm)高质量氮化铝单晶衬底,并正式启动小批量量产。随着2英寸氮化铝单晶衬底的小批量量产,高功率深紫外LED、紫外LD、紫外探测器、紫外预警及高功率、高频、高温电子器件等领域迎来了其最佳衬底材料及解决方案。

摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积法,分别在Si、Ti、Mo、Nb、Ta衬底表面沉积多晶金刚石膜,系统探究金刚石膜在不同衬底材料表面的生长行为.结果表明:Si衬底表面金刚石形核期由纳米级金刚石晶粒和晶态石墨组成,随后是弥散分布的金刚石团簇生长聚集形成连续的膜层,使用较细粒度的金刚石微粉对衬底研磨处理可提高金刚石膜的致密性.Si衬底与金刚石膜之间存在晶态石墨,金刚石膜晶粒尺寸不足5μm;Ti、Mo、Nb、Ta衬底与金刚石膜之间均存在过渡金属碳化物,金刚石膜晶粒尺寸最大达到20μm.相对Ti、Mo、Nb衬底,Si和Ta衬底表面的金刚石膜生长较滞后,膜内存在较多的晶体缺陷与晶界,晶体结晶性较差,且Si和Ta衬底金刚石膜具有更低的热残余应力.

摘要： 氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。

摘要： 近日,中科晶电忻州半导体产业基地砷化镓项目正式开业运营。忻州中科晶电信息材料有限公司布局的砷化镓晶体及晶片制造加工项目投资2.5亿元,以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主,建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线,规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。

摘要： 碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料.近年来,国内外在SiC单晶衬底制备方面取得了重大进展.对SiC单晶衬底材料的最新发展进行回顾,包括SiC单晶生长技术、直径扩大、缺陷控制等,对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望.随着高质量大尺寸SiC衬底材料的迅速发展,大大降低了SiC器件的制造成本,为SiC功率器件的发展提供了坚实基础.%As a key representative material for the third-generation wide bandgap semiconductors,silicon carbide(SiC) has many superior properties such as high critical breakdown electric field,high thermal conductivity,high carrier saturation velocity and excellent chemical stability,which makes the SiC device suitable for high voltage,high power,high frequency and strong radiation application.In recent years,bulk growth of SiC single crystals has made significant progress.The developments of SiC substrates meterial,including the growth techniques for SiC bulk growth is introduced,the enlargement of substrate diameter,defect control and perspectives of SiC substrates.With the rapid development of high-quality and large-diameter SiC substrate materials,the manufacturing cost of SiC devices is greatly reduced,which lays on a solid foundation for the development of SiC power devices.

摘要： 碳化硅衬底材料在民用和军用领域都具有极其重要的地位和巨大的市场需求,是电子信息时代不可替代的新型材料.2016年碳化硅电力电子市场规模高达2.1亿-2.4亿美元,随着科技的进步,碳化硅单晶衬底材料的技术将会越来越纯熟,其成本将逐渐降低,市场前景十分广阔.

摘要： 随着光刻机技术的发展，特征线宽尺寸减少到纳米级，对光刻机对准系统提出了更高的对准精度的性能指标。对准系统是光刻机最精密复杂的部分，不同的工艺条件，尤其是不同的衬底材料对对准系统的精度都会产生显著影响。阐述了Nikon步进投影光刻机的二种对准方式：激光步进对准(LSA)和场像对准方式(FIA)。并讨论了铝与氮化硅衬底材料对二种对准方式的精度影响，为工业应用提供一定的指导作用。

摘要： "泛在屏"时代如期而至!其中,"柔性显示"因展示形态多样性、设计空间灵动性等被广泛需求.区别于传统刚性显示屏,柔性显示屏对其衬底材料提出了全新要求.本文将系统介绍目前柔性衬底研究进展,重点关注已经被证明量产可行的材料:聚酰亚胺.

摘要： 氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件等领域有着潜在的开发前景.很多研究结果表明,ZnO薄膜的光学和电学性质与薄膜质量有着直接的关联.而薄膜质量又与其衬底材料密不可分.目前,很多研究者通过在Si衬底和ZnO薄膜间添加缓冲层或换用其他衬底材料,以期提高ZnO薄膜的质量.

摘要： 钪Sc氢化物具有极低的离解平衡压，在高温储氢方面具有极为明显的优势。为了更好地指导后期吸氘实验的进行，有必要详细地研究镀膜过程及工艺参数对Sc膜的影响。在众多的镀膜方法中，电子束沉积法因对衬底无损伤、沉积速率快且成本低而备受青睐。本文采用电子束沉积方法在沉积速率为50±2.5(A)/s时，在粗糙Mo、光滑Mo(RMS=0.836nm)及单晶Si(111)，Si(110)上沉积了Sc膜，并采用XRD、SEM对其进行了分析。各条件下Sc膜的平均厚度为2μm。

摘要： Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料作为第三代半导体，在光电子学和微电子学领域中有重要的应用前景。GaN基外延薄膜主要应用在蓝光或者紫外发光器件、高温电子器件、探测器以及高速场效应晶体管等，但由于和衬底材料存在晶格失配和热失配等问题，生长优质的GaN基外延单晶薄膜一直是研究者所关注的焦点。目前GaN基外延薄膜大多以蓝宝石作为衬底，由于其硬度大，导热性能差，工艺复杂、价格昂贵等特点，使其不利于制作大功率器件；而Si晶体由于其质量高、价格低廉、易解理、导电性好及其成熟的Si集成技术等优点，可作为取代蓝宝石的衬底之一。但选用Si衬底就必须通过缓冲层来解决GaN薄膜与Si衬底的晶格失配等问题。本文概括介绍了几种类型的缓冲层，通过分析不同缓冲层的生长条件，对如何选用合适的缓冲层用作GaN外延薄膜的生长进行了初步探讨。

摘要： 笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO是宽带隙材料，只有能量较高的电子-空穴对才能在ZnO侧复合发光，而Si、GaAs衬底材料是窄带隙材料，大部分电子-空穴对均在这侧复合发光。虽然Si是间接带隙材料，但是有声子参加，也可以得到较强的红外发光。所用在这些异质结结构的电注入发光中，Si、GaAs侧的发光强度比ZnO材料侧的可见和紫外发光强度大许多，而ZnO材料在0.4～2μm的波长范围内是透明的，可以制成光波导系统，提供将光源、探测器、调制器、滤波器及相关电路等进行单片集成，因此可以说，这些异质结电注入发光现象的发现为光电集成开辟了新的途径。

摘要： 为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法。着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求。

摘要： 本文描述半导体照明上游产业的简要概况,重点介绍LED衬底、外延及芯片核心技术的发展动态和趋势,以及降低外延、芯片成本的技术。

摘要： 本文描述半导体照明上游产业的简要概况,重点介绍LED衬底、外延及芯片核心技术的发展动态和趋势,以及降低外延、芯片成本的技术。

摘要： 本文描述半导体照明上游产业的简要概况,重点介绍LED衬底、外延及芯片核心技术的发展动态和趋势,以及降低外延、芯片成本的技术。

摘要： 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造呈成列阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及自所述方法形成的膜和装置。

摘要： 在具有大约500埃或更薄的SOI层的SOI衬底上形成高质量亚稳SiGe合金，与形成在更厚的SOI衬底上且随后在高温下退火和/或氧化的同一SiGe层相比，该SiGe层能保持基本完全应变。从而本发明给出通过在薄的、清洁的和高质量的SOI衬底上生长而“抑制(frustrating)”亚稳的应变SiGe层的方法。

摘要： 本发明涉及到一种用于制备金属-陶瓷复合材料，特别是金属-陶瓷衬底的方法，该法中，作为复合组件的板状的陶瓷衬底与经氧化的金属薄片通过在保护气体气氛中加热到加工温度通过直接结合而互相复合。在此，复合组件被放入在封壳内构成的反应空间中，反应空间与外保护气体气氛通过封壳分隔开，或只通过小的开口截面与外保护气体气氛保持连通。

摘要： 本申请提供了一种衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件，通过采用第一反应物、第二反应物和第三反应物进行反应生成第一中间产物，对所述第一中间产物进行第一热处理和第二热处理反应生成衬底材料，通过第一反应物、第二反应物和第三反应物引入三胺类化合物为中间体，使得聚合物的分子链规整性降低，减小了分子间的作用力，同时破环聚合物的紧密堆积，降低聚合物的结晶性能，提高了衬底材料的光透过率，进而实现一种高透过率的衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件。

摘要： 公开了一种用来制造面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层的方法。本发明的方法包括：在含硅衬底的表面上形成应变的含锗层；在含锗层/含硅衬底界面处或此界面下方注入离子；以及进行加热，以便形成面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层。还提供了具有面缺陷密度降低了的SiGe层的基本上弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料以及包含此衬底材料的异质结构。

摘要： 本发明提供了一种利用SIMOX和锗互扩散形成基本上驰豫的、高质量绝缘体上硅锗衬底材料的方法。该方法包括首先将离子注入含硅衬底中，从而在含硅衬底中形成富注入物区。富注入物区具有足够的离子浓度，使得在随后的高温退火期间可以形成阻挡锗扩散的阻挡层。接着，在含硅衬底的表面上形成含锗层，然后在允许形成阻挡层和锗互扩散的温度下进行加热步骤，从而在阻挡层上面形成了基本上驰豫的单晶硅锗层。

摘要： 描述了一种制作高质量的、基本弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料的方法，该衬底材料可用作应变Si层的衬底模板。具有很薄的上部Si层的绝缘体上硅衬底可用作压应变的SiGe层生长的模板。一旦SiGe层在足够高的温度下弛豫，位错运动的性质使得在埋层氧化物的行为是半粘滞性时，应变释放缺陷向下移动到薄Si层中。该薄Si层通过埋层氧化物/薄Si层界面的氧化被消耗。这可通过使用高温下的内氧化来实现。这样，初始的薄Si层在SiGe合金弛豫期间起牺牲缺陷吸收器的作用，之后可采用内氧化被消耗。

摘要： 本申请提供了一种衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件，通过采用第一反应物、第二反应物和第三反应物进行反应生成第一中间产物，对所述第一中间产物进行第一热处理和第二热处理反应生成衬底材料，通过第一反应物、第二反应物和第三反应物引入三胺类化合物为中间体，使得聚合物的分子链规整性降低，减小了分子间的作用力，同时破环聚合物的紧密堆积，降低聚合物的结晶性能，提高了衬底材料的光透过率，进而实现一种高透过率的衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件。

摘要： 本申请提供了一种衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件，通过采用第一反应物和第二反应物进行反应生成第一中间产物，对所述第一中间产物进行第一热处理和第二热处理反应生成衬底材料，通过第一反应物和第二反应物引入二胺类衍生物为主链结构，从而提高了衬底材料的耐热性、机械性和光透过性，进而实现了一种耐热性高、机械性强和光透过性高的衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件。

摘要： 公开了一种用来制造面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层的方法。本发明的方法包括：在含硅衬底的表面上形成应变的含锗层；在含锗层/含硅衬底界面处或此界面下方注入离子；以及进行加热，以便形成面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层。还提供了具有面缺陷密度降低了的SiGe层的基本上弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料以及包含此衬底材料的异质结构。